Determinaci

on de la brecha energ
etica en dos tipos de semiconductores
Uriel Allan Aceves Rodrguez*
Departamento de Fsica
Facultad de Ciencias, UNAM

(Colaboracion con Sergio Sotres)

(Fechado: 17 de octubre de 2015)
Los semiconductores est
an presentes en la mayora de los dispositivos electr
onicos modernos que
se usan cotidianamente. De hecho, este reporte fue escrito e impreso por medio de dispositivos
que dependen fuertemente de semiconductores. Los materiales semiconductores son exactamente lo
que su nombre se
nala. Exhiben propiedades de conductor y aislante bajo ciertas condiciones. El
experimento que aqu se detalla tiene como fin determinar la diferencia energetica entre la banda de
valencia y la banda de conducci
on en un semiconductor, utilizando teora de bandas y la ecuaci
on
de Shockley. En el se obtienen valores para las brechas energeticas de dos diodos de materiales
diferentes y se determina el material del que est
an compuestos cada uno de ellos. As, se obtiene
una brecha energetica de Eg = 1.3342 19.125 % para el silicio y de Eg = 0.5963 9.2515 % para el
germanio, mientras que los valores reportados son 1.12 eV y 0.66 eV respectivamente. Se muestra
adem
as, como consecuencia de la manipulaci
on de la temperatura que el comportamiento del diodo
depende fuertemente de la temperatura de operaci
on del mismo.
N
umeros de PACS: [Link]

I. Introducci
on
A. Semiconductores
B. Semiconductores extrnsecos
C. Teora de bandas
D. Diodos
II. Montaje experimental
A. Regimen de temperaturas altas
B. Regimen de temperaturas bajas

1
1
1
2
3
3
3
4

III. Resultados y an
alisis
A. Diodo negro
B. Diodo naranja
C. Brechas

4
4
6
8

IV. Conclusiones

Referencias

I.
A.

Introducci
on

La conductividad electrica de un material semiconductor aumenta con el aumento de temperatura, el

cual es el comportamiento contrario al de un metal.
Los dispositivos semiconductores pueden mostrar un
rango amplio de propiedades u
tiles tales como pasar la
corriente mas facilmente en una direccion que en otra,
mostrando resistencia variable, y sensibilidad a la luz
o el calor. Dado que las propiedades electricas de un
semiconductor pueden ser modificadas por la adici
on
controlada de impurezas, o por la aplicacion de campos
electricos o luz, los dispositivos hechos a partir de
semiconductores pueden ser usados para amplificaci
on,
como interruptores, y conversion de energa.

Semiconductores

Un material semiconductor tiene un valor de conductividad electrica entre el de un conductor y un

aislante. Los semiconductores son la base de la industria
electr
onica contempor
anea. Los materiales semiconductores existen en dos tipos, materiales elementales
o materiales compuestos. El entendimiento moderno

de las propiedades de un semiconductor se basan en

la mecanica cuantica para explicar el movimiento de
electrones y huecos en una red cristalina. El singular
arreglo de la red cristalina hace al germanio y silicio los
materiales mas com
unmente utilizados en la preparaci
on
de materiales semiconductores. Un incremento en el
conocimiento de materiales semiconductores y procesos
de fabricacion han hecho posibles aumentos continuos
en la complejidad y velocidad de los microprocesadores
y dispositivos de memoria.

[Link]@[Link]

Algunas de las propiedades de los materiales semiconductores fueron observadas a traves del siglo XIX y las
primeras decadas del siglo XX. El desarrollo de la mec
anica cuantica en turno permitio el desarrollo del transistor
en 1947. Aunque algunos elementos y muchos compuestos presentan propiedades de semiconductor, el silicio,
germanio, y compuestos de galio son los mas usados en
dispositivos electronicos. Elementos cerca de la as llamada escalera metaloide, donde los metaloides est
an
colocados en la tabla periodica, son usados usualmente
como semiconductores.

2
B.

con una energa correspondiente

Semiconductores extrnsecos

Un semiconductor extrnseco es un semiconductor

que ha sido contaminado, es decir, al cu
al le han sido
insertadas impurezas, d
andole as diferentes propiedades
electricas a las de un semiconductor intrnseco (puro).
Contaminar involucra agregar
atomos de impurezas al
semiconductor intrnseco, lo cu
al cambia las concentraciones de electrones y hoyos del semiconductor en
equilibrio termico. La concentraci
on dominante de cargas
en el semiconductor extrnseco los clasifica como semiconductor tipo n o tipo p. Las propiedades electricas de
los semiconductores extrnsecos los hacen componentes
esenciales de cualquier dispositivo electr
onico.

h2 k 2
h2
=
=
2m
2m

Semiconductores tipo p: al contrario de los semiconductores tipo n, los tipo p tienen una concentracion
m
as grande de hoyos que de electrones. La frase tipo
p hace referencia a la carga positiva de los hoyos. Los
semiconductores tipo p son creados al contaminar un semiconductor intrnseco con impurezas aceptantes [2]. Un
contaminante com
un para los semiconductores de silicio
tipo p es el Boro. Para estos semiconductores el nivel de
Fermi est
a por debajo del nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco y yace m
as cerca a la banda de valencia
que a la banda de conducci
on.

C.

Teora de bandas

En la fsica del estado s

olido, la estructura electronica de bandas (o simplemente la estructura de bandas)
de un s
olido describe aquellos rangos de energa que un
electr
on dentro del s
olido puede tener (llamados bandas
de energa, bandas permitidas, o simplemente bandas) y
rangos de energa que no puede tener (llamados brechas
de banda o bandas prohibidas). La ecuaci
on de Schrodinger para el problema planteado es la siguiente



1
(x, y, z) = exp i~k ~r ,
V

(1)

2
L

2

(`2 + m2 + n2 )

(2)

De reojo puede ver uno que esta es la ecuaci

on de una
esfera, la conocida esfera de Fermi. En este caso tenemos
que llenar con N electrones los estados de energa m
as
baja del sistema. Recordando que los electrones est
an
sujetos al principio de exclusion de Pauli y por lo tanto es
imposible tener mas de un electron por estado, podemos
obtener la densidad de estados

g() =
Semiconductores tipo n: los semiconductores tipo
n tienen concentraciones mayores de electrones que de
hoyos. La frase tipo n viene por la carga negativa del
electr
on. En los semiconductores tipo n, los electrones
son los portadores de carga mayoritarios y los hoyos son
los portadores de carga minoritarios. Los semiconductores tipo n son creados contaminando un semiconductor
extrnseco con impurezas donantes [1]. Un contaminante
com
un para los semiconductores tipo n de silicio es el
F
osforo. En un semiconductor tipo n el nivel del Fermi
es mayor que en el semiconductor extrnseco y yace
m
as cerca a la banda de conducci
on que a la banda de
valencia.

3 1
V
(2m) 2  2 .
2
3
2 h

(3)

Para introducir el comportamiento termico del sistema

n(, T ), asumimos que los electrones se comportan de
acuerdo a la distribucion de Fermi-Dirac f (, T ). De esta
forma la densidad de estados muestra un comportamiento de acuerdo con el mostrado en la figura 1

Figura 1. Distribuci
on de Fermi-Dirac a diferentes temperaturas.

Dicho esto, podemos utilizar estos conceptos para

explicar el comportamiento de los electrones dentro
solido. Si hay N celdas unitarias ocupadas en el cristal
en cada zona de Brillouin hay 2N estados electr
onicos
disponibles. Suponiendo que en un solido hay un n
umero
de electrones que ocupa parcialmente una banda de
energa. Este es el caso, por ejemplo, de los metales
alcalinos con un electron de valencia por celda unitaria.
Si hay N celdas ocupadas en la primera zona de Brillouin
hay 2N estados electronicos. La mitad inferior de estos
estados estara ocupada a T = 0. Por consiguiente
hay estados electronicos disponibles por encima del
nivel de Fermi y no se necesita proporcionar mucha
energa a los electrones de valencia para hacer que se
muevan en el cristal. Obtenemos as una explicaci
on al
comportamiento conductor de los metales dentro del

3
esquema de la teora de bandas.
Suponiendo ahora que se tiene un n
umero de electrones suficiente para llenar completamente una banda de
energa. En este caso los estados disponibles para una
excitaci
on se encuentran separados por una brecha y
debido a esto no es tan f
acil excitar a los electrones y,
por tanto no se mover
an libremente por el cristal. Es
este el caso de un solido aislante, de nuevo explicado en
terminos de la teora de bandas.
A la banda m
as alta (con mayor energa) ocupada por
electrones, se le conoce como banda de valencia, mientras
que a la de menor energa se le conoce como banda de
conducci
on. En un conductor no hay separaci
on entre la
banda de valencia y la de conducci
on, haciendo as muy
f
acil despegar los electrones de valencia y utilizarlos
como portadores de carga dentro del s
olido. Mientras
que en un aislante hay una separaci
on (tpicamente
grande) entre dichas bandas.
Los semiconductores tambien pueden caer dentro de
la teora de bandas, en este caso su brecha energetica es
menor que 4 eV a una temperatura de 0 K. El hecho
de que sus propiedades se modifiquen con el cambio de
temperatura y que la brecha energetica no es muy grande, permite el dinamismo de los semiconductores, ya que
pueden exhibir propiedades aislantes y de conduccion (si
se les proporciona la energa suficiente). Uno de los dispositivos m
as simples hechos con semiconductores es el
diodo.

los electrones en la zona de reduccion son sacados de sus

hoyos y comienzan a moverse libremente de nuevo. Haciendo desaparecer, de esta forma, a la zona de reducci
on.
Si se intenta hacer fluir una corriente en el sentido
contrario, es decir, con la zona tipo p conectada a la
terminar negativa y la zona n a la positiva, la corriente
no fluira. Los electrones en el material de tipo n son
atrados hacia el electrodo positivo. Los hoyos positivos
en la zona p son atrados hacia el electrodo negativo. No
fluye corriente a traves de la union debido a que tanto
los electrones como los hoyos se encuentran moviendo en
la direccion incorrecta. En este caso la zona de reducci
on
es mayor.
De esta forma fenomenologica podemos explicar
los resultados obtenidos en terminos de bandas en la
subseccion I B.
El modelo matematico mas utilizado para explicar el
comportamiento del diodo es el modelo de Shockley. Dentro de este esquema la ecuacion que relaciona la intensidad de corriente con la diferencia de potencial es
I = I0 [exp (qV /kB T ) 1] ,

con q la carga fundamental, la constante de idealidad

caracterstica del diodo y kB la constante de Boltzmann.
Si hacemos la aproximacion qV  kB T (aproximaci
on
valida para temperaturas menores a 500 K), obtenemos
I = I0 exp (qV /kB T ).

D.

Diodos

Un diodo es el tipo m
as simple de dispositivo semiconductor. Un diodo consiste de una seccion de
semiconductor tipo n, unida a una secci
on tipo p,

con electrones en cada borde. Este

arreglo conduce
electricidad solamente en una direcci
on. Cuando no se
aplica voltaje al diodo, electrones del material tipo n
llenar hoyos del material tipo p a lo largo de la union
entre capas, formando una zona de reducci
on. En la zona
de reducci
on, el material se regresa a su estado original
de aislante dado que todos los hoyos est
an llenos, por
lo tanto no hay electrones libres o espacios libres para
electrones, y no puede fluir carga.
Para deshacernos de la zona de reducci
on, debemos
conseguir electrones que se muevan de la zona n a la
zona p y hoyos moviendose en la direcci
on contraria.
Para hacer eso, conectamos el lado correspondiente al
semiconductor tipo n a la terminal negativa del circuito
y la zona p a la terminal positiva. Los electrones en
la zona n son repelidos por el electrodo negativo y
conducidos al electrodo positivo. Los hoyos en la zona p
se mueven en sentido contrario. Cuando la diferencia de
potencial entre los electrodos es suficientemente grande,

(4)

(5)

Por otro lado se tiene la dependencia de la corriente I0

I0 = BT 3 exp (Eg (T )/kB T ),

(6)

en donde Eg (T ) es la brecha energetica en funci

on de la
temperatura y B una constante. De esta forma
ln (I0 ) = ln (B) + 3 ln (T )

Eg (T )
.
kB T

(7)

Finalmente nos es posible escribir a Eg (T ) de la siguiente

manera
Eg (T ) = Eg (0) T,

(8)

con la constante de crecimiento de la energa con respecto a la temperatura. Entonces, al combinar la ecuacion 8 con la ecuacion 7, se obtiene la relaci
on para la
brecha energetica que se desea medir, es decir, Eg (0)
ln (I0 ) = + 3 ln (T )

Eg (0)
,
kB T

(9)

en donde es una constante que proviene del termino

y ln (B) que no afectan a la medicion de la pendiente, en
donde tenemos el termino Eg (0).

4
II.
A.

Montaje experimental

para la determinacion de los parametros en la ecuaci

on
de Shockley.

R
egimen de temperaturas altas

Para llevar a cabo este procedimiento, se tiene que medir la corriente y el voltaje que siente un semiconductor
inmerso en un ba
no termico. Es por ello que se utiliza el
circuito mostrado en la figura 2 que permite medir dichas
cantidades:

Este procedimiento se debe repetir para ambos diodos

semiconductores en varias temperaturas. Ya que con
esto, se determina el factor de idealidad del semiconductor correspondiente.

B.

Figura 2. Circuito empleado en el experimento.

R
egimen de temperaturas bajas

Para la medicion a temperaturas inferiores a la del ambiente, se mantiene la estructura del circuito antes descrito, pero en vez de usar una parrilla se utiliza un recipiente con nitrogeno lquido, lo cual forza entonces a usar un
termopar conectado al diodo para medir la temperatura.
En este caso, el acoplamiento del diodo y el termopar,
debe de estar aislado con cinta de aislar mas aparte, un
recubrimiento extra de papel aluminio que permita el intercambio termico de la fuente fra con el diodo (figura
4).

Dicho circuito se utiliza para ba

nos termicos superiores e inferiores a la temperatura ambiente con algunas
diferencias en el acoplamiento del sistema de medicion
seg
un el caso.
Para el caso de temperaturas superiores a la del ambiente, el diodo semiconductor se sumerge en aceite casero de manera que el recipiente que lo contiene este en
un ba
no Mara con agua conectado a una fuente de calor. En este caso particular esta fuente de temperatura
variable, corresponde a una parrilla electrica que modela
su gradiente de temperatura por voltaje (figura 3).
Figura 4. Montaje de la fase de bajas temperaturas.

De igual manera que el caso anterior, aqu tambien

se miden corrientes y voltajes para ambos diodos en
alguna temperatura fija. La cual, se logra fijando el sistema diodo-termopar a una distancia del nitrogeno lquido.

Figura 3. Montaje de la fase de altas temperaturas.

Ahora, con el sistema de medici

on ya armado, los que
hay que hacer entonces es realizar medidas de corriente y
voltaje del diodo semiconductor a una temperatura fija.
Para ello, se debe regular el voltaje de la parrilla que
caliente el agua que rodea al diodo inmerso en aceite. Lo
anterior se debe ya que se desea hacer un ajuste de datos

Una vez realizado lo anterior, lo que sigue es determinar la brecha energetica de cada diodo semiconductor y
para ello se debe de hacer un analisis grafico de las mediciones a bajas temperaturas de Corriente vs Voltaje para
una temperatura dada. Es decir, se escoge una corriente
fija del conjunto de graficas de I vs V y se ve entonces la
interseccion de los puntos de voltaje a las de las gr
aficas
(isotermas) a esa corriente. Con esto, uno puede obtener una relacion entre el Voltaje y la Temperatura en la
cual, por medio del ajuste de recta, se puede determinar
la brecha energetica del semiconductor por medio de la
ordenada al origen del ajuste lineal.

5
III.

Resultados y an
alisis

A.

Diodo negro

Como se mencion
o en la secci
on anterior, para este
caso el diodo correspondiente est
a inmerso en aceite que
se calienta por medio de un ba
no Mara. En este caso,
se miden las corrientes y voltajes de cada diodo a ciertas
temperaturas. Para observar las mediciones se muestra
el siguiente conjunto de gr
aficas:

Figura 7. Diodo negro a -3.

Figura 5. Diodo negro a -129.

Figura 8. Diodo negro a 5.

Figura 6. Diodo negro a -47.

Figura 9. Diodo negro a 18.

Figura 10. Diodo negro a 50.

Figura 13. Diodo negro a 81.

Ajustando exponenciales a cada una de estas gr

aficas
y realizando un promedio se obtiene el valor

hi = 1.48423 0.69300

B.

Figura 11. Diodo negro a 60.

Figura 12. Diodo negro a 71.

Diodo naranja

El procedimiento anterior se repitio para el diodo color

naranja con el que se tienen las siguientes graficas:

Figura 14. Diodo naranja a -129.

Figura 18. Diodo naranja a 54.

Figura 15. Diodo naranja a -58.

Figura 19. Diodo naranja a 60.

Figura 16. Diodo naranja a -20.

Figura 17. Diodo naranja a 18.

Figura 20. Diodo naranja a 70.

8
Haciendo lo mismo que en el caso anterior se obtiene
que
hi = 1.03999 0.45123

C.

Brechas

Una vez calculado el factor de idealidad, se debe calcular entonces el valor de la brecha de energa. Para ello
usamos la siguiente ecuacion


Eg
kb T
BT 3
V =

ln
,
(10)
e
e
I
Figura 21. Diodo naranja a 81.

donde B es una constante y para un valor definido de

I, el logaritmo natural de la expresion de la parte de
arriba, puede considerarse constante ya que conocemos
por ahora la temperatura. Sin embargo, la expresi
on
refleja manifiestamente una relacion entre el voltaje y la
temperatura.
De esta manera, al medir corriente contra voltaje en
temperaturas bajas se puede obtener una familia de gr
aficas I contra V en donde es posible hallar voltajes relacionados a una corriente para temperaturas diferentes. Y
usar la ecuacion 10 para obtener el valor de la brecha
buscada.
Haciendo esto obtenemos una brecha energetica de
Eg = 1.3342 19.125 %eV
para el diodo negro, y
Eg = 0.5963 9.2515 %eV

Figura 22. Diodo naranja a 90.

para el diodo naranja, lo que confirma nuestra sospecha

de que eran diodos de silicio y germanio respectivamente,
dado que los valores que tienen oficialmente son 1.12 eV
y 0.66 eV respectivamente.

IV.

Conclusiones

Podemos ver que si bien no se obtuvieron los valores

reportados, se obtienen valores aceptables para la brecha
energetica de cada material, y dentro de un rango
ligeramente burdo nos permite identificar el material de
sendos diodos.

Figura 23. Diodo naranja a 120.

Se observa tambien que el comportamiento del semiconductor depende en gran medida de la temperatura a
la cual funciona; hecho mencionado en la introducci
on.
Ademas se puede ver a partir de las graficas que el comportamiento exponencial es mas facil de ver si el diodo
esta trabajando a una temperatura alta.

[1] Los a
tomos de impureza donantes tienen m
as electrones de
valencia que los a
tomos que remplazan en la red cristalina
del semiconductor intrnseco.
[2] Con menos electrones en la banda de valencia que los a
to-

mos a los cuales reemplazan.

[3] R. Enderlein and N. J. Horing, Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices (World Scientific, 1997).