内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。
内存的运行决定计算机整体运行快慢。
- 中文名
- 内存
- 外文名
- Memory
- 别 名
- 内存储器
- 所 属
- 计算机配套硬件
- 接口类型
- DIP、SIMM、DIMM
- 技术指标
- 内存容量、存取时间、延迟
产品介绍
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发展
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内存条
内存芯片的状态一直沿用到286初期。鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对计算机的发展造成了现实的阻碍。
80286主板刚推出时，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank。
正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM内存是内存领域的开山鼻祖。 [3]
随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代。此时，CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了。
72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用。由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。 [3]
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条。EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器）极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面。
不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展。此时单条EDO内存的容量已经达到4 ～16MB。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用。 [3]
SDRAM
自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了。内存技术必须彻底得到革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。 [3]
第一代SDRAM内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz。所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着，133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。
由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此，它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，速度明显超越EDO 内存。 [3]
Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 [3]
Rambus DRAM内存被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏。Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，内存带宽在当时相当出色。如：PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。 [3]
Rambus RDRAM内存生不逢时，依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位。当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴。
发生的种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。 [3]
DDR时代
2017年还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过渡。而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。 [3]
DDR2时代
随着CPU 性能的不断提高，大众对内存性能的要求也逐步提高。
依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。 [3]
此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。
目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。 [3]
RDRAM时代
Intel推出PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽不能满足更大的需求。而PC-133的带宽提高并不大（1064MB/s），同样不能满足日后的发展需求。
Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。 [3]
Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
Rambus使用400MHz的16bit总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。
另外，Rambus也可以储存9bit字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC (ErroI Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块），减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。
DDR3时代
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： [3]
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。 [3]
DDR4时代
新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling（传统SE信号）方式DifferentialSignaling（差分信号技术）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。
现在有3200Mhz的ddr4和4266Mhz的LPDDR4
预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。 [3]
第二代HBM3
2023年7月消息，美光宣布已出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，基于1β DRAM制程节点高带宽内存（HBM）解决方案，带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比现有HBM3解决方案性能可提升最高50%。美光介绍，第二代HBM3产品与前一代产品相比，每瓦性能提高2.5倍，可帮助缩短大型语言模型（如GPT-4及更高版本）的训练时间，降低总体拥有成本（TCO）。 [8]
分类
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内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。（synchronous）SDRAM同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。
按工作原理分类
现在比较流行的只读存储器是闪存( Flash Memory)，它属于 EEPROM(电擦除可编程只读存储器)的升级，可以通过电学原理反复擦写。现在大部分BIOS程序就存储在 FlashROM芯片中。U盘和固态硬盘(SSD)也是利用闪存原理做成的。 [4]
随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。
我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有4G,8G,16G,32G等。
RAM分为两种：DRAM和SRAM。 [4]
- 1.
- 2.
Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存（L1 Cache）、二级缓存（L2 Cache）、三级缓存（L3 Cache）这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。 [4]
按内存技术标准分类
1)SDRAM
(Synchronous Dynamic RAM，同步动态随机存储器)采用3.3V工作电压，内存数据位宽64位。 SDRAM与CPU通过一个相同的时钟频率锁在一起，使两者以相同的速度同步工作。 SDRAM它在每一个时钟脉冲的上升沿传输数据SDRAM内存金手指为168脚。 [4]
SDRAM内存有以下几种：PC66/100/133150/166，核心频率分别为66MHz，100Mz133MHz，150MHz，166MHz。时钟频率、等效频率与核心频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最高为 166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。 [4]
相关概念
- 等效频率：又称等效数据传输频率，它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。 [4]
( Double data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)采用2.5V工作电压，内存数据位宽64位。 DDR SDRAM (简称DDR内存)一个时钟脉冲传输两次数据，分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此称为双倍速率的SDRAM。 [4]
DDR内存金手指为184脚。DDR内存有以下几种:：DDR 200 / 266 / 333/ 400 / 500。核心频率与时钟频率相等，分别为100 MHz， 133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 250 MHz，等效频分别为200 MHz， 266 MHz， 333 MHz， 400 MHz， 500 MHz，请注意， DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍，因为DDR内存是双倍速率工作的。DDR内存核心采用2位数据预读取，也就是一次(一个脉冲)取2位。 [4]
而DDR内存核心频率等于时钟频率，等效频率是时钟频率的2倍，所以内存核心一次(一个脉冲)取出的数能及时地一次(一个脉冲)传输出去。单根DDR内存数据传输带宽最高为500 MHz×64 bit 8-4 GB/s。 [4]
3)DDR2 SDRAM
(Double Data Rate 2 SDRAM)采用1.8V工作电压，内存数据位宽64位。 DDR2内存和DDR内存一样，一个时钟脉冲传输两次数据，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存的预读取能力，即4位数据预读取。 [4]
DDR 2内存金手指为240脚。DDR2内存有以下几种: DDR2 533 / 667 / 800 / 1066。核心频率分别为133 MHz， 166 MHz， 200 MHz， 266 MHz，时钟频率分别为: 266 MHz，333 MHz， 400 MHz， 533 MHz，等效频率分别为533 MHz， 667 MHz， 800 MHz， 1066 MHz。 [4]
前面已经说过， DDR2内存核心采用4位数据预读取，也就是一次(一个脉冲)取4位，如果和上一代DDR内存一样，时钟频率与核心频率相等，等效频率是时钟频率2倍的话，就无法及时地将取出的数传输出去；所以DDR 2内存的时钟频率是核心频率的2倍，这样才能将相同时间间隔内从内存核心取出的数，在相同时间间隔内传输出去。 [4]
DDR 3内存有以下几种: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核心频率分别为133 MHz，166 MHz， 200 MHz， 225 MHz， 250 MHz，时钟频率分别分533 MHz， 667 MHz， 800 MHz，900 MHz， 1000 MHz，等效频率分别为: 1066 MHz， 1333 MHz， 1600 MHz， 1800 MHz，2000 MHz。单根DDR3内存的数据传输带宽最高为2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。 [4]
5) DDR4 SDRAM
(Double Data Rate 4 SDRAM)采用1.2V工作电压，内存数据位宽64位， 16位数据预读取。取消双通道机制，一条内存即为一条通道。工作频率最高可达4266 MHz，单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34 GB/s。 [4]
按系统逻辑分类
1）扩充内存
到1984年，即286被普遍接受不久，人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍，这时，Intel和Lotus，这两家硬、软件的杰出代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案，此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久，对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列。 [5]
所以，现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以，扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。 [5]
前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了页帧方式。页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器），分为4页，每页16KB。EMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容，以此方式可访问全部EMS存储器。
2）扩展内存
在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式。在实方式下，物理地址仍使用20位，所以最大寻址空间为1MB，以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址，寻址范围可达4GB。
DOS系统在实方式下工作，它管理的内存空间仍为1MB，因此它不能直接使用扩展存储器。为此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。 [6]
扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。
3）高端内存区
我们把它称为高端内存区HMA（High Memory Area）。HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA，必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持，因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。 [5]
4）上位内存
为了解释上位内存的概念，我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指640KB～1024KB（共384KB）区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的，用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用，因此大家都想对剩余的部分打主意，分一块地址空间（注意：是地址空间，而不是物理存储器）来使用。于是就得到了又一块内存区域UMB。 [5]
UMB（Upper Memory Blocks）称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的，它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器，它的管理驱动程序是EMS驱动程序。 [5]
5）影子内存
当把ROM中的内容（各种BIOS程序）装入相同地址的Shadow RAM中，就可以从RAM中访问BIOS，而不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能。因此在设置CMOS参数时，应将相应的Shadow区设为允许使用（Enabled）。 [5]
- 总结
经过上面分析，内存储器的划分可归纳如下： [5]
●EMS内存符合EMS规范管理的扩充内存区。其驱动程序为EMM386.EXE等。 [5]
其他类型
- SRAM
SRAM（Static RAM）意为静态随机存储器。SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。 [5]
SRAM目前发展出的一个分支是eSRAM（Enhanced SRAM），为增强型SRAM，具备更大容量和更高运行速度。 [5]
- RDRAM
然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。因此，除了短寿的Intel i820和i850芯片组对其提供支持外，PC平台没有支持RAMBUS内存的芯片组。
可以说，它是一个优秀的技术，但不是一个成功的商业产品。 [5]
- XDR RAM
XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写。
- Fe-RAM
铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。 [5]
- MRAM
- OUM
奥弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文，创立了非晶体半导体学。一年以后，他首次描述了基于相变理论的存储器：材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。 [5]
接口类型
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DIP
DIP是"Dual n-Line Package"的缩写，即双列直插内存芯片，它的常见单片容量有256KB，IMB等几种。但现在内存发展这么快，哪里还会是几百KB和几兆容量的内存? 因此DIP接口早已经是淘汰了的内存接口。 [7]
SIMM
SIMM是"Singleln-Line Memory Module"的缩写，即单列直插内存模块，这是5x86及较早的PC机中常用的内存接口方式。在更早的PC机中(486以前)，多采用30针的SIMM接口，而在Pentium级别的机器中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。72线的内存条体积稍大，并提供32位的有效数据位，常见容量有4MB.8MB， 16MB和32MB。 [7]
DIMM
DRAM内存通常为72线的， SDRAM内存通常为168线的，而EDO RAM内存则既有72线的，也有168线的。人们经常用内存的管线数来称呼内存。但需要注意的是，并非只有SDRAM内存是168线的，某些SIMM型内存也具有168线。SIMM的工作电压是5v，DIMM的工作电压是3.3v。 [7]
技术指标
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奇偶校验
如果是采用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当原来数据序列中“1”的个数为奇数时，这个校验位就是“0”，否则这个校验位就是“1”，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示传送错误。 [7]
内存容量
1024B=1KB=1024字节=210字节
1024KB=1MB=1048576字节=220字节
1024MB=1GB=1073741824字节=230字节
1024GB=1TB=1099511627776字节=240字节
1024TB=1PB=1125899906842624字节=250字节
1024PB=1EB=115 292150 4606846976字节=260字节
1024EB=1ZB=1180591620717411303424字节=270字节
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字节=280字节 [7]
内存条通常有 64MB、128MB、256MB等容量级别。从这个级别可以看出，内存条的容量都是翻倍增加的，也就是若内存条容量为512MB，则意味着再往下发展就将为1024MB了。 [7]
存取时间
当内存的存取时间是10ns时，它的时钟频率最高可达100MHz，也就是说可以配合100MHz外频的主板使用；当存取时间是7ns时，时钟频率最高可达142MHz，这时主板的外频可以上到133MHz以上。
不过目前市场上印有“-8"、“-7"甚至“-6"的内存条，不少都达不到它所标称的指标。 [7]
CL延迟
打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。
同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。
频率
晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。 [7]
DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。
例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。 [7]
带宽
从功能上理解，我们可以将内存看作是内存控制器（一般位于北桥芯片中）与CPU之间的桥梁或与仓库。显然，内存的容量决定“仓库”的大小，而内存的带宽决定“桥梁”的宽窄，两者缺一不可，这也就是我们常常说道的“内存容量”与“内存速度”。
除了内存容量与内存速度，延时周期也是决定其性能的关键。当CPU需要内存中的数据时，它会发出一个由内存控制器所执行的要求，内存控制器接著将要求发送至内存，并在接收数据时向CPU报告整个周期（从CPU到内存控制器，内存再回到CPU）所需的时间。 [7]
毫无疑问，缩短整个周期也是提高内存速度的关键，这就好比在桥梁上工作的警察，其指挥疏通能力也是决定通畅度的因素之一。
- 带宽重要性
基本上当CPU接收到指令后，它会最先向CPU中的一级缓存（L1Cache）去寻找相关的数据，虽然一级缓存是与CPU同频运行的，但是由于容量较小，所以不可能每次都命中。
由于目前系统处理的数据量都是相当巨大的，因此几乎每一步操作都得经过内存，这也是整个系统中工作最为频繁的部件。
如此一来，内存的性能就在一定程度上决定了这个系统的表现，这点在多媒体设计软件和3D游戏中表现得更为明显。3D显卡的内存带宽（或许称为显存带宽更为合适）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系统的内存带宽更为明显。
大家知道，显示卡在进行像素渲染时，都需要从显存的不同缓冲区中读写数据。这些缓冲区中有的放置描述像素ARGB（阿尔法通道，红，绿，蓝）元素的颜色数据，有的放置像素Z值（用来描述像素的深度或者说可见性的数据）。
- 提高内存带宽
- 识别内存带宽
一般来说，我们可以从显存颗粒上一串编号的最后2两位看出其纳秒数，从中也就得知其显存频率。
选购方法
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做工要精良
对于选择内存来说，最重要的是稳定性和性能，而内存的做工水平直接会影响到性能、稳定以及超频。
内存颗粒的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。所以大家在购买时，尽量选择大厂生产出来的内存颗粒。
一般常见的内存颗粒厂商有三星、现代、镁光、南亚、茂矽等，它们都是经过完整的生产工序，因此在品质上都更有保障。而采用这些顶级大厂内存颗粒的内存条品质性能，必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多。 [7]
SPD隐藏信息
SPD信息可以说非常重要，它能够直观反映出内存的性能及体制。它里面存放着内存可以稳定工作的指标信息以及产品的生产，厂家等信息。
因此，大家在购买内存以后，回去用常用的Everest、CPU-Z等软件一查即可明白。不过需要注意的是，对于大品牌内存来说SPD参数是非常重要的，但是对于杂牌内存来说，SPD的信息并不值得完全相信。 [7]
假冒返修产品
目前有一些内存往往使用了不同品牌、型号的内存颗粒，大家一眼就可以看出区别。同时有些无孔不入的JS也会采用打磨内存颗粒的作假手段，然后再加印上新的编号参数。不过仔细观察，就会发现打磨过后的芯片比较暗淡无光，有起毛的感觉，而且加印上的字迹模糊不清晰。这些一般都是假冒的内存产品，需要注意。 [7]
需要提醒大家的是，返修和假冒内存无论多么便宜都不值得购买，因为其安全隐患十分严重。 [7]
故障修复
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1、开机无显示
4、windows经常自动进入安全模式
此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起，常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上，可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题，如若不行，那就只有更换内存条了。 [1]
5、随机性死机
此类故障一般是由于采用了几种不同芯片的内存条，由于各内存条速度不同产生一个时间差从而导致死机，对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决，否则，唯有使用同型号内存。还有一种可能就是内存条与主板不兼容，此类现象一般少见，另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性死机，此类现象倒是比较常见。 [1]
7、windows启动时，在载入高端内存文件himem.sys时系统提示某些地址有问题
9、从硬盘引导安装windows进行到检测磁盘空间时，系统提示内存不足
此类故障一般是由于内存条损坏造成，可以按内存维修一法来解决，如若不行，那就只有更换内存条了。 [1]
11、启动windows时系统多次自动重新启动
12、内存维修一法
常见误解
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内部外存储器
这种情况主要是发生在描述移动设备的内部集成的数据存放空间时。比如一台手机具备512G的数据存储空间，不少人将其描述为“512G内存”，事实上，这种表述是错误的，因为所谓的“512G内存”是一个外存储器。不能将“内部的外存储器”简称为”内存，因为内存是一个特定的概念，为内存储器的简称。 [1]
