最近项目需要用到nand flash,把nand flash和sdram学习记录总结了一下
NAND FLASH
NAND FLASH 存储分为块，每个数块又分为多个页
块为NAND FLASH擦除的最小单位，页为NAND FLASH写入的最小单位
NAND flash写入之前必须执行擦除，这是因为写入NAND flash时只能将存储单元从“1”变为“0”而不能从“0”变为“1”，写入之前擦除操作就是将所有的存储单元都置1。
NAND flash只能按页读、写。最初NAND flash数据读、写容易出错，所以为了保证数据的正确行，必须要有对应的检测和纠错机制
NAND FLASH 存储结构
Die（芯片） → Plane（平面） → Block（块） → Page（页）→ sector（扇区）
以W29N01GVSIAA为例
扇区：512B
页：2KB
块:128KB
平面(Plane): 128*1024KB = 128MB
页读命令
当设备开机时，“00h”命令被锁定到命令寄存器。因此，程序中只需发送地址然后发送“30h”命令进行设备的初始读取。当然也可以按照完整的“页”读流程，首先发送“00h”命令，之后发送地址，最后发送“30h”命令。发送“30h”命令之后，在tR时间内数据从NAND flash存储区复制到了NAND flash数据缓冲区，之后就可以向单片机输出数据了
ID读取命令
要进入ID 模式首先要向nannd-flash 发送“90h”命令。进入ID 模式之后根据输地址不同后面的
读ID 命令将会有所不同
块擦除命令
nand_flash 只能整块擦除
向nand_flash 写入擦除命令“60h”如图29‑6 标号① 所示，然后写入要擦除的地址，如② 所示。
写入要擦除的地址后nand_flash 并不会立即执行擦除工作，在#WE 的上升沿写入“D0h”命令之
后擦除操作才能开始。在擦除过程中RY/#BY 为低电平，并且开启擦除之后可以通过发送“70h”
命令查看当前擦除状态，如果状态寄存器Bit6 为1 表示擦除完成
坏块标记和ECC校验
坏块标记： 由于 NAND FLASH 存储器存在擦写次数限制，当某个块的擦写次数达到一定阈值后，就会出现坏块。因此，需要在初始化阶段进行坏块识别和标记。一种常见的方法是使用块擦除前后的校验方式，如果块在擦除后的状态与预期不符，则将其标记为坏块，并记录在特定的坏块表中。FTL（Flash Translation Layer）层可以负责管理坏块信息，并在进行数据存储时避开这些坏块
ECC校验： ECC（Error Correction Code）校验用于检测和纠正数据在读取过程中出现的错误。在写入数据时，需要使用特定的算法计算出数据的 ECC 值，并将其与数据一同存储在 NAND FLASH 中的备用区域。在读取数据时，将数据和相应的 ECC 值一同读出，并使用相同的算法重新计算 ECC 值。然后，将重新计算的 ECC 值与存储的 ECC 值进行比较。如果两者相符，表示数据未发生错误；如果不符，则表示数据发生了错误。根据错误的严重程度，可以选择进行错误纠正或者丢弃数据
逻辑地址-物理地址转换表(LUT表)： 将逻辑地址映射到物理地址，确保不指向坏块的物理地址
保留区： 替代坏块 ；实现磨损均衡
ECC校验： 常用ECC算法：汉明码，RS码，BCH码
NAND句柄结构体
typedef struct
{
FMC_NAND_TypeDef *Instance; /*!< Register base address */
FMC_NAND_InitTypeDef Init; /*!< NAND device control configuration parameters */
HAL_LockTypeDef Lock; /*!< NAND locking object */
__IO HAL_NAND_StateTypeDef State; /*!< NAND device access state */
NAND_InfoTypeDef Info; /*!< NAND characteristic information structure */
}NAND_HandleTypeDef;
NAND FLASH驱动步骤
1.配置FMC
2.设置NANDFLASH相关参数，调用HAL_NAND_Init()
3.使能存储区域的操作，__FMC_NAND_ENABLE()
4.访问NAND FLASH：根据操作规范，向其发送命令，地址，数据
exp:写入数据封装函数：
/**
* @brief 在NAND一页中写入指定个字节的数据(main区和spare区都可以使用此函数)
* @param PageNum : 要写入的页地址,范围:0~(block_pagenum*block_totalnum-1)
* @param ColNum : 要写入的列开始地址(也就是页内地址),范围:0~(page_totalsize-1)
* @param pBbuffer : 指向数据存储区
* @param NumByteToWrite: 要写入的字节数，该值不能超过该页剩余字节数！！！
* @retval 0,成功; 其他,错误代码
*/
uint8_t NAND_WritePage(uint32_t PageNum,uint16_t ColNum,uint8_t *pBuffer,uint16_t NumByteToWrite)
{
__IO uint16_t i=0;
uint8_t res=0;
uint8_t eccnum=0; //需要计算的ECC个数，每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
uint8_t eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE0;
//发送地址
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)ColNum;
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)(ColNum>>8);
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)PageNum;
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)(PageNum>>8);
NAND_Delay(30);//等待tADL
if(NumByteToWrite%NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍，不进行ECC校验
{
for(i=0;i<NumByteToWrite;i++) //写入数据
{
*(__IO uint8_t*)NAND_ADDRESS=*(__IO uint8_t*)pBuffer++;
}
}else
{
eccnum=NumByteToWrite/NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数
eccstart=ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
for(res=0;res<eccnum;res++)
{
FMC_Bank3->PCR|=1<<6; //使能ECC校验
for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //写入NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
{
*(__IO uint8_t*)NAND_ADDRESS=*(__IO uint8_t*)pBuffer++;
}
while(!(FMC_Bank3->SR&(1<<6))); //等待FIFO空
nand_dev.ecc_hdbuf[res+eccstart]=FMC_Bank3->ECCR; //读取硬件计算后的ECC值
FMC_Bank3->PCR&=~(1<<6); //禁止ECC校验
}
i=nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //计算写入ECC的spare区地址
NAND_Delay(30);//等待
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=0X85; //随机写指令
//发送地址
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)i;
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=(uint8_t)(i>>8);
NAND_Delay(30);//等待tADL
pBuffer=(uint8_t*)&nand_dev.ecc_hdbuf[eccstart];
for(i=0;i<eccnum;i++) //写入ECC
{
for(res=0;res<4;res++)
{
*(__IO uint8_t*)NAND_ADDRESS=*(__IO uint8_t*)pBuffer++;
}
}
}
*(__IO uint8_t*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_WRITE_TURE1;
if(NAND_WaitForReady()!=NSTA_READY)
{
return NSTA_ERROR;//失败
}
return 0;//成功
}
SDRAM
SDRAM控制引脚说明
SDRAM内部包含的存储阵列(Bank)可理解为一张表格
SDRAM 芯片向外部提供有独立的BA类地址线用于Bank寻址，而行与列则共用A类地址线
SDRAM的命令表
1.命令禁止: 用于禁止SDRAM执行新的命令，但它不能停止当前正在执行的命令
2.空操作： 用于选中SDRAM，以便接下来发送命令
3.行有效： 进行存储单元寻址时，需要先选中要访问的Bank 和行，使它处于激活状态
4.列读写： 行地址通过“行有效”命令确定后，就要对列地址进行寻址了。“读命令”(READ) 和“写命令”(WRITE) 的时序很相似，见读取命令时序，通过共用的地址线A 发送列地址，同时使用WE引脚表示读/写方向，WE 为低电平时表示写，高电平时表示读。数据读写时，使用DQM 线表示有效的DQ数据线
5.预充电： SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一个Bank 的另一行进行寻址，就要将原来有效（ACTIVE）的行关闭，重新发送行/列地址。Bank关闭当前工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）
6.刷新： SDRAM 要不断进行刷新(Refresh) 才能保留住数据，因此它是DRAM 最重要的操作。刷新有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保证那些久久没被访问的存储单元数据正确
SDRAM的初始化流程
(1) 给SDRAM 上电，并提供稳定的时钟，至少100us；
(2) 发送“空操作”(NOP)
(3) 发送“预充电”(PRECHARGE) 命令，控制所有Bank 进行预充电
(4) 发送至少2 个“自动刷新”(AUTO REFRESH) 命令
(5) 发送“加载模式寄存器”(LOAD MODE REGISTER) 命令，配置SDRAM 的工作参数，并等
待tMRD 时间，tMRD 表示加载模式寄存器命令与行有行或刷新命令之间的延迟；
(6) 初始化流程完毕，可以开始读写数据。
SDRAM 的读写流程
(1) 发送“行有效”(ACTIVE) 命令，发送命令的同时包含行地址和Bank 地址
(2) 发送“读/写”(READ/WRITE) 命令，在发送命令的同时发送列地址，完成寻址的地址输入
(3) 发送第二次“行有效”(ACTIVE) 命令准备读写下一个数据
FMC:可变存储控制器用于驱动包括SRAM、SDRAM、NOR FLASH 以及NAND FLSAH 类型
NOR/PSRAM/SRAM 设备使用相同的控制器，NAND/PC 卡设备使用相同的控制器，而SDRAM 存储器使用独立的控制器。不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式
SDRAM控制器
FMC_SDCR 控制寄存器可配置SDCLK 的同步时钟频率、突发读使能、写保护、CAS 延迟、行列地址位数以及数据总线宽度等。
FMC_SDTR 时序寄存器用于配置SDRAM 访问时的各种时间延迟，如TRP 行预充电延迟、TMRD
加载模式寄存器激活延迟等。
FMC_SDCMR 命令模式寄存器用于存储要发送到SDRAM 模式寄存器的配置，以及要向SDRAM
芯片发送的命令。
FMC_SDRTR 用于配置SDRAM 的自动刷新周期
FMC地址映射
FMC 连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据，这种地址访问与I2C EEPROM、SPI FLASH 的不一样，后两种方式都需要控制I2C 或SPI 总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令
而使用FMC 外接存储器时，其存储单元是映射到STM32 的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容，FMC 外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的操作不需要程序控制
SDRAM时序结构体
/* @brief 控制 SDRAM 的时序参数，这些参数的单位都是“周期”
* 各个参数的值可设置为 1-16 个周期。 */
typedef struct
{
uint32_t LoadToActiveDelay; /*TMRD: 加载模式寄存器命令后的延迟 */
uint32_t ExitSelfRefreshDelay; /*TXSR: 自刷新命令后的延迟 */
uint32_t SelfRefreshTime; /*TRAS: 自刷新时间 */
uint32_t RowCycleDelay; /*TRC: 行循环延迟 */
uint32_t WriteRecoveryTime; /*TWR: 恢复延迟 */
uint32_t RPDelay; /*TRP: 行预充电延迟 */
uint32_t RCDDelay; /*TRCD: 行到列延迟 */
} FMC_SDRAM_TimingTypeDef
SDRAM初始化结构体
/* @brief FMC SDRAM 初始化结构体类型定义 */
typedef struct
{
uint32_t Bank; /* 选择 FMC 的 SDRAM 存储区域 */
uint32_t ColumnBitsNumber; /* 定义 SDRAM 的列地址宽度 */
uint32_t RowBitsNumber; /* 定义 SDRAM 的行地址宽度 */
uint32_t MemoryDataWidth; /* 定义 SDRAM 的数据宽度 */
uint32_t InternalBankNumber; /* 定义 SDRAM 内部的 Bank 数目 */
uint32_t CASLatency; /* 定义 CASLatency 的时钟个数 */
uint32_t WriteProtection; /* 定义是否使能写保护模式 */
uint32_t SDClockPeriod; /* 配置同步时钟 SDCLK 的参数 */
uint32_t ReadBurst; /* 是否使能突发读模式 */
uint32_t ReadPipeDelay; /* 定义在 CAS 个延迟后再等待多少个 HCLK 时钟才读取数据 */
} FMC_SDRAM_InitTypeDef;
(1) Bank
本成员用于选择 FMC 映射的 SDRAM 存储区域，可选择存储区域 1 或 2
(FMC_SDRAM_BANK1/FMC_SDRAM_BANK2)。
(2) ColumnBitsNumber
本 成 员 用 于 设 置 要 控 制 的 SDRAM 的 列 地 址 宽 度， 可 选 择 8-11 位
(FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8/9/10/11b)。
(3) RowBitsNumber
本成员用于设置要控制的 SDRAM 的行地址宽度，可选择设置成 11-13 位
(FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_11/12/13b)。
(4) MemoryDataWidth
本成员用于设置要控制的 SDRAM 的数据宽度，可选择设置成 8、16 或 32 位
(FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_8/16/32b)。
(5) InternalBankNumber
本成员用于设置要控制的 SDRAM 的内部 Bank 数目，可选择设置成 2 或 4 个 Bank 数目(FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_2/4)，请注意区分这个结构体成员与Bank 的区别。
(6) CASLatency
本成员用于设置 CASLatency 即 CL 的时钟数目，可选择设置为 1、2 或 3 个时钟周期
(FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_1/2/3)。
(7) WriteProtection
本成员用于设置是否使能写保护模式，如果使能了写保护则不能向SDRAM 写入数据，正
常使用都是禁止写保护的。
(8) ClockPeriod
本成员用于设置 FMC 与外部 SDRAM 通讯时的同步时钟参数，可以设置成 STM32
的 HCLK 时钟频率的 1/2、1/3 或禁止输出时钟 (FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2/3 或
FMC_SDRAM_CLOCK_DISABLE)。
(9) ReadBurst
本成员用于设置是否使能突发读取模式，禁止时等效于BL=1，使能时BL 的值等于模式寄
存器中的配置。
(10) ReadPipeDelay
本成员用于配置在CASLatency 个时钟周期后，再等待多少个HCLK 时钟周期才进行
数据采样，在确保正确的前提下，这个值设置为越短越好，可选择设置的参数值为0、
1 或2 个HCLK 时钟周期(FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0/1/2)。
配置完SDRAM 初始化结构体后，调用FMC_SDRAMInit 函数把这些配置写入到FMC 的SDRAM
控制寄存器及时序寄存器，实现FMC 的初始化。
SDRAM命令结构体
typedef struct
{
uint32_t CommandMode; /* 要发送的命令 */
uint32_t CommandTarget; /* 目标存储器区域 */
uint32_t AutoRefreshNumber; /* 若发送的是自动刷新命令，
此处为发送的刷新次数，其它命令时无效 */
uint32_t ModeRegisterDefinition; /* 若发送的是加载模式寄存器命令，此处为要写入 SDRAM 模式寄存器的参数 */
} FMC_SDRAM_CommandTypeDef;
(1) CommandMode
本成员用于配置将要发送的命令，它可以被赋值为表26‑4 中的宏，这些宏代表了不同命令;
表26‑4 FMC 可输出的SDRAM 控制命令
宏 命令说明
FMC_SDRAM_CMD_NORMAL_MODE 正常模式命令
FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE 使能CLK 命令
FMC_SDRAM_CMD_PALL 对所有Bank 预充电命令
FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE 自动刷新命令
FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE 加载模式寄存器命令
FMC_SDRAM_CMD_SELFREFRESH_MODE 自我刷新命令
FMC_SDRAM_CMD_POWERDOWN_MODE 掉电命令
(2) CommandTarget
本成员用于选择要控制的 FMC 存储区域，可选择存储区域 1 或 2 或 1 和
2(FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1/2，FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1_2);
(3) AutoRefreshNumber
有时需要连续发送多个“自动刷新”(Auto Refresh) 命令时，配置本成员即可控制它发送多
少次，可输入参数值为1-16，若发送的是其它命令，本参数值无效。如CommandMode 成
员被配置为宏FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE，而AutoRefreshNumber 被设置
为2 时，FMC 就会控制发送2 次自动刷新命令。
(4) ModeRegisterDefinition
当向 SDRAM 发送加载模式寄存器命令时，这个结构体成员的值将通过地址线发送到
SDRAM 的模式寄存器中，这个成员值长度为 13 位，各个位一一对应 SDRAM 的模式寄
存器。
配置完这些结构体成员，调用库函数 HAL_SDRAM_SendCommand 即可把这些参数写入到
FMC_SDCMR 寄存器中，然后FMC 外设就会发送相应的命令了
初始化SDRAM
void SDRAM_Init(void)
{
//FMC_SDRAMInitTypeDef FMC_SDRAMInitStructure;
// FMC_SDRAMTimingInitTypeDef FMC_SDRAMTimingInitStructure;
/* 配置FMC接口相关的 GPIO*/
SDRAM_GPIO_Config();
/* 使能 FMC 时钟 */
__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE();
// RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FMC, ENABLE);
// /* 配置 FMC 相关参数 ---------------------------------------------------------*/
// /* SDCLK： 90 Mhz (HCLK/2 :180Mhz/2) */
// /* TMRD: 2 Clock cycles */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_LoadToActiveDelay = 2;
// /* TXSR: min=70ns (7x11.11ns) */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_ExitSelfRefreshDelay = 7;
// /* TRAS: min=42ns (4x11.11ns) max=120k (ns) */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_SelfRefreshTime = 4;
// /* TRC: min=70 (7x11.11ns) */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_RowCycleDelay = 7;
// /* TWR: min=1+ 7ns (1+1x11.11ns) */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_WriteRecoveryTime = 2;
// /* TRP: 20ns => 2x11.11ns */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_RPDelay = 2;
// /* TRCD: 20ns => 2x11.11ns */
// FMC_SDRAMTimingInitStructure.FMC_RCDDelay = 2;
///* FMC SDRAM 控制配置 */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_Bank = FMC_BANK_SDRAM;
// /* 行地址线宽度: [7:0] */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_ColumnBitsNumber = FMC_ColumnBits_Number_8b;
// /* 列地址线宽度: [11:0] */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_RowBitsNumber = FMC_RowBits_Number_12b;
// /* 数据线宽度 */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_SDMemoryDataWidth = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
// /* SDRAM内部bank数量*/
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_InternalBankNumber = FMC_InternalBank_Number_4;
// /* CAS潜伏期 */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_CASLatency = SDRAM_CAS_LATENCY;
// /* 禁止写保护*/
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_WriteProtection = FMC_Write_Protection_Disable;
// /* SDCLK时钟分频因子，SDCLK = HCLK/SDCLOCK_PERIOD*/
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD;
// /* 突发读模式设置*/
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_ReadBurst = SDRAM_READBURST;
// /* 读延迟配置 */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_ReadPipeDelay = FMC_ReadPipe_Delay_1;
// /* SDRAM时序参数 */
// FMC_SDRAMInitStructure.FMC_SDRAMTimingStruct = &FMC_SDRAMTimingInitStructure;
//
// /* FMC SDRAM bank initialization */
// FMC_SDRAMInit(&FMC_SDRAMInitStructure);
FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;
/** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence
*/
hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
/* hsdram1.Init */
hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK2;
hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;
hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;
hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;
hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_DISABLE;
hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;
/* SdramTiming */
SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;
SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 7;
SdramTiming.SelfRefreshTime = 4;
SdramTiming.RowCycleDelay = 7;
SdramTiming.WriteRecoveryTime = 2;
SdramTiming.RPDelay = 2;
SdramTiming.RCDDelay = 2;
HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming);
/* FMC SDRAM device initialization sequence */
SDRAM_InitSequence();
}
使用指针的方式访问SDRAM 存储器
exp
/*SDRAM 起始地址 存储空间 2 的起始地址 */
#define SDRAM_BANK_ADDR ((uint32_t)0xD0000000)
/*SDRAM 大小，8M 字节 */
#define W9825G6KH_SIZE 0x2000000 //2000000*16bits = 0x2000000 ，32M字节
uint32_t temp;
/* 向 SDRAM 写入 8 位数据 */
*( uint8_t*) (SDRAM_BANK_ADDR ) = (uint8_t)0xAA;
/* 从 SDRAM 读取数据 */
temp = *( uint8_t*) (SDRAM_BANK_ADDR );
/* 写/读 16 位数据 */
*( uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+10 ) = (uint16_t)0xBBBB;
temp = *( uint16_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+10 );
/* 写/读 32 位数据 */
*( uint32_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+20 ) = (uint32_t)0xCCCCCCCC;
temp = *( uint32_t*) (SDRAM_BANK_ADDR+20 );
直接指定变量存储到SDRAM 空间
exp
/*SDRAM 起始地址 存储空间 2 的起始地址 */
#define SDRAM_BANK_ADDR ((uint32_t)0xD0000000)
/* 绝对定位方式访问 SDRAM, 这种方式必须定义成全局变量 */
uint8_t testValue __attribute__((at(SDRAM_BANK_ADDR)));
testValue = 0xDD;
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