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原创 筑牢工业数据安全防线——瀚海微全国产工业级TF卡

杭州瀚海微科技有限公司全新推出的全国产化工业级TF卡，以自主可控的国产主控芯片与闪存晶圆为核心，结合军工级宽温设计、抗干扰能力及长寿命技术，为严苛环境下的工业场景提供全天候数据守护解决方案。：采用3D TLC闪存颗粒，支持高密度存储（8GB-128GB），满足工业设备长期循环写入需求，如生产线数据实时记录、车辆黑匣子日志存储等。：基于工业级闪存颗粒与强化电路设计，可在石油勘探井下高温、极地设备低温、车载设备震动等极端温度下稳定存储数据，避免因温差导致的存储失效。

原创 全国产化工业级SD NAND贴片式TF卡：工业智能化转型的国产芯力量

（型号覆盖8-64GB，支持PSLC/TLC闪存），以创新技术打破海外垄断，为船舶、航空、工业自动化等领域提供安全、稳定、低功耗的存储核心。在船舶导航记录仪、航空黑匣子中，该存储卡可长期耐受高湿度、强震动环境，确保航行数据、故障日志的零丢失，替代传统工业级TF卡，降低维护成本。在智能电网、储能系统中，该产品可稳定存储设备运行参数，支持边缘计算与AI数据分析，助力能源行业数字化转型。，TLC架构兼顾容量与性价比，数据保持力达10年以上，适配工业设备高频写入需求。，确保数据在震动、电磁干扰下的完整性。

原创 存储芯片的未来形态与光存储的实现展望

这些技术通过优化存储结构和算法，实现了更低的能耗和更高的能效比，为存储芯片的绿色发展提供了有力支持。虽然光存储技术的实现时间存在一定的不确定性，但随着技术的不断进步和市场的不断扩大以及政府和企业的积极支持和推动，我们有理由相信光存储技术将在未来发挥越来越重要的作用并为人类社会的发展做出更大的贡献。所以光存储技术的实现时间虽然存在一定的不确定性，但随着技术的不断进步和市场的不断扩大以及政府和企业的积极支持和推动，光存储技术有望在未来几年内实现商业化应用并逐步取代传统的存储技术成为主流存储技术之一。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（45）SD电路设计

为了将3伏轨道上的电压降至最小，47uF充当中间储层，为4.7uF电容器充电，电源开关未连接到3伏轨道时环绕。当卡刚与主机连接时，卡瞬间短路，电流从CH流向Cc，直到CH的电压与Cc相等，此时由于CH中充电的能量被移动到Cc，瞬间电压从Vop略有下降。本附录提供了一种使用安装在SD NAND附近的去耦电容来降低由浪涌电流引起的电压降的方法。但是，当开关将卡电源线接地时，作为短路，使充满电的4.7uF电容放电，产生较大的涌流。插在电源线上的去耦电容由于插在VDD和VSS之间的卡电容，SD卡插入时产生涌流。

原创 瀚海微 SD NAND 之 SD 协议（44）SD 协议的专业术语和命令缩写

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（43）SPI数据写入

卡在CS下降沿后1个时钟恢复忙音(pulling Dataout low)。电路接口与SD模式相同，除了可编程卡输出驱动程序选项，在SPI模式下不支持。在卡繁忙期间，主机可以随时(通过提高CS)取消选择卡(参考给定的时序图)。对于SDHC和SDXC卡，最大读访问时间应使用一个固定值(100ms)。要检查卡是否仍然繁忙，需要通过断言(设置为低)CS信号重新选择它。CS信号的时序与任何其他卡输入相同。在下一个命令的响应中指出最后一个数据响应令牌之后发生错误。多块写传输中的停止传输时间示意图如下图所示。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（42）SPI总线时序

在(2)的情况下，读到最后一个块后，主机收到数据错误令牌(out of range Error)。下面的时序图描述了R1b响应的命令响应事务(例如SET_WRITE_PROT和ERASE)。单块读操作的时序图下面是除SEND_CSD和SEND_CID命令外的所有单块读操作的时序图。但是，如果成功接收到数据错误令牌之前的数据块，则可以认为它是有效的。响应和数据块的超时值分别为NcR和Ncx(因为Nac仍然未知)。下面的时序图描述了基本的命令响应(无数据)SPI事务。主机对卡的命令响应-卡已准备好。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（41）SPI模式命令令牌

如前所述，在SPI模式下，状态比特以三种不同的格式报告给主机:响应R1、响应R2和数据错误令牌(相同的比特可能存在于多种响应类型中，例如Card ECC failed)。如果出现写错误(响应'110')，主机可能会发送CMD13 (send STATUS) 来获取写入问题的原因。在SD模式下，错误bits在被主机读取时被清除，而不管响应格式如何。如果读操作失败，卡不能提供所需的数据，它会发送一个数据错误令牌。状态指示灯可以通过读取清除，也可以根据卡的状态清除。每个写入卡的数据块都会被一个数据响应令牌确认。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（40）SPI模式CMD8的操作

在SPI模式下定义了多个字节响应，但是当其中指出非法命令错误或命令CRC错误时，卡只输出第一个字节(相当于R1)。第一个字节(MSB)的结构与响应类型R1相同。其他四个字节包含卡工作电压信息和参数中检查模式的回显，并由与SD模式中的R7响应相同的定义指定。当收到SEND IF COND命令(CMD8)时，卡将发送此响应令牌。第一个字节(MSB)的结构与响应类型R1相同。这个响应令牌有两个字节长，作为对SEND_STATUS命令的响应发送。该响应令牌由卡在除SEND STATus命令外的每个命令后发送。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（39）SPI模式 Transaction Packets

10. SDSC卡(CCS=0)使用字节单位地址，SDHC卡和SDXC卡(CCS=1)使用块单位地址(512字节单位)。1. CMD1命令仅在重新初始化SD卡(1.4mm)标准尺寸SD卡后使用(不能在上电复位后使用)。请注意，除了SPI模式不支持的类(类1,3和9)外，SD模式的强制要求类与SPI模式相同。注(4):该命令在规范版本1.01和1.10中为可选命令，在规范版本2.00中为必选命令。但是，在SD存储卡和SPI通信模式中，可用的命令类和特定类支持的命令是不同的。每个类都支持一组卡片函数。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（38）寄存器&复位&开解锁

CSD命令的数据超时不能设置为卡的TAAC，因为该值存储在卡的CSD中。对于厚(2.1 mm) SD存储卡- CMD1 (SEND_OP_COND)也是有效的-这意味着在SPI模式下，CMD1和ACMD41具有相同的行为，但ACMD41的使用是可取的，因为它可以很容易地区分SD存储卡和多媒体卡。在这种状态下，唯一有效的主机命令是CMD8 (SEND_IF_COND)， ACMD41 (SD_SEND_OP_COND)， CMD58 (READ_OCR)和CMD59 (CRC_ON_OFF)。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（37）SPI总线保护和读写

然而，用于将卡切换到SPI模式的RESET命令(CMD0)在SD模式下被卡接收，因此应该有一个有效的CRC字段。在接收到有效的写命令(SD存储卡协议中的CMD24或CMD25)后，卡将使用响应令牌进行响应，并等待主机发送数据块。如果接收到的数据块没有错误，将对其进行编程。如果出现写错误指示(在数据响应上)，主机将使用SEND_NUM_WR_BLOCKS (ACMD22)来获取写好的写块的数量。在标准容量卡的情况下，数据令牌中的大小由set BLOCKLEN (CMD16)设置的块长度决定。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（36）SPI模式

每个命令或数据块都是由8位字节组成的，并且是与CS信号对齐的字节(即长度是8个时钟周期的倍数)。这种模式是SD存储卡协议的一个子集，设计用于与SPI通道通信，通常在摩托罗拉(以及最近一些其他供应商)的微控制器中发现。当卡在读取操作中遇到数据检索问题时，它将响应一个错误响应(替换预期的数据块)，而不是像SD模式那样响应一个超时。卡通过分析CMD8的参数来检测运行状态的有效性，主机通过分析CMD8的响应来检测运行状态的有效性。即使卡处于SPI模式，卡也可以响应命令和功能，但主机不应该在SPI模式下使用它们。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（35）ESD要求

非接触式焊盘空气放电+/-4KV， +/-8KV， +/-15KV参考IEC61000-4-2型号150pF 330欧姆，用于非接地配置的非接触式焊盘。(c) +/-2KV， +/-4KV参考IEC61000-4-2型号150pF / 330欧姆，在不接地配置下对单个触点焊片进行触点放电测试。(2)机器模式 (MM) +-200V, 200pF/Oohm 参考 JESD22-A115-A (IEC60749-27)(4)耦合平面:+/-8KV参考IEC61000-4-2。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（34）1.8V信号的时序

需要注意的是，图Output Timing of Fixed Data Window两组参数是同一输出电路在不同条件下的输出时序。这些输出时序在测试电路测量点定义，由输出计时定义的有效窗口包括由卡创建的CMD和DAT[3:0]之间的倾斜。温度漂移用△Top表示。输出有效数据窗口(todw)是可用的，而不管漂移(Top)，但数据窗口的位置随漂移而变化。当卡温度在工作过程中从-25℃到125℃变化时，△Top的范围为2600ps。调优过程完成后的温度漂移转化为有限的输出有效窗口漂移(△Top)。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（33）1.8V供电的驱动强度

但是，由于UHS50卡的驱动强度除了B类型是可选的，所以当不支持其他驱动类型时，主机需要使用B类型。时钟定时是主机的要求。(1)固定输出数据窗口情况(SDR12、SDR25、SDR50和DDR50)如果输出延迟小于时钟周期(todly(max.) < tclk)，则SDCLK可以对DAT[3:0]进行采样，因为同步到SDCLK的固定数据窗口总是可用的。考虑todLy (SDCLK输入到CMD和DAT[3:0]输出的延迟)，在所有最大和最小延迟条件下(温度和电压变化)，有效窗口的重叠区域都是可用的。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（32）1.8V信令的驱动强度和总线时序

类型B是默认的驱动强度，适用于固定阻抗的分布式系统，传输线为50欧姆，在所有可用频率下。当上升/下降时间大于传输线上若干波反射时间时，认为负载是“集中的”，否则认为负载是“分布的”。从驱动器看到的等效电容负载由传输线阻抗、传输线上的信号传播延迟和信号的上升/下降时间决定。2. 对于给定的温度和电压组合，它表示由于工艺变化而引起的上升和下降时间的最大差异。4级驱动强度为了保持主机系统的灵活设计，输出驱动可以看到大范围的主机负载。相反，对于分布式系统，估计距离源一定距离的路径上的集总元素的和。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（31）总线的信号和时序

由于总线可以提供可变的电源电压，所以所有的信号电平都与电源电压有关。0 Hz表示时钟停止。给出的最小频率范围是用于需要持续时钟的情况。为了满足严格的时序要求，主机只能驱动一张卡。

原创 瀚海微SD NAND之SD 协议（29）硬件接口

即使主机在SD模式下仅使用1bit - 1模式的SD存储卡，主机也应通过RDAT拉出所有的DAT0-3线。除了那些连接到内部卡电路的线路外，还有两个写保护/卡检测开关的触点，它们是插座的一部分。如果主机系统连接多个卡，主机应检查所有卡是否满足供电电压。主机应给卡供电，使电压在250ms内达到Vdd min，并开始向SD卡供电至少74个SD时钟，并保持CMD线高位。“上电时间”定义为电压从0伏上升到Vpp min的时间(参见6.6)，取决于应用参数，如SD卡的最大数量，总线长度和电源单元的特性。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（28）RCA Registers

除了CSD寄存器之外，还有另一个名为SD卡配置寄存器(SCR)的配置寄存器。SCR提供有关SD存储卡的特殊功能的信息，这些功能被配置到给定的卡中。(4)用户区域容量不超过2GB (SDSC)或32GB (SDHC)用户区域容量不超过或等于32GB，不超过2TB (SDXC)(3) CMD23支持卡以上对支持命令的要求是针对可选命令的，对可选命令的支持取决于版本(SD SPEC和SD SPEC3)。对于ROM(只读)和OTP(一次性可编程)类型的SD存储卡，安全功能是可选的。其他条件的组合是不允许的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（27）C_SIZE

以SECTOR_SIZE=31为例，主机设置Erase Start Address为5,Erase End Address为40，则如下图所示，将擦除0 ~ 63的物理块。WRITE_BL_partial =0意味着只有WRITE_BL_LEN块大小及其偏导数，以512字节为单位的分辨率，可以用于面向块的数据写入。ERASE_BLK_EN定义要擦除的数据的单位大小的粒度。erase操作可以擦除一个或多个512字节的单元，也可以擦除一个或多个512字节的单元(或扇区)SECTOR_SIZE(见下面的定义)。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（26）CSD Registers

WRITE_BLK_MISALIGN定义要由一个命令写入的数据块是否可以分布在多个物理上存储设备的块。内存块的大小在WRITE_BL_LEN中定义。READ_BLK_MISALIGN定义一个命令要读取的数据块是否可以分布在内存设备的多个物理块上。内存块的大小在READ_BL_LEN中定义。READ_BL_PARTIAL(在SD存储卡中总是=1)在SD存储卡中总是允许部分块读取。注意，对于当前的SD存储卡，该字段应始终为0_0110_010b (032h)，等于25MHz - SD存储卡的强制最高工作频率。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（25）SD Registers

位31卡上电状态位，如果卡上电过程已经完成，则设置此状态位。注意:SD- 3C, LLC许可希望制造和/或销售SD存储卡的公司，包括但不限于闪存，ROM, OTP, RAM和SDIO组合卡。32命中操作条件存储器存储卡的Von voltane配置文件，OCR的第7位是新定义的双电压卡，默认设置为0。标识卡OEM和/或卡内容的2个字符的ascii字符串(当用作ROM或FLASH卡上的分发媒体时)。这个寄存器包括另一个状态位，在设置上电状态位后指示卡的容量状态。“n”是最重要的一点，“m”是最不重要的一点。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（24）擦除超时计算

下图显示了擦除特性的示例，擦除的AU数量与擦除时间的关系。实际擦除时间为始终小于擦除超时时间，线的斜率应小于3秒每AU。SD存储卡支持块擦除，但擦除块需要更多的时间，这是AU(部分擦除AU)的一部分。多个AUs计算的擦除超时时间可能与实际擦除时间相比太大擦除超时的计算不准确，因为计算的超时包括空白。CMD23设置的块计数值不被卡检查，然后CMD23在响应中不指示任何错误(CMD23的响应中指示先前的命令错误)。擦除一个大的区域可能需要很长时间，因此主机应该通知用户擦除的进度，否则用户可能会中止擦除的执行。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（23）速度等级测量条件和要求

第10类卡在第6类条件下应满足第6类性能，在第4类条件下应满足第4类性能(由于使用相同的条件，第4类总是覆盖第2类)。对于Class 10 Card，由于Class 10模式不支持Pm，所以即使SD Status中的PERFORMANCE_MOVE设置为0,Class 4条件下Pm的最低要求也大于等于2MB/sec, Class 6条件下Pm的最低要求也大于等于3MB/sec。在图中，测量的aun的性能被定义为Pw1, Pw2，. pwn的最小值。卡的Pw定义为内存区域中所有au的最小性能。

翻译 瀚海微SD NAND存储功能描述（22-1）速度等级规范

当主机写入一个碎片化的AU时，卡通过复制使用过的RUs并写入新的RUs来准备一个新的AU。从A到B的总写时间可以通过将空闲RUs的写时间和已用RUs的移动时间相加来计算。使用的ru (Nu)通过计算在一个AU上得到，而空闲的ru的数量用(NRu -Nu)表示。每张卡都有自己固定的AU大小(Sau)，最大AU大小是根据卡的容量来定义的。当一种模式仅为特定速度等级卡提供操作时，其他模式中的一种应该为较低速度等级卡(包括0级卡)提供操作。序的RU写操作的平均值计算到一个完整的AU，而不是碎片化的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（22）Timing Values

CMD12在时钟1(数据块结束位之前2个时钟)的结束位位于左侧边框，使卡能够成功输出最后一次读取的数据块。如果在此时间之前发出CMD12，则读取的数据块可能会被销毁(例如，未指示数据块的结束位)。时钟8时CMD12的结束位是右侧边界，不输出下一个数据块，这意味着CMD12的结束至少在下一个块的开始位之前3个时钟。因此，通过检测数据块的结束位来停止SDCLK需要很少的时钟，因为需要同步。最小块间隙时钟(Nac)定义为8，以便主机可以在卡开始输出下一个数据块之前停止SDcLK。最后读取的块表示超出范围错误。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（21）数据读写

在这种情况下，不会向主机发送CRC响应，因此总线上不会有CRC起始位，并且三个CRC状态位将读取('111')。在单块写入的情况下，数据的后缀是CRC校验位，以允许卡检查传输错误。在非错误传输的情况下，卡发送一个正CRC状态('010')并开始数据编程过程，当flash编程发生错误时，卡将忽略所有进一步的数据块，在这种情况下，不会向主机发送CRC响应，因此总线上不会有CRC起始位，三个CRC状态位读为('111');在第一个示例中，卡忙于对最后一个块进行编程，而在第二个示例中，卡是空闲的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（20）内部分区和命令响应

块:是与面向块的读写命令相关的单元。它的大小是指主机发送一个block命令时要传输的字节数。块的大小要么是可编程的，要么是固定的。对于具有可擦除存储单元的设备，定义了特殊的擦除命令。WP-Group:对于支持写保护组的设备，可以单独写保护的最小单元。它的大小是将被写保护的组的数量，每1位。每个设备的WP-group的大小是固定的。该命令之后是两个Zbits(允许在总线上进行方向切换的时间)的一个周期，然后由响应卡推高Pbits。它的大小是将在一个部分中擦除的块的数量。扇区的大小对于每个设备都是固定的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（19）命令类f

这个6位字段表示TERAsE，该值表示当多个au被erase SIZE指定擦除时，从偏移量开始的擦除超时时间。ERASE_TIMEOUT的范围可以定义为最多63秒，卡制造商可以根据实现选择ERASE_SIZE和ERASE_TIMEOUT的任何组合。该16位字段表示Nerase，当删除AUs的Nerase编码时，超时值由ERASE timeout(参见ERASE timeout)指定。主机应该确定在一次操作中要擦除的au的数量，以便主机可以指示擦除操作的进度。最大AU大小取决于卡的容量，定义如下方表格所示。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（18）命令类e

SD存储卡支持以下两种状态字段:—“Card Status”:已执行命令的错误和状态信息，在响应中显示- 'SD Status':扩展状态字段512位，支持SD存储卡的特殊功能和未来的特定应用功能。SD状态包含与SD存储卡专有特性相关的状态位，并且可能用于未来特定应用程序的使用。注意事项:“SD Status”中的“Class”值(包括预留值)大于主机的“Class”值支持，主机应该读取任何类可以与卡一起使用。“类型”和“明确条件”的缩写与上面的“卡片状态”相同。低于此字段所指示的类也是有效的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述(17)命令类d

45:40表示要响应的命令的索引，该值被解释为二进制编码数(介于0和63之间)。CID寄存器的内容作为对CMD2和CMD10命令的响应发送。1]CID和CSD的1]被转移，这些寄存器的保留位[0]被响应的结束位所取代。响应总是以起始位(总是0)开始，后面是指示传输方向的位(card = 0)。45:40表示要响应的命令的索引——在这种情况下，它将是'000011'(与状态位中的第5位一起表示scmd3)。响应传输总是从与响应码字对应的位串的最左位开始。OCR寄存器的内容作为对ACMD41的响应发送。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述(16)命令类c

下方表格根据接收到的命令定义了卡的状态转换。表中的状态名是命令执行后的下一个状态。“-”表示该命令被视为非法命令。此外，命令是否可执行取决于命令类(ccc)。-当参数中的HCS设置为0时，为SDHC或SDXC卡。以上第8类给出了SD存储卡特定应用程序命令的状态转换。注(1):第10类命令在1.10版本中定义。注(2):卡在以下情况下返回忙。-Card执行内部初始化过程。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述(15)命令类b

1) 32个写保护位(代表从指定地址开始的32个写保护组)后跟16个cRC位，通过数据线以有效载荷格式传输。2)无论是否使用预擦(ACMD23)特性，都应使用命令STOP TRAN (CMD12)来停止Write Multiple Block中的传输。2) SDSC卡(CCS=0)使用字节单位地址，SDHC和SDXC卡(CCS=1)使用块单位地址(512字节单位)。如果Class 8是允许的(SD存储卡必须)，则支持所有应用程序特定的命令(如上方表格class8所示)。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（14）命令类a

等级0、2、4、5和8是强制性的，所有SD存储卡都应支持。支持的卡命令类(CCC)被编码为每个卡的卡特定数据(CSD)寄存器中的参数，为主机提供如何访问卡的信息。表4-20根据卡支持的命令进行设置。一个CCC位对应一个支持的命令号，设置为1。具有特定功能的卡可能需要支持一些可选命令。注(4):该命令在1.01和1.10版本中是可选的，从2.00版本开始是必选的。注(1):与写和擦除相关的命令仅对可写类型的Cardsl是强制性的。注(6):不支持SDSC。注(3):该命令是2.00版本中新定义的。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（13）读写擦除超时

对于标准容量SD存储卡，读取操作的超时条件发生的时间(与卡无关)要么比下面给出的这些操作的典型访问时间长100倍，要么长100毫秒(两者中较低者)。在单读操作的情况下，这些卡参数定义了read命令的结束位和数据块的开始位之间的典型延迟。写对于标准容量SD存储卡，发生写操作的超时条件的时间(与卡无关)要么比下面给出的这些操作的典型程序时间长90倍，要么长250毫秒(两者中较低的一个)。如果主机在给定的超时时间内没有收到任何响应，则应假定该卡不会响应，并尝试恢复(例如重置卡，电源周期，拒绝等)。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（12）时钟控制和CRC

例如，在具有512字节数据缓冲区的主机希望将数据传输到具有1kbyte写块的卡的情况下。因此，为了保持所有数据的连续传输，从卡的角度来看，到卡的时钟应该在第一个512字节之后停止。同样，如果接收到非法命令，卡将不改变其状态，不响应，并在状态寄存器中设置ILLEGAL_COMMAND错误位。第一个位是对应的位串(命令、响应、CID或CSD)的最左边的位多项式的阶n是CRC保护位的个数减少1。以下是各种总线事务的列表:没有回应的命令。非法命令有不同的类型:属于卡不支持的类的命令(如：只读卡中的写入命令)。

原创 NAND FLASH晶圆和主控的SDIO工作接口原理

而SDIO（Secure Digital Input Output）接口，作为一种用于连接SD卡、MMC卡等外设的接口标准，通过其独特的四线式通信方式（CMD、CLK、DAT0、DAT1），实现了与主控HOST之间的高效数据传输。通过SDIO接口，主控HOST能够发送命令至NAND Flash，控制其数据的读写操作，并接收来自NAND Flash的响应和数据。今天和大家一起学习NAND Flash与主控HOST之间的SDIO接口工作原理、接口优势以及主控的作用，这是构建高效、可靠数据存储系统的核心要素。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（11）命令系统CMD8

因为在每个卡都有不同的定时模式(默认和高速模式)的情况下，不可能控制两张卡或更多卡，为了满足严格的定时，主机只能运行一张卡。支持命令系统是可选的当选择“标准命令集”(默认功能0x0)时，这些命令将不被卡识别，将被视为非法命令。设置块长度对于内存访问命令，SDHC和SDXC使用512字节的固定块长度，而不考虑CMD16设置的块长度。在命令系统功能组的各种功能之间切换，将改变这些命令的解释和相关的总线事务(即命令无需数据传输、单块读取、多块写入等)。在响应中，卡将回显参数中设置的电压范围和校验模式。

原创 瀚海微SD NAND存储功能描述（10）CMD6和其他命令关系

如果处于busy状态，主机可以下发CMD6 (mode1)切换功能，如上图(a)和(c)所示。如果某个功能处于busy状态，主机不应该下发CMD6 (mode1)切换功能，如上图(b)所示。如上图(c)所示，主机接收到模式0运行时thel函数的就绪状态后，由于繁忙状态变化导致CMD6 (model1)被取消。案例1:不完整案例(卡没有输出所有数据)如果主机发送CMD12的结束位在CRC第15位之前，则CMD12停止CMD6。如果当前的消耗是不可接受的，主机应该找到满足主机当前限制的其他功能组合。