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RSS订阅原创 PNP加速关断驱动电路
高电平往低电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe<-0.7V，Q2处于导通状态，Q2快速将电荷从G极汲取走，使G极电平快速下降，达到Q1快速关断的目的。
2025-07-21 15:28:49
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原创 电容充放电的RC常数
Vt=Vs*e(-t/RC)那么，当t=RC时，Vt=0.37Vs那么，当t=2RC时，Vt=0.14Vs那么，当t=3RC时，Vt=0.05Vs
2025-07-21 12:32:40
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原创 电解电容串联均衡电阻计算
常规电解电容耐压最大为450V，即使有630V的也不是很常见，而且很昂贵，考虑到成本，以及可替代性，实际设计常常选用两个耐压400V或450V的电解电容串联来做滤波。而380Vac输入，整流后的电压约为540Vdc，为了对抗输入电压波动，以及保留裕量，需要选取600V以上的电解电容。由于电容采用串联方式工作，为了保证两电容的分压均衡，需对电容并联均压电路，而最常用的均压电路为电阻均压。保证均压的一致性，一般选取流过均压电阻的电流为电容漏电流的5~10倍。I并=5*I漏=7425 uA。
2025-07-18 14:59:08
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原创 宽禁带（第三代半导体）
宽禁带半导体优势：（1）导通电阻是硅器件的近1/1000（在相同的电压/电流等级下），可以大大降低器件的导通损耗；（2）开关频率是硅器件的10余倍，可以大大减小电路中储能元件的体积，从而成倍地减小设备体积，减少贵重金属等材料的消耗；（3）理论上可以在600℃以上的高温环境下工作，并有抗辐射的优势，可以大大提高系统的可靠性，在能源转换领域具有巨大的技术优势和应用价值。
2025-07-17 12:01:19
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原创 功率二极管分类及重要参数
采用外延法生产的快恢复二极管具有更快的开关速度，它们都用掺金或铂来减小反向恢复时间，使其小于50ns，这种二极管称为快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diode，FRED）。随着温度的上升，其导通压降逐渐增大，这与硅功率二极管正好相反。）SiC肖特基二极管：以N型SiC材料为衬底，相比于硅快恢复二极管，SiC肖特基二极管具有更加理想的反向恢复特性。肖特基二极管工作时仅取决于多数载流子，没有多余的少数载流子复合，所以电容效应非常小，其反向恢复时间远小于相同定额的其他二极管。
2025-07-17 10:24:19
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原创 新能源汽车与油车销量
：2023年是新能源车规模化替代燃油车的转折年，比亚迪“油电同价”战略彻底打破市场平衡。2024年渗透率50%标志着“油电逆转”完成，2025年后燃油车将仅存于小众市场。比亚迪新能源销量超180万辆，首超大众燃油车。新能源渗透率破30%关口，插混车型增速超纯电。新能源单月渗透率首超燃油车（2024年5月）vs 理想/问界（合计15%）（五菱宏光MINI占比25%）比亚迪（27%新能源份额）vs 大众（18%燃油份额）比亚迪（33%新能源）vs 特斯拉（12%）比亚迪（28%新能源）（PHEV占比32%）
2025-05-30 09:52:04
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原创 X射线应用（一）
综上所述，X射线在医疗诊断、工业无损检测和材料科学研究等领域具有广泛的应用价值，为人类社会的发展和进步做出了重要贡献。下面也是我们常用的笔记本电脑，在X射线成像下，也可以清晰看到内部结构，如硬盘，风扇，芯片等。：在工业制造中，X射线被广泛应用于对材料和产品的内部结构进行检测，以确保其质量和安全性。X射线管产生必要的辐射，以照亮要检查的物体。图2是X射线检测系统的结构示意图，我们常会在地铁的安检区域看见类似结构的检测系统。下面是我们最常使用的手机，可以清晰看到内部结构，如无线充电线圈，电池，芯片等。
2025-05-29 16:50:07
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原创 运算放大器
目录一、通用型运算放大器二、低噪声/高精度型三、高速/宽带型四、低功耗/低电压型五、高压/大电流型六、特殊用途型七、国产替代型号以下是常见运算放大器型号的分类整理及典型应用说明：
2025-05-27 15:14:02
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原创 模拟芯片的分类及应用
目前排名靠前的模拟芯片公司，基本都是成立在集成电路诞生的60年代初和黄金的90年代，与集成电路行业共同成长，包括现龙头德州仪器（1930）、曾经的龙头国民半导体（1959），以及目前的次席亚德诺（1965）等，依靠对模拟技术的原始积累（Know-how）形成了核心竞争力。重要的收购包括：国民半导体被德州仪器收购（2011），飞思卡尔从摩托罗拉分离、最后被恩智浦收购（2015），仙童半导体被安森美收购（2016），Intersil被瑞萨收购（2016），凌特被亚德诺收购（2017）。
2025-05-27 14:37:58
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原创 施密特触发器介绍
：低压CMOS工艺，工作电压1.65V-5.5V，支持高速度（典型8ns@5V）和低功耗，内置ESD保护。：基于TTL（低功耗肖特基）工艺，输入悬空默认高电平，遵循TTL电平标准（高≥2.4V，低≤0.8V）。：标准4000系列CMOS，电压范围3V-18V，抗噪能力最强，但速度较慢（约100ns@10V）。：高速CMOS工艺，兼容TTL输入电平，静态功耗极低，支持2V-6V宽电压。：74LVC14可无缝替代74HC14，且支持更低电压。（如传感器接口）：CD40106（高输入阻抗）。
2025-05-26 14:37:01
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原创 阳极旋转驱动
同时，绕组存在电阻，电流是产生绕组发热的原因，在透视时是阳极发热的原因之一。球管的容量越大，阳极靶的直径越大，转动惯量越大。对于给定的球管来说，转动惯量就确定了，其它参数如绕组的参数由制造商提供，对于摩擦等阻转矩基本上可以看作是固定的，这样启动电压和运行电压就确定了。因为异步电机的转速与驱动的电源频率成正比，,n=60f/p，f为电源频率，p为电机的极对数，n为电机的转速。驱动电源也需要用单独隔离电源，如图5所示。阳极旋转驱动主要可分为两个部分，一个是控制部分，负责与主控CPU通讯，生成所要的驱动信号；
2025-05-20 10:17:58
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原创 主回路软启动
高压发生器产生高压，可以用输入工频整流后逆变，升压再整流滤波得到。在工频整流中，为了减小设备体积，常用电容滤波。电容滤波的缺点是瞬间整流二极管冲击大。因此还得包括软启动功能。
2025-05-19 17:18:46
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原创 高压主回路
高压发生器功能就是产生高压，驱动球管的阳极和阴极。为了产生高压，可以用工频整流后逆变，升压再整流滤波得到。在工频整流中，为了减小设备体积，常用电容滤波。电容滤波的缺点是瞬间整流二极管冲击大，因此还得包括软启动功能；另外，电容上的电荷在关机后保留很长时间，容易产生危险，因此有快速放电回路。为了使高压输出稳定，必须有反馈调节系统。正如灯丝一节叙述的，高压主回路是自动控制系统。而且是双反馈回路,见图1所示。图1：高压回路控制框图2. KV。
2025-05-19 15:29:22
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原创 灯丝驱动电源
CH1，D14阴极，灯丝电流设定电压；CH2，RMS IC U5PIN6，灯丝电流有效值反馈；CH3，U4BPIN7，误差积分。设定电阻为18K左右，而反馈为3K左右，这样积分常数就一致了。在standby状态，PWM脉宽为3us左右，电流近似线形上升和下降。而图7同本图，但是灯丝设定改为BOOST时的值5.3A。从而可以得出结论，脉宽宽，电流输出大。从CH4看，CH2的脉宽加宽，电流反馈的峰值加大。在新的灯丝反馈电路中因反馈值预先放大，积分参数和比例参数一致。曲线3为过阻尼，特点是没有过冲，响应慢。
2025-05-18 15:29:41
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原创 高压发生器组成
但是，在实际工作中，又要快速地让灯丝投入使用，就采用了折衷的方法：平时以2.5A左右的灯丝电流保持灯丝的最低温度，一旦需要曝光，立即升到MA电流对应的灯丝电流上；但实际上KV的输出是有变化的，灯丝电源的的本身供电也变化，为了抑制变化的影响，必须采用闭环控制，而且控制量为灯丝电流而不是电压。闭环控制的原因在于：灯丝电流决定灯丝的发热量，就是灯丝的温度，温度决定了发射电子的密度和数量，在高压输出一定情况下，MA电流跟随电子密度变化，即跟随灯丝温度变化，也就是灯丝电流的变化。另外，灯丝的寿命与灯丝电流密切相关。
2025-05-17 22:51:42
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原创 高压发生器概述
人工产生X射线的过程是：在高真空的环境中，灯丝加热到一定温度，电子的活动比较活跃，有大量的电子逸出，形成电子源；因此，高压发生器是X线设备的关键部件。在实际的使用中，球管的阳极靶受到电子的高速撞击，产生大量的热，容易使阳极靶面融化，同时局部高温使得靶面应力增加，容易产生裂纹，所以大容量球管的阳极是旋转的，使电子撞击的热量尽量均匀分布在整个环状靶面上，提高了阳极的热容量和可靠性。这个时期技术是比较丰富的，因为各种控制理论、半导体IC技术的发展，使得高压发生器的控制更为简单，输出更为精确，波动更小。
2025-05-16 15:28:34
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原创 半桥驱动模块
德国西门康公司的SKHI系列，采用隔离变压器及TL317稳压为 IGBT 栅极驱动器提供正负电压轨，通过变压器及短脉冲发生器，让驱动信号更加稳定，还具有过流保护功能，具有很高可靠性。实际应用电路，提供15V电源和驱动信号，匹配合适的电阻电容，可实现上下IGBT开关管的驱动，轻松应用半桥和全桥电路，如图7所示。通过开关管控制+15V或-6.8V输出，前端含有短脉冲发生器，适应不同频率驱动信号输入，让驱动更稳定，如图5所示。可监测漏极电压，通过电压比较器，给电路提供过流保护，如图6所示。图4：次级侧稳压部分。
2025-05-16 14:24:01
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原创 钳位保护电路
通过运算放大器与二极管组成钳位保护电路，通过R1和R2电阻分压，给电路输入一个高点钳位电压，可以把Vin钳位到0V~给定电压之间，下端也可以用电阻分压替代GND，钳位到一个指定电压。R3和C2可以根据实际应用情况选择或者去掉。今天为大家分享一个有意思的钳位保护电路。
2025-05-16 13:42:11
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原创 几种常见的运算放大电路
图1，运放的同向端接地=0V，反向端和同向端虚短，所以也是0V，反向输入端输入电阻很高，虚断，几乎没有电流注入和流出，那么R1和R2相当于是串联的，流过一个串联电路中的每一只组件的电流是相同的，即流过R1的电流和流过R2的电流是相同的。图4，因为虚断，运放同向端没有电流流过，则流过R1和R2的电流相等，同理流过R4和R3的电流也相等。图5，由虚断知，通过R1的电流等于通过R2的电流，同理通过R4的电流等于R3的电流，故有。由虚断及基尔霍夫定律，通过R2与R1的电流之和等于通过R3的电流，
2025-04-25 17:40:34
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原创 MOSFET常见驱动电路
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），简称MOS管，因其导通内阻低，开关速度快，所以被广泛应用在各类开关电源上。而对于MOS管工作状态，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路：1.电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。- 查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，确认不同芯片的驱动能力。- 了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就较大，如果电源IC驱动峰值电流较小
2025-04-16 11:37:33
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空空如也
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