BSIM-CMG模型解读系列 1-栅控方程与电荷核心模型

本篇和大家讨论BSIM-CMG核心模型的电荷建模方法，包括电荷栅控方程、统一的多栅器件(Multi-Gate MOSFET)电荷模型、BSIM-CMG模型源代码解读等内容。

1、半导体器件集约模型简介

2、电荷栅控方程与电荷模型

2.1、双栅器件(DG-MOSFET)的电荷栅控方程

2.2、统一的多栅器件电荷模型

3、BSIM-CMG 电荷核心模型源代码解读

3.1电荷核心模型公式

3.2多栅器件沟道几何形状参数的定义方式

Ref:

[1] J. P. Duarte et al., "BSIM-CMG: Standard FinFET compact model for advanced circuit design," ESSCIRC Conference 2015

[2] J. P. Duarte et al., "A Universal Core Model for Multiple-Gate Field-Effect Transistors. Part I: Charge Model," IEEE Transactions on Electron Devices

[3] Yogesh Singh Chauhan, Chenming Hu et.al., “Finfet modeling for IC simulation and design”. 2015 Elsevier.

[4] BSIM-CMG_112.0.0. https://www.bsim.berkeley.edu/models/

本系列专注于解读BSIM-CMG模型，结合模型讨论器件物理。本系列下一期我们讨论BSIM-CMG核心模型的电流建模方法。欢迎大家评论留言、共同探讨。