9、氮化物半导体结构的生长与特性研究

氮化物半导体结构的生长与特性研究

在半导体领域，氮化物半导体材料因其独特的物理性质和广泛的应用前景而备受关注。本文将聚焦于 Al(Ga)N/GaN 量子阱结构以及 GaN₁₋ₓAsₓ 合金的生长、结构特性和相关研究。

1. Al(Ga)N/GaN 量子阱结构

Al(Ga)N/GaN 结构在光电器件，如紫外发光二极管（UV LEDs）或未来激光二极管（LDs）中具有重要应用。然而，由于 AlN（晶格常数 a = 0.311 nm）和 GaN（晶格常数 a = 0.319 nm）之间存在 2.4% 的高晶格失配，在生长 AlN 层超过临界厚度时会产生结构缺陷。

1.1 生长方法

采用等离子体辅助分子束外延（PAMBE）方法在 GaN 模板上生长 Al(Ga)N/GaN 多量子阱。具体生长过程如下：
- 衬底准备 ：使用通过氢化物气相外延（HVPE）在金属有机气相外延（MOVPE）GaN 模板上生长的块状 GaN 晶体作为衬底，该衬底沉积在蓝宝石上。这些晶体经过标准的机械和机械化学抛光方法处理，以达到适合外延生长的表面质量。
- 生长条件 ：在 Riber Compact 21 系统中进行生长，生长温度约为 720 °C，Al 源温度分别为 1020 °C（下层 AlN/GaN 层）和 1030 °C（上层 AlN/GaN 层），生长至标称厚度 10 nm。

1.2 样品表征

• TEM 样品制备 ：采用标准的机械预减薄后进行 Ar 离子铣削的方法制备横截面 TEM 样品。 <