LaTeX案例篇(3)

已于 2025-05-03 17:40:00 修改
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分类专栏： LaTeX案例篇 文章标签： 其他
于 2025-05-03 17:39:05 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/C_JerryMain/article/details/147677951

依然以2024的一篇手稿来作演示。

代码如下：

\documentclass{article}

\usepackage[a4paper, top=2.54cm, bottom=2.54cm, left=2.54cm, right=2.54cm]{geometry}
\usepackage[UTF8]{ctex}
\usepackage{graphicx}
\usepackage{subcaption}

% 设置主字体
\setmainfont{Times New Roman}
\setCJKmainfont{SimSun} % 默认使用宋体

\captionsetup[subfigure]{labelformat=empty} % 去掉标签的括号

\begin{document}
	\begin{center}
		\section{\textbf{\heiti\fontsize{16pt}{24pt}\selectfont{概述}}}
	\end{center}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{课题背景}}
	\setlength{\baselineskip}{1.5\baselineskip}
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	在集成电路发展历史上，三极管可谓是至关重要的一部分。虽然种类的纷繁复杂令人眼花缭乱，但诸如BJT(Bipolar Junction Transistor)、JFET(Junction Field-Effect Transistor)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)之类的三极管，却有着NPN，抑或是PNP，这种极为相似的基础构造，不禁令人心生问号。
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{研究目的和意义}}
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	本研究旨在探讨以上三种(BJT,JFET,MOSFET)三极管，在构造相似下(本文研究以NPN型为主)，原理不同的原因。通过研究以上三极管的共通以及差异，我们可以更好地理解目前新型三极管(FinFET,GAA FET)的原理，为未来的技术创新做出理论指导。
	
	%Part 2%
	\newpage
	\begin{center}
		\section{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{NPN型半导体的分化}}
	\end{center}
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	BJT、JFET与MOSFET的大致构造相同，都是在一块P型板上加上两块N型板，形成两个PN结，但特殊位置的不同导致了结果的不同，NPN型半导体也就此分化。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	在NPN型半导体上的两个PN结，反向偏置。如果加上电压，导通下的载流子穿过两个PN结，形成原始的BJT（图1）。在NPN型BJT中，发射极（N型）和基极（P型）之间的PN结（发射结）是正向偏置的。电子从发射极流入基极，部分电子会穿过基极，进入集电极（N型）。基极和集电极之间的PN结（集电结）是反向偏置的，电子通过基极进入集电极，形成集电极电流。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从BJT出发，P板拉伸，简单改造，便得到了JFET（图2）。将JFET的Emitter和Collector加在N型板的两头，电子流入和流出在P板内完成，绕开两个N板。此时在N板上加上反向电压，原本的两个耗尽层增大，通路减小，载流子无法通过。对于FET来说，习惯性的，我们称电子流入为Source（源），电子流出为Drain（漏），控制夹断的为栅（Gate）。于是类比BJT，在FET中，可以粗糙的理解Emitter为Source，Base为Gate，Collector为Drain。此时在JFET的P板两头的就分别是Source和Drain，两块N板就合成了Gate。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从JFET出发，将Source、Drain和Gate互换，Source和Drain对应两块N型板，而P型板充当原先的Gate，对结构稍加改造，得到了粗糙的MOSFET（图3）。与JFET相似，在MOSFET上，电子从Source进入，从Drain流出，可碍于耗尽层的限制，Gate不加电压下，电路无法导通；相反的，Gate加电压，形成短暂沟道，载流子可以通过。\\
	
	\begin{figure}[htbp]
		\centering
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.07]{NPN_BJT.png}
			\caption{图1：BJT的结构图}  % 添加图片说明
			\label{图1}  % 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
		\hfill
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.7]{N-JFET.png}
			\caption{图2：JFET的结构图}  % 添加图片说明
			\label{图2}  % 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
		\hfill
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.35]{N-MOSFET.png}
			\caption{图3：MOSFET的结构图}  % 添加图片说明
			\label{图3}  % 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
	\end{figure}
	
	
	%Part 3%
	\newpage
	\begin{center}
		\section{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{总结}}
	\end{center}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{工作总结}}
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	对于NPN型半导体，三种不同的构造与接线也成就了三极管的不同的特性。在BJT中，由于$N^+$型半导体的存在，发射极和集电极的载流子浓度不同，存在一定的浓度差，便起到了放大信号的作用。在JFET和MOSFET中，有了电压，对栅极控制，改变耗尽层的宽度，从而堵住通路或者形成通路，形成01信号的改变。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	变不通为通，三个三极管走的原理路线，各不相同，各有绝招，这也是他们能够分化，自立门户的基础。\cite{ref1}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{工作展望}}
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从NPN型半导体，我们分化出3种不同的三极管。所以不妨大胆，假设，从NPN型半导体又诞生了一种全新的半导体三极管，在了解它之前，依然有可以推测出它的特性：有2个背靠背的PN结，有3个控制量。\cite{ref2}在现代半导体器件中，类似的设计理念也在一些新型晶体管中得到了应用，如FinFET和GAAFET。这些器件虽然与传统的BJT（双极性晶体管）有所不同，但它们同样采用了更高效的控制机制，通过栅极优化来增强性能。
	
	
	%Part 4%
	\newpage
	\renewcommand{\refname}{\centering\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{参考文献}}
	\begin{thebibliography}{99}
		\bibitem{ref1} 木旦文, \textit{《三极管6：「三管演义」上》}, 2022, 知乎。
		\bibitem{ref2} 木旦文, \textit{《三极管6：「三管演义」上》}, 2022, 知乎。
	\end{thebibliography}
	
\end{document}

代码逐行解析

  • 头文件说明

\documentclass{article}依旧是标明文章为 a r t i c l e article article类型。
\usepackage[a4paper,top=2.54cm,bottom=2.54cm,left=2.54cm,right=2.54cm]{geometry}说明本文使用 A 4 A4 A4纸。
\usepackage[UTF8]{ctex}调用中文字体包。
\usepackage{graphicx}调用 g r a p h i c x graphicx graphicx库，便于对图片操作。
\usepackage{subcaption}调用 s u b c a p t i o n subcaption subcaption库，针对小标题做出的改进。
在ctex包中，\setmainfont{Times New Roman}设置英文正文字体为 T i m e s Times Times N e w New New R o m a n Roman Roman；同理，\setCJKmainfont{SimSun}设置中文正文字体为宋体。
在subcaption中，\captionsetup[subfigure]{labelformat=empty}可以将图片标签的序号给删除。(这句是 K I M I KIMI KIMI写的，我也不知道为什么)

\documentclass{article}

\usepackage[a4paper, top=2.54cm, bottom=2.54cm, left=2.54cm, right=2.54cm]{geometry}
\usepackage[UTF8]{ctex}
\usepackage{graphicx}
\usepackage{subcaption}

% 设置主字体
\setmainfont{Times New Roman}
\setCJKmainfont{SimSun} % 默认使用宋体

\captionsetup[subfigure]{labelformat=empty} % 去掉标签的括号
  • 前文提及，不多赘述。
\begin{document}
	\begin{center}
		\section{\textbf{\heiti\fontsize{16pt}{24pt}\selectfont{概述}}}
	\end{center}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{课题背景}}
  • 设置舒服的行距

(这句也是 A I AI AI写的)
目的是设置为1.5行距。

	\setlength{\baselineskip}{1.5\baselineskip}
  • 前文提及，不多赘述。
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	在集成电路发展历史上，三极管可谓是至关重要的一部分。虽然种类的纷繁复杂令人眼花缭乱，但诸如BJT(Bipolar Junction Transistor)、JFET(Junction Field-Effect Transistor)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)之类的三极管，却有着NPN，抑或是PNP，这种极为相似的基础构造，不禁令人心生问号。
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{研究目的和意义}}
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	本研究旨在探讨以上三种(BJT,JFET,MOSFET)三极管，在构造相似下(本文研究以NPN型为主)，原理不同的原因。通过研究以上三极管的共通以及差异，我们可以更好地理解目前新型三极管(FinFET,GAA FET)的原理，为未来的技术创新做出理论指导。
	
	%Part 2%
	\newpage
	\begin{center}
		\section{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{NPN型半导体的分化}}
	\end{center}
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	BJT、JFET与MOSFET的大致构造相同，都是在一块P型板上加上两块N型板，形成两个PN结，但特殊位置的不同导致了结果的不同，NPN型半导体也就此分化。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	在NPN型半导体上的两个PN结，反向偏置。如果加上电压，导通下的载流子穿过两个PN结，形成原始的BJT（图1）。在NPN型BJT中，发射极（N型）和基极（P型）之间的PN结（发射结）是正向偏置的。电子从发射极流入基极，部分电子会穿过基极，进入集电极（N型）。基极和集电极之间的PN结（集电结）是反向偏置的，电子通过基极进入集电极，形成集电极电流。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从BJT出发，P板拉伸，简单改造，便得到了JFET（图2）。将JFET的Emitter和Collector加在N型板的两头，电子流入和流出在P板内完成，绕开两个N板。此时在N板上加上反向电压，原本的两个耗尽层增大，通路减小，载流子无法通过。对于FET来说，习惯性的，我们称电子流入为Source（源），电子流出为Drain（漏），控制夹断的为栅（Gate）。于是类比BJT，在FET中，可以粗糙的理解Emitter为Source，Base为Gate，Collector为Drain。此时在JFET的P板两头的就分别是Source和Drain，两块N板就合成了Gate。
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从JFET出发，将Source、Drain和Gate互换，Source和Drain对应两块N型板，而P型板充当原先的Gate，对结构稍加改造，得到了粗糙的MOSFET（图3）。与JFET相似，在MOSFET上，电子从Source进入，从Drain流出，可碍于耗尽层的限制，Gate不加电压下，电路无法导通；相反的，Gate加电压，形成短暂沟道，载流子可以通过。\\
  • 如何放置三张并排的图片

\begin{figure}[htbp]与\end{figure}，又是一对，用来声明浮动体。
\centering，居中处理。
\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}与\end{subfigure}，是一对用来操作具体图片。其中{subfigure}是小图片；[b]是 b o t t o m bottom bottom ，表明照片在底部；{0.3\textwidth}，是图片的宽度参数。
\includegraphics[scale=0.07]{NPN_BJT.png}，是将图片拖入文本中。[scale=0.07]，将图片进行一定尺寸的比例缩放；{NPN_BJT.png}，标明需要插入的图片名称。
\caption{...}，在图片下方加入图名。
\label{...}，为图片创建名称，方便引用。
\hfill，这行代码穿插在每个图片之间，可以使图片自然对齐。

	\begin{figure}[htbp]
		\centering
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.07]{NPN_BJT.png}
			\caption{图1：BJT的结构图}  						% 添加图片说明
			\label{图1}  									% 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
		\hfill
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.7]{N-JFET.png}
			\caption{图2：JFET的结构图} 						% 添加图片说明
			\label{图2}  									% 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
		\hfill
		\begin{subfigure}[b]{0.3\textwidth}
			\centering
			\includegraphics[scale=0.35]{N-MOSFET.png}
			\caption{图3：MOSFET的结构图}  					% 添加图片说明
			\label{图3}  									% 为图片创建标签，方便在文中引用
		\end{subfigure}
	\end{figure}
  • 前文提及，不多赘述。
	%Part 3%
	\newpage
	\begin{center}
		\section{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{总结}}
	\end{center}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{工作总结}}
	
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	对于NPN型半导体，三种不同的构造与接线也成就了三极管的不同的特性。在BJT中，由于$N^+$型半导体的存在，发射极和集电极的载流子浓度不同，存在一定的浓度差，便起到了放大信号的作用。在JFET和MOSFET中，有了电压，对栅极控制，改变耗尽层的宽度，从而堵住通路或者形成通路，形成01信号的改变。
  • 引用文献说明

\begin{thebibliography}{99}与\end{thebibliography}是一对文献引用的声明，常常放在文末的参考文献。
\bibitem{ref1} ...,...,...，为具体文献引用的格式。
有了上面的声明，就可以在文中引用。引用\cite{ref1}，就会变成这种形式，引用 [ 1 ] ^{[1]} [1]。

	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	变不通为通，三个三极管走的原理路线，各不相同，各有绝招，这也是他们能够分化，自立门户的基础。\cite{ref1}
	
	\subsection{\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{工作展望}}
	\indent
	\fontsize{12pt}{18pt}
	从NPN型半导体，我们分化出3种不同的三极管。所以不妨大胆，假设，从NPN型半导体又诞生了一种全新的半导体三极管，在了解它之前，依然有可以推测出它的特性：有2个背靠背的PN结，有3个控制量。\cite{ref2}在现代半导体器件中，类似的设计理念也在一些新型晶体管中得到了应用，如FinFET和GAAFET。这些器件虽然与传统的BJT（双极性晶体管）有所不同，但它们同样采用了更高效的控制机制，通过栅极优化来增强性能。
	
	
	%Part 4%
	\newpage
	\renewcommand{\refname}{\centering\heiti\fontsize{14pt}{18pt}\selectfont{参考文献}}
	\begin{thebibliography}{99}
		\bibitem{ref1} 木旦文, \textit{《三极管6：「三管演义」上》}, 2022, 知乎。
		\bibitem{ref2} 木旦文, \textit{《三极管6：「三管演义」上》}, 2022, 知乎。
	\end{thebibliography}
  • 别忘了以此结尾。
\end{document}

后记

现在看来有一大部分东西是 A I AI AI帮助完成的，自己后来看不懂一点儿东西。

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