雪崩、击穿、穿透

参考：https://baijiahao.baidu.com/s?id=1619572269435584821&wfr=spider&for=pc Redis缓存的使用，极大的提升了应用程序的性能和效率，特别是数据查询方面。但同时，它也带来了一些问题。其中，最要害的问题，就是数据的一致性问题，从严格意义上讲，这个问题无解。如果对数据的一致性要求很高，那么就不能使...

在现代分布式系统架构中，缓存作为数据库的前置屏障，承担着流量削峰和响应加速的重要职责。但当缓存系统出现异常时，可能引发链式反应导致系统瘫痪。三者造成的QPS对比显示，穿透场景请求量持续高位，击穿呈现脉冲式峰值，雪崩则表现为阶梯式增长。理解其差异是制定防御策略的前提。

面试的时候如果简历上面写了了解Redis，那面试官百分之99.99会问你有没有了解过redis的雪崩、击穿、穿透 那到底是什么情况下会出现这几个现象呢，接下来一个一个举例子 雪崩 Redis的雪崩可以这么来理解 举个例子，我零点有个秒杀活动大量用户涌入，假设当时每秒 6000 个请求，本来缓存在可以扛住每秒 5000 个请求，但是缓存当时所有的Key都失效了。此时 1 秒 6000 个请求全部落数据库，数据库必然扛不住，它会报一下警，真实情况可能DBA都没反应过来就直接挂了。此时，如...

雪崩 当访问量大于服务器的承载能力的时候，redis缓存直接挂掉，请求穿过缓存直达数据库，数据库扛不住，导致数据直接挂掉,最终导致整个系统挂掉，造成雪崩 穿透 一个服务器有上百万的流量请求时,如果这些请求的数据 在redis缓存这一层不存在,那么就会穿过redis的缓存直达到后台,也就是mysql服务器,导致整个微服务应用挂掉【这种攻击多指黑客攻击】 击穿 在key非常热点的时期，访问量过多，高并发的持续性的大访问量，将会直接击穿缓存，访问量就都跑到数据库上了 熔断 当下游服务器不可用或响应过慢

缓存雪崩、击穿、穿透及解决方案 保证缓存和数据库的一致性

缓存雪崩是指只大量热点key同时失效的情况，如果是单个热点key，在不停的扛着大并发，在这个key失效的瞬间，持续的大并发请求就会击破缓存，直接请求到数据库，好像蛮力击穿一样。就是大量数据在同一时间过期或者redis宕机时，这时候有大量的用户请求无法在redis中进行处理，而去直接访问数据库，从而导致数据库压力剧增，甚至有可能导致数据库宕机，从而引发的一些列连锁反应，导致整个系统崩溃。当然，可能针对缓存穿透的情况，也有可能是其他的原因引起，可以针对具体情况，采用对应的措施。

缓存雪崩、缓存穿透和缓存击穿问题以及对应的解决方案......

在业务系统中，Http请求时，想要获取某个高频数据，一般先从缓存中获取，如果缓存中不存在，就从数据库中查询，如果查询到结果就将数据保存到缓存中在返回结果，那么在这个过程中使用的缓存一般会出现几种常见的问题，即击穿、雪崩和穿透。 缓存击穿 缓存击穿值得时某个Key一直扛着高并发，例如字典数据，那如果这个key在某个时间内托然失效了呢?那所有的请求立马会直接查询数据库，如果请求数够大，，很可能直接将数据库击垮。 解决方法： key不设置过期时间，如果该key数据更新了，...

雪崩问题是指当缓存层因为大面积的缓存失效、宕机等原因导致请求直接打到了数据库层面，可能会引起数据库连接异常甚至崩溃。解决方案：设置不同的过期时间：防止同时大量的缓存失效。使用Redis集群：确保一个实例故障时，其他实例可以继续提供服务。限流降级策略：对突然增多的流量进行限制。// 假设我们有一个缓存方法，可以设置不同的过期时间// 设置一个随机的过期时间，避免同时过期穿透问题是指查询不存在于缓存和数据库中的数据，请求不断查询数据库，增加数据库的不必要压力。解决方案：缓存空对象。

缓存击穿： 问题描述 key对应的数据在数据源并不存在，每次针对此key的请求从缓存获取不到，请求都会压到数据源，从而可能压垮数据源。比如用一个不存在的用户id获取用户信息，不论缓存还是数据库都没有，若黑客利用此漏洞进行攻击可能压垮数据库。 一个一定不存在缓存及查询不到的数据，由于缓存是不命中时被动写的，并且出于容错考虑，如果从存储层查不到数据则不写入缓存，这将导致这个不存在的数据每次请求都要到存储层去查询，失去了缓存的意义。 解决方案： 1）对空值缓存：如果一个查询返回的数据为空（不管是数据是否不存在）

在互联网时代，大流量、海量数据、高并发是每个企业都渴望又害怕的名词，渴望是因为它们代表着提供的服务用户愿意买单、有价值;害怕是因为一旦用户全上来了，系统不能正常为用户提供服务，让用户失望...

雪崩击穿（Avalanche Breakdown）和齐纳击穿（Zener Breakdown）是半导体器件中两种常见的击穿现象，尤其在二极管（如PN结二极管或齐纳二极管）中。在实际器件中，尤其是击穿电压在5-8V之间的二极管，雪崩击穿和齐纳击穿可能同时发生，称为“混合击穿”。雪崩击穿发生在当施加在PN结上的反向偏压足够高时，产生的强电场使载流子（电子或空穴）获得足够的能量，通过碰撞产生更多的电子-空穴对，导致载流子数量迅速增加，形似“雪崩”效应。齐纳击穿是一种量子力学现象，发生在高掺杂的PN结中。

在低掺杂的情况下，耗尽层宽度较宽，那么低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子破坏共价键的束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。可见齐纳击穿电压较低。当二极管两端的反向电压超过一定数值U(BR)后，二极管两端的反向电流也会急剧增加，这种情况下我们称为。

在今天的互联网里，高并发、大数据量、大流量已经成为了代言词，那么我们的系统也承受着巨大的压力，首当其冲的解决方案就是redis。 那么redis使用不当就会产生雪崩、穿透、击穿等问题，这也是考验一个程序员技术能力的时刻。 当然面试的时候，这也是高频面试题，几乎大厂都会问到。下面跟着贴心老哥一起来看看这些技术吧。 缓存雪崩 举例 双十一期间，所有用户一打开淘宝就是进入首页，首页的压力非常大，为了提高并发，将网站首页数据都缓存到redis里，所有的redis key失效时间都是3小时。 双十一当天大量

你知道的越多，你不知道的越多 点赞再看，养成习惯 正文 提到Redis我相信各位在面试，或者实际开发过程中对缓存雪崩，穿透，击穿也不陌生吧，就算没遇到过但是你肯定听过，那三者到底有什么区别，我们又应该怎么去防止这样的情况发生呢，我们有请下一位受害者。 面试开始 一个大腹便便，穿着格子衬衣的中年男子，拿着一个满是划痕的mac向你走来，看着快秃顶的头发，心想着肯定是尼玛顶级架构师吧！但...