DW02CA./J 系列电路是一款高精度的单节内置MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。

概述
DW02CA./J 系列电路是一款高精度的单节内置MOSFET 可充电锂电池的保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。正常状态下，DW02CA./J 的VDD 端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其VM 检
测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时DW02CA./J 使内置N-MOS 管导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
DW02CA./J 通过检测VDD 或VM 端电压（相对于GND端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， 内置N-MOS 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。
DW02CA./J 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，内置N-MOS 由截止变为导通，从而进入正常状态。DW02CA./J 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。DW02CA./J 工作时功耗非常低，采用非常小的SOT23-5 的
封装，使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。
本产品不适用与无线及射频信号排布及屏蔽太差的产品，
另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。
产品特点
 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
 内置低导通内阻N-MOSFET
 高精度的过电压充电保护检测
 高精度的过电压放电保护检测
 高精度的过电流放电保护检测
 电池短路保护
 有0V 充电
 带有过充、过放自动恢复功能
 内部集成滤波电容、内置MOSFET
 超小型化的SOT23-5 封装
 MOSFET:RSS(on)=27mΩ( TYP VGS=3.7V,ID=1A)
应用领域
 锂电池的充电、放电保护电路
 电话机电池或其它锂电池高精度保护器