计算机组成原理简单回顾3-CSDN博客

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第三部分（上）
存储系统（容易考察的部分）

存储器的分类与特点，存储器的扩展(芯片选择、连接方式、地址范围等)，低位交叉存储器，Cache的相关计算与替换算法，虚拟存储器与快表也容易出选择题。

存储器概述：

1.作用分类：

主存储器（主存，内存），CPU可以直接随机地对其进行访问，也可以和高速缓存器以及辅助存储器数据交换。
辅助存储器（外存，辅存），简称辅存，不能与CPU直接相连，用于存放暂时不用的数据。
高速缓冲存储器（cache）：位于主存和CPU之间，用来释放正在执行的程序段和数据

2.按介质分类

磁表面存储器（磁带，磁盘），磁芯存储器、半导体存储器（MOS型存储器，双极存储器）和光存储器（光盘）

3.存取方式分类

RAM随机存储器，存储器的任何位置都可以随机存取，而且存取时间与存取单位的物理位置无关，主要用于主存或高速缓冲存储器。

- 又分为SRAM（触发器原理寄存信息），DRAM（电容充电原理寄存信息）

ROM只读存储器，存储器的内容随机读出不能写入，即使断电也不会丢失。
串行访问存储设备，对存储单元进行读/写操作时，需按照其物理位置的先后顺序寻址，包括顺序存取存储器（磁带）与直接存取存储器（磁盘）。

4.存取方式分类

易失性存储器，RAM
非易失性存储器，ROM，磁表面存储器和光存储器。
破坏性读出，数据被读出时，被读的单元存储信被破坏。（PS：每次读出操作后，必须接一个再生的操作以恢复被破坏的信息。）
非破坏性读出，读出时，被读单元原存储信息不被破坏。

存储器的功能：存放二进制信息

存储器的性能指标

1.存储容量，单位成本，存储速度

存储容量：存储数字*字长

单位成本：每位价格 = 总成本/总成本

存储速度：数据传输率=数据带宽/存储周期

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存取时间：存取时间指的是从启动一次存储器操作到完成该操作经历的时间，分为读出时间和写入时间

存取周期：指存储器进行一次完整读写操作的所需的全部时间，即连续两次独立访问存储器操作（读或写操作）之间所需的最小时间。

主存带宽：主存带宽成为数据传输率，表示每秒从主存进出信息的最大数量，单位为字/秒、字节/每秒或者位/每秒。

存储器的层次结构

半导体存储芯片的基本结构

RAM易失型存储器

SRAM，DRAM

行列地址复用与行列独立：DRAM和SRAM在地址复用技术方面的区别_sram的l列冗余功能-CSDN博客

SRAM使用行列独立技术，DRAM使用地址复用技术，地址线是原来的1/2，行列分两次传送。

1.DRAM工作原理

DRAM的电容上的电荷只能维持1-2MS，即使不断电也会自动刷新，每个一段时间进行刷新通常取2ms,称为刷新时间。三种刷新方式，集中刷新，分散刷新，异步刷新

1.集中刷新：在一个刷新周期内使用固定的时间，依次对存存储器的所有行进行逐一刷新再生，在此时间会出现“死时间”又被成为“死区”。特点：有点存取速度高，但是存在死区

2.分散刷新：把每一行的刷新分散到各个工作周期中，即一个存储器的系统工作周期分为两部分，前半部分正常读取，后半部分用于刷新某一行。会增加系统的存取周期，芯片的存取周期是0.5us则系统的存取周期是1us。特点：没有死区，缺点加长了系统的存取周期，降低了整机的速度。

3.异步刷新，将刷新周期除以行数，得到两次刷新之间的时间间隔t，利用逻辑电路每间隔t产生一次刷新请求，刷新一行，这里只要求2ms内每行刷新一次即可。假设2ms内要进行128次刷新则每隔2ms/128=15.6us一次刷新，即每隔15.6us都包含了0.5us的死时间，（死区）。

DRAM刷新特点：

- 刷新对CPU是透明的，即刷新不依赖外部的访问
- DRAM的刷新单位是行，刷新只需要行地址
- 刷新操作类似读操作，刷新操作仅给栅极电容不充电荷，刷新时不需要选片，存储器中所有芯片都需要刷新

ROM只读存储器的特点

ROM和RAM都是随机访存的存储器，ROM中一旦有了信息，就不会轻易改变，即使掉电也不会消失。特点：1.结构简单集成度高，2.非易失性可靠性高。

ROM的种类：

主存和CPU的连接图

主存容量的扩展

单个存储芯片的内容有限，在字数和字长方面与实际存储器的要求有一定差距，需要通过两个方面的扩充才能满足要求。通常采用三种方法：位扩展法，字扩展法，字位同时扩展法，来扩展主存容量。

1.位扩展法

CPU的数据线数与存储芯片的数据位数，不相同此时需要对存储芯片扩位（即进行位扩展，用多个存储器件对字长进行扩充，增加存储字长），使其位数与CPU数据线位数相等。

如图所示，D0-D7代表数据线，可以看到位扩展后第一个存储器在高位数据地址D7-D4，第二个存储器在低位数据地址D3-D0。而地址总线A0-A10（这是因为2K容量则，表示地址需要的位数为2^10*2，即2的11次方所以需要A0-A10，11位地址线）则是一样的因为取地址的时候去的是两个存储器中的相同位置。总体是根据数据线的位数进行的扩充。2K*4（位）的存储器扩展为8位的。

2.字扩展法

字扩展法增加存储器中字的数量，而位数不变，字扩展法将地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分芯片的地址范围。

如图所示，连接在数据总线上的两个存储器位数相同，地址线的位数也是单个存储器2K*8的地址位数，2的11次方。这里用到了片选器，选择具体从哪一个存储器中进行读写操作。由于这里是通过两个存储芯片进行字扩展，所用一个高位地址线A11即可表示，若为4个存储器字扩展则需要两个高位地址线，以此类推。

3.字位同时扩展

既增加存储字的数量，又增加存储字长。

如图所示，这里就不做过多的解释了，这里A0-A13低位地址线代表的是存储器内的地址，A14-A15表示有四块存储器进行的字扩展。数据位数D0-D78位，而一个16*4存储器则4位，则是进行了位扩展。总体来说，可以说首先由2片 16K*4 的存储器扩展成的八位，在由4个位扩展的存储器进行字扩展，所以总共需要8个16*4的存储器你懂了嘛？？？