FDWS86068-F085 是ON Semiconductor （ONSEMI）推出的N沟道增强型 PowerTrench MOSFET 其核心特点如下：
核心规格
•耐压等级：100V
•最大漏极电流：80A（连续）
•导通电阻：4.5mΩ（典型值）
•封装形式： SMALL OUTLINE R-PDSO-F5 （贴片）
性能特性
•开关速度：开启时间≤30ns，关闭时间≤48ns
•功耗：最大功率耗散214W
•工作温度范围：-55°C至150°C
•封装材料：塑料/环氧树脂
主要应用于以下领域：
汽车电子
适用于发动机控制、动力系统管理、电磁阀驱动及电机控制等场景，具备AEC-Q101认证，可满足汽车行业对可靠性和耐温性能的严苛要求。
工业控制
常用于电力电子设备中的功率转换模块，如电机驱动器、继电器控制电路等，其高电流处理能力和低导通电阻特性适合大功率场景。
电源管理
支持高效散热设计，在电源模块中可实现快速开关动作（开启时间30ns/关闭时间48ns），适用于高频开关电源和DC/DC转换器。 该器件采用贴片封装（DFN），具备-55°C~150°C工作温度范围，最大漏极电流80A，导通电阻4.5mΩ，适合高功率密度场景
关键优势与应用
•低导通电阻和低栅极电荷有助于降低开关损耗，提高效率
•符合汽车电子委员会 AEC-Q101 标准，适用于严苛的汽车环境
•汽车引擎控制
•动力总成管理
•螺线管和电机驱动器
•电子转向系统
功率能力：
•最大功率耗散：214W
•单脉冲雪崩能量 (E<sub>AS</sub>)：典型值 45mJ (最大值 36mJ )
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