关于电容这一点你还不知道

【注意】电容的直流偏置特性

盲区背景

今天在看LDO的基础知识文档，触及到了电容应用领域的一个知识盲区，特上网搜索了一二，结合我自身的理解，加上各位网友的观点，在此整理归一：

电容的直流偏置是什么？

直白来说就是在电容两端施加直流电压后，其容值将偏移于原始容值。

官方术语解释：由于电容的动态特性（以非线性方式存储和耗散电荷），有些极化现象在不施加外部电场的情况下也可能会出现；这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起
的，不活跃电场为电容器提供初始电容。对电容器施加外部直流电压会生成电场，生成的电场会反转初始极化，然后将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。极化与电介质内电场的方向有关。

如图一：锁定的偶极子不会对交流电压瞬变作出反应；因此，有效电容低于施加直流电压前的值。

举个例子：

这里引用博主：“禹城双昇”在《电容直流偏压特性的影响》一文中板书的例子：

“当时在某个电路设计中，一开始用的1206封装/10uF/10%/50V的电容，未出现问题。在改板的时候，换成了0603封装/10uF/10%/25V电容，结果就频繁欠压报警。

按道理，参数表上两种封装电容的容量和容差都一样，表现也应该一样才对，实际表现却明显不同。如下图所示，蓝线为15V的供电电压监测波形。当负载刚启动时，15V会发生跌落。若去耦电容使用1206封装/10uF/10%/50V，电压最低跌落到13.4V，而使用0603封装/10uF/10%/25V电容，电压最低会跌落到10V左右。而需要15V供电的某器件，最小供电电压是11.1V，当低于这个电压，会欠压报警。

当时寻思是两种电容ESR的差异导致的，也没仔细计算两种电容的ESR值。不可否认ESR会造成一定影响，在实际应用中，负载变化频率是8kHz，对应两种电容的ESR大致是，左边电容ESR（0603封装）大致是右边电容ESR（1206封装）的6倍。如果纯是ESR造成的，两者跌落电压不会只相差3V。

现在来看，电容的直流偏压特性才是主因，如图3所示，X7R电容，在直流偏压的影响下，容量可以恶化到只有原来的80%。”

原文链接：https://blog.csdn.net/gonylibechen1/article/details/134309551

友情提示：请各位工程师在应用电容时考虑直流偏置降额，留有裕量，并考虑其他影响电容器参数的因素。

推荐使用COG或NPO电容，当然成本也会上去，大家自行抉择。