参考《程序存储器数据存储器参考资料》。
实验目的
1、了解FPGA中RAM的功能;2、掌握RAM的参数设置和使用方法;3、掌握作为随机存储器RAM的仿真测试方法,工作特性和读写方法。
实验内容
在 FPGA 中利用嵌入式阵列块 EAB 可以构成存储器,RAM 的结构如图。数据从 sram 的 左边 d[7..0]输入,从右边 q[7..0]输出,R/W 为读/写控制信号端。当输入数据和地址准备 好以后,在 inclock 是地址锁存时钟,当信号上升沿到来时,地址被锁存,数据写入存储 单元。数据的读出控制是从 a[7..0]输入存储单元地址,在 CLK 信号上升沿到来时,该单元 数据从 q[7..0]输出。R/W 是读/写控制端,低电平时进行读操作,高电平时进行写操作; CLK 是读/写时钟脉冲信号;d[7..0]是 sram 的 8 位数据输入端;a[7..0]是 ram 的读出和 写入地址;q[7..0]是 sram 的 8 位数据输出端。
实验步骤
1、按图7-1输入电路图,进行编译、引脚锁定、向 FPGA 配置下载;2、通过键 1、键 2 输 入 RAM 的 8 位数据(选择实验台工作模式 1),键 3、键 4 输入存储器的 8 位地址。键 8 控 制读/写允许,低电平时读允许,高电平时写允许;键 7(CLK0)产生读/写时钟脉冲,即生 成写地址锁存脉冲,对 RAM 进行写/读操作;3、RAM 也能加入初始化文件;选择 RAM 的 ID 名取为:ram1。