99、半导体器件物理特性与模型解析

半导体器件物理特性与模型解析

1. 双极结型晶体管（BJT）相关特性分析

1.1 基极电流复合分量与β值计算

在基极区域复合时间等于(t_e)时，基极电流的复合分量（基极缺陷）可通过结合特定方程得出：
[i_{recombination}=\frac{qA n_i^2(0^+)}{W}\frac{W^2}{2D_e\tau_e}]

一般情况下，评估(\beta_F)时还需考虑反向偏置的基 - 集电极结的饱和电流所贡献的基极电流第三分量。不过，在设计良好的 BJT 中，该电流通常较小，在一阶计算(\beta_F)时可忽略。

将基极电流各分量表达式与集电极电流表达式结合，可得到(\beta_F)的近似表达式：
[\beta_F=\frac{i_C}{i_B}=\frac{qAD_en_i^2(0^+)/W}{qAD_sp\Delta V/L_p + qA n_i^2(0^+)W /2\tau_e}]

经过因式分解和应用相关方程，(\beta_F)可进一步表示为：
[\beta_F\approx\frac{D_eN_{po}/W}{D_pN_{no}/L_p + n_{po}W /2\tau_e}\approx\frac{D_e/N_aW}{D_p/N_dL_p + W/2N_a\tau_e}]

其中(n_i^2 = N_dN_a)，(N_d)适用于发射极区域，(N_a)适用于基极区域。值得注意的是，(\beta_F)依赖于(W)，而(W)会随基 - 集电极结两端电压的增加而减小，这会使(\beta_F)随(V_{CE})略有增加，此现象在 BJT 的大信号(v - i)特性中表现为厄利电压参