1、mos管的等效模型
2、导通过程波形图
t0-t1:驱动电流由0到1,给Cgs电容充电,栅极电压开始上升,直到栅极t1时刻,栅极电压等于MOS管开通的门限电压Vth
t1-t2:MOS管开始导通,漏极电流开始上升,此时MOS工作在可变电阻区域,直到漏极电流Id达到饱和,到达t2区域,此时MOS管完全导通,工作在恒流区,漏极电压开始下降
t2-t3:MOS管完全开通,漏极电压急速下降,所以Vgd电压变化巨快,也就是dv/dt很大,即Cgd两端电压变化很快,而要Cgd两端电压变化很快,需要提供很大电流,因此,原本给Cgs供电的驱动电流基本上被Cgd抽去,导致栅极电压不在升高,也就是造成了米勒平台效应
t3-t4:当漏极电压不再变化时,驱动电流又开始给栅极电容充电,导致栅极电压继续上升,直到达到栅极所提供的电压值。
3、米勒效应的影响与解决方法
米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。因为它延长了MOS的开通时间。同时会降低MOS的开关速度。
解决方法:
1)、驱动电路在G级和S级之间加足够大