硬件工程师入门笔记---三极管和mos管篇（来源--Trent带你学硬件）

一般可以当做开关管来使用，也可以利用三极管的放大特性，来搭建恒流源，恒压源等等，三极管当做开关管来使用的话，三极管输出的是高、低、高、低的方波信号BUCK电源的开关频率在65KHz，也就是回路中的开关每秒钟开关6.5万次 ，使用人的手指去拨动机械开关的话，是达不到这样的速度的，就需要使用电子开关了，而电子开关是通过电流或者电压来控制电路的导通和关闭的，三极管就是一种电子式的开关。

现在的IC技术是日新月异的技术，无论是模拟电路，还是数字电路都能进行IC化或LSI化。观察电视机和计算机内部，除了电源电路以外，几乎所有的电路都被IC化或LSI化，找到晶体管和FET等单个放大器是很困难的。但是，仅仅使用IC和LSI的电路设计，只是选择符合电路设计说明书的性能与功能的IC和LSI，因此不能说是创造性的工作，并且OP放大器出现问题时，不能直接调整，但是，如果是单个晶体管的放大电路，就能采取多种对策。所以还是有必要全面学习三极管的。

当Uce>0.3V的时候，三极管进入放大状态，这跟想象的0.7V有点不一样。即使在增大Uce电压也没什么用了：从0.3V改成100V，输出电流几乎不变。

1.基区结构不改变2.扩散速度不改变3.发射级正偏4.集电极反偏放大区--->c =b截止区:双结反偏,ce断路,发射级的电子不能够流到集电极了饱和区:双结正偏,Uce已经减小到最小了,也就是集电极正偏的时候出现,C,E类似于开关的闭合此时即是b>

但对于交流电，由于其电压的大小和方向不断变化，电容会不断地充电和放电，从而形成电流，就好像交流电“通过”了电容。或者这样理解直流电的电压是恒定不变的，当给电容充电结束后，电容两端的电压就等于电源电压，不会再有电流通过电容了。而交流电呢，它的电压一会儿是正的，一会儿是负的，不停地变化。当电压是正的时候给电容充电，电压变成负的时候电容又放电，这样反复充放电，就有电流不断地通过电容，所以看起来交流电就通过了电容。陶瓷电容的话，如果是多层陶瓷电容，电压裕量留 20%到 30%；电容为什么可以通交流隔直流？

金属膜电阻的精度较高，稳定性好，温度系数小，噪声低，但成本相对较高。薄膜电阻呢，它的阻值范围宽，精度也不错，常用于高精度的电路中。厚膜电阻成本较低，能承受较大的功率，但精度和温度系数一般不如金属膜电阻和薄膜电阻。从价格方面，金属膜电阻相对较贵，厚膜电阻较为便宜。在性能稳定性上，金属膜电阻最佳，厚膜电阻稍逊一筹。精度方面，金属膜电阻和薄膜电阻精度较高，能达到 1%甚至更高，厚膜电阻一般在 5%左右。4、贴片电阻读数：R33--0.33Ω 33R ---33Ω R10 R可看作小数点。

正切角越大，损耗越大。

当NPN为放大状态或饱和状态时，BE二极管导通 ，钳位为UBE=0.7V。管压降 UCE 减小会到饱和区，ic 与UCE有关。UCES 饱和管压降，UCE已经不能再减小了。发射结BE等效为二极管，

现在的IC技术是日新月异的技术，无论是模拟电路，还是数字电路都能进行IC化或LSI化。观察电视机和计算机内部，除了电源电路以外，几乎所有的电路都被IC化或LSI化，找到晶体管和FET等单个放大器是很困难的。但是，仅仅使用IC和LSI的电路设计，只是选择符合电路设计说明书的性能与功能的IC和LSI，因此不能说是创造性的工作，并且OP放大器出现问题时，不能直接调整，但是，如果是单个晶体管的放大电路，就能采取多种对策。所以还是有必要全面学习三极管的。接下来是对三极管分类、晶体管三个直流特性参数以及技术手册看哪些参

LDO原理 LDO参数 LDO手册解读 LDO设计要点及案例分析

全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导器件，作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。 两个PN结的排列方式有两种：PNP和NPN。 三个端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C） 1. 区别 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位...

三极管使用解读 https://blog.csdn.net/u014453443/article/details/81117745

三极管在硬件设计中太过普遍了，不过要很好的理解三级管的特性，却没有那么简单，下图的曲线中截止区和放大区理解较为容易，而饱和区不能看图理解，否则会很迷糊。 （1）截止区：简单的讲就是三极管未导通，Ube<打开电压，一般是小于0.5或者0.7V，此时Ib=0，Ic=Iceo≈0. （2）放大区：发射结正偏（Ube>0）,集电结反偏（Ubc<0），此时Ic=βIb，成线性放大关系。 （3）饱和区：发射结正片，集电结正偏（Uce<Ube）,βIb>Ic,Uce≈0.3V。饱和区的理解较为难，

三极管输出和输入特性曲线分析（共射为例） 一.ib和ube（输出特性曲线）。 1.横轴：ube 2.纵轴：ib 3.第三参数（一族变量）：uce。 当uce为零，c和e极等于短路，为一点，三极管也就可以看成二极管。所以，uce为0的时候可以看成一个二极管的特性曲线。近似二极管ube增大，ib随着ube导通而出现，随后达到稳定。 当uce增大，这里要考虑的开始多子和少子，也就是电子层级的关系，uce增大，ube最大值需要进行一些电场补偿，所以有了ube稳定增大的现象。 二....