注:本文没有 INTERCONNECT 模块
一、结构
由于波导结构用代码写比较麻烦,我就偷懒没写直接复制的官网结构
基底
mesh order设为5,防止其覆盖波导,优先级降低
透明度设为0.2,方便观察波导,一般基底的透明度都设为0.5及以下。
二、添加FDTD
- 功能名称:
force symmetric y mesh
(强制Y方向网格对称) - 作用:
在Y方向(即图中Y分支的对称轴方向)生成 完全对称的计算网格,确保左右分支的网格点一一对
添加ports
选择模式编号的时候,我是点进去计算模式,然后ctrl多选的前两个,都是TE0和TM0模式
三、添加S参数矩阵扫描
界面元素 | 专业功能 | 专业解释 | 通俗操作指南 |
---|---|---|---|
Excite all ports | 全端口激励开关 | 同时激励所有端口(用于快速获取完整S矩阵),但计算量激增 | "群殴模式:让所有端口一起开火,但电脑可能会卡" |
Calculate group delay | 群延迟计算开关 | 勾选后输出信号相位随频率的变化率,用于分析器件延时特性 | "给光速测速仪:看不同颜色的光谁跑得快" |
Add/Delete按钮 | 映射条目增删 | 手动添加/删除端口模式组合(如添加port1 mode3→port4 mode1) | "自定义战斗配对:新增或删除攻击组合" |
Auto symmetry按钮 | 自动对称配对 | 自动识别结构对称性并填充端口映射(如左分支port2镜像匹配右分支port3) | "镜像克隆:把左边的配置自动复制到对称的右边" |
Load default table | 载入默认配置 | 恢复软件预设的端口模式映射(通常按端口顺序1→1, 2→2,...) | "恢复出厂设置:清空所有自定义配对" |
界面元素 | 专业名称 | 专业解释 | 通俗理解 |
---|---|---|---|
Name输入框 | 扫描任务命名 | 标识当前S参数扫描配置,用于脚本调用或结果区分 | "给这次扫描取个名字,比如‘Y分支_优化1’" |
SPAR Layout区域 | 数据导出格式设置 | 选择输出为Lumerical原生格式或Touchstone标准格式 | "选择报告模板:用自家格式还是行业通用格式" |
Include group delay | 群延迟计算选项 | 是否在结果中包含光通过器件的延时数据(τg=−dϕ/dω) | "要不要记录光跑完全程花了多久?" |
S-matrix index表格 | 端口-模式映射表 | 指定每个S矩阵元素对应的物理端口和模式(如S₁₂=port2→port1) | "给每个战斗单位编号:1号弓箭手(port1 mode1)打2号盾牌手(port2 mode2)" |
Auto-define按钮 | 自动对称映射 | 根据结构对称性自动填充端口模式对应关系(如镜像端口配对) | "一键让软件自己匹配对称的端口" |
四、运行脚本
S = getsweepresult("s-parameter sweep", "S parameters"); #从扫频结果中提取S矩阵
# 功率传输系数
S21_TE = pinch(abs(S.S31)^2);
S31_TE = pinch(abs(S.S51)^2);
S21_TM = pinch(abs(S.S42)^2);
S31_TM = pinch(abs(S.S62)^2);
lambda = S.lambda;
# 插入损耗公式 IL=10log10(Pin / Pout)(单位:dB)
Pin = ones(100, 1); # 假设输入功率为1(归一化)
IL1_TE = 10*log10(Pin/S21_TE); # Port2的TE模插入损耗
IL2_TE = 10*log10(Pin/S31_TE); # Port3的TE模插入损耗
IL1_TM = 10*log10(Pin/S21_TM); # Port2的TM模插入损耗
IL2_TM = 10*log10(Pin/S31_TM); # Port3的TM模插入损耗
# 绘制插入损耗曲线
plot(lambda*1e6, IL1_TE, "lambda (um)", "Insertion loss (dB)", "","linewidth = 5, pen = --");
holdon;
plot(lambda*1e6, IL2_TE, "lambda (um)", "Insertion loss (dB)", "","linewidth = 5, pen = -.");
plot(lambda*1e6, IL1_TM, "lambda (um)", "Insertion loss (dB)", "","linewidth = 5, pen = --, color = pink");
plot(lambda*1e6, IL2_TM, "lambda (um)", "Insertion loss (dB)", "","linewidth = 5, pen = -., color = black");
holdoff;
legend("IL port2 TE", "IL port3 TE", "IL port2 TM", "IL port3 TM");
# 绘制功率传输曲线
plot(lambda*1e6, S21_TE, "lambda (um)", "Normalized power transmission", "","linewidth = 5, pen = --");
holdon;
plot(lambda*1e6, S31_TE, "lambda (um)", "Normalized power transmission", "","linewidth = 5, pen = -.");
plot(lambda*1e6, S21_TM, "lambda (um)", "Normalized power transmission", "","linewidth = 5, pen = --, color = pink");
plot(lambda*1e6, S31_TM, "lambda (um)", "Normalized power transmission", "","linewidth = 5, pen = -., color = black");
holdoff;
legend("S21 TE (abs^2)", "S31 TE (abs^2)", "S21 TM (abs^2)", "S31 TM (abs^2)");
下图绘制了Y 分支的分离插入损耗测量从输入端口(端口 1)到每个输出端口(端口 2 和端口 3)插入 Y 分支的信号功率损耗。 插入损耗通常以 dB 为单位。
分析:
分析维度 | 数据特征 | 物理意义 |
---|---|---|
最优工作波长 | 1.54 μm处损耗最低(3.18 dB) | 分支结构在该波长下实现最佳模式匹配 |
偏振相关性 | TE/TM损耗差≈0.5 dB | 存在轻微偏振依赖(可能源于非对称波导截面) |
带宽性能 | 3 dB带宽≈40 nm(1.52-1.56 μm) | 适用于CWDM粗波分复用系统(ITU标准通道间隔20 nm) |
分光均衡性 | Port2/Port3损耗差<0.1 dB | 分支功率分配接近理想1:1分束 |
损耗机制 | 最低损耗>3 dB | 主要源于: • Y分支固有辐射损耗 • 模式转换损耗 • 材料吸收 |
异常波动 | 1.58 μm处TM模损耗突增 | 可能原因: • 高阶模激发 • 材料吸收边效应 |
下图绘制了在 TE 和 TM 模式下从端口 1 到端口 2 和端口 3 的归一化功率传输(s 参数的abs^2)。
分析:
分析维度 | 数据特征 | 物理意义 |
---|---|---|
最优工作波长 | 1.55 μm处TE模达峰值0.48 | 该波长下模式匹配最佳,接近理想1:1分束理论值(0.5) |
偏振相关性 | TE模传输率比TM模高≈0.05 | 波导存在双折射效应(ΔnTE-TM≈0.01) |
带宽性能 | TE模3 dB带宽≈60 nm | 覆盖C波段(1530-1565 nm),适合CWDM应用 |
分光均衡性 | S21_TE/S31_TE比值≈1.02 | 输出端口功率分配均匀(偏离理想值<2%) |
TM模异常点 | 1.58 μm处S31_TM骤降至0.43 | 可能因高阶模耦合或材料吸收边效应 |
曲线平滑度 | TE模波动<±0.01 | 结构设计均匀,无明显模式竞争 |