FPGA实现DDR3读写操作，乒乓操作——FPGA学习笔记1

前言笔者：人生建议从第四章开始看。。。。

一、初认SDRAM

物理 Bank:传统内存系统为了保证 CPU 的正常工作，必须一次传输完 CPU 在一个传输周期内所需的数据。而CPU 在一个传输周期能接受的数据容量就是 CPU 数据总线的位宽当时控制内存与 CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据单位是 bit (位)位宽等同于 CPU 数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理 Bank (Physical Bank) 的位宽。

芯片位宽：每一片SDRAM缓存芯片本身的位宽。

CPU需要多少位宽数据，SDRAM就要提供多少位宽数据，位宽不够使用多片SDRAM级联。、

二、SDRAM操作时序

        1、SDRAM操作指令

CS#：片选  RAS#：行选通  CAS#：列选通  WE#：读写切换  DQM：数据掩码  ADDR：数据总线  DQ：数据  Notes：参考详细说明

        2、指令时序        

                （1）ACTIVE Command（行激活指令）

                （2）READ Command（读，列激活）

                （3）WRITE Command（写，列激活）

                （4）PRECHARGE Command（手动预充电）

                （5）初始化时序,加载模式寄存器

                （6）配置模式寄存器

A0~2:突发模式        A3：突发类型        A4~6:CL延迟        

                    （7）突发读时序

                （8）连续发送读指令时序

                （9）突发写时序

                （10）连续写时序

                （11）禁止指令

三、DDR2 SDRAM

        1、OCD校准

        2、前置CAS、附加潜伏期、写入潜伏期

四、DDR3 SDRAM

        1、与DDR2的区别之处

                （1）突发长度

                （2）寻址时序

                （3）新增重置功能

                （4）新增ZQ校准功能

                （5）参考电压分成两个

                （6）点对点连接

        2、DDR3硬件设计与时序

DDR3

        3、初始化时序

        （1）上电一瞬间RESET拉低保持200us（再次期间其他信号无效）。

        （2）RESET拉高前，CKE至少保持10ns拉低。

        （3）至少等待500us后（期间CK差分始终提前CKSRX时间稳定），CKE拉高。

        （4）CKE拉高后，等待tls时间，后发送NOP指令，继续等待tXPR时间。（期间ODT处于工作状态）

        （5）发送MRS配置指令，每配置一个等待tXPR时间，MRX寄存器配置完成等待tDLIK=tMOD+tZQinit时间。

        （6）在tDLIK等待时间内，发送ZQCL指令，以及NOP指令。到此整个DDR