27、射频集成电路中电感器和变压器的设计与应用

最新推荐文章于 2025-06-20 16:29:00 发布

甲方克星947

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分类专栏：射频IC中电感器与变压器的设计与应用文章标签：射频集成电路电感器变压器

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射频集成电路中电感器和变压器的设计与应用

1. 引言

现代无线通信产业对电路设计师提出了巨大的挑战，尤其是在吉赫兹频率范围内设计更小、更便宜的收发器。为了应对这些挑战，设计师们在硅（Si）射频（RF）集成电路（IC）中引入了片上电感元件（电感器和变压器）。这些元件不仅提高了Si单片低噪声放大器、功率放大器、上变频和下变频混频器以及本地振荡器的性能，还在小信号放大器和混频器中改善了互调失真性能和噪声系数。此外，片上电感器和变压器的引入使得低成本的片上本地振荡器具有良好的相位噪声特性，进一步增强了系统的性能。

为了充分利用这些元件的优势，IC设计师必须能够准确预测和优化片上电感元件的特性。电感值、品质因数（Q）以及相邻元件（片上邻近效应）和衬底损耗的影响都是关键因素。本文将深入探讨片上电感元件的分析、建模和应用，帮助读者理解如何在实际设计中充分利用这些元件。

2. 早期集成电路中的无源器件

在硅集成电路的发展初期，无源器件（如电感器、电容器和变压器）在与有源器件（如晶体管）相比时，扮演的角色相对较小。主要原因在于尺寸差异：有源器件不断缩小，占据的芯片面积越来越少，而无源器件则保持较大尺寸。在低频下，电路设计师尽可能使用模拟无源器件，以使产品更加紧凑和可靠。尽管可以在芯片上制造小值的电容，但制造电感器几乎是不可能的，因为获得足够电感所需的物理面积非常大。此外，基板中的损耗也使得制造高质量的电感器变得极为困难。

随着技术的进步，小型硅片（Si die）成为降低成本和提高可靠性的关键。较大的硅片会导致较低的产量，因此小型硅片更具吸引力。然而，当需要无源器件时，通常采用外部连接而非片上集成。这种方法在所需外部组件数量较少且封装寄生效应可以忽略的情况