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RSS订阅原创 【氮化镓】GaN取代GaAs作为空间激光无线能量传输光伏转换器材料
摘要：西班牙圣地亚哥-德孔波斯特拉大学的研究团队通过TCAD数值仿真，论证了氮化镓（GaN）替代砷化镓（GaAs）作为空间激光无线能量传输光伏转换器基材的优越性。研究表明，GaN器件在10W/cm²功率密度下转换效率达78.5%，较现有GaAs纪录提升9.6%，且在100W/cm²下峰值效率达79.6%。GaN展现出更好的耐高温性（温度系数-1.5mV/K）、耐辐射性和抗串联电阻损耗能力，在1000W/cm²极端条件下仍保持75%以上效率。
2025-07-25 19:46:21
29
原创 【Nature Communications】GaN外延层中位错辅助的电子和空穴输运
中国科学院微电子研究所Yixu Yao团队在《Nature Communications》发表研究，揭示了氮化镓(GaN)外延层中位错对载流子输运的影响机制。研究发现螺位错通过形成电子势垒促进电子泄漏，而刃位错则通过引入空穴陷阱增强空穴输运。结合多种表征技术，证实较高刃位错比例的器件能有效缓解电流崩溃退化。该研究为GaN外延生长优化和缺陷工程提供了重要依据，对提升GaN基电子器件性能具有指导意义。
2025-07-20 19:09:54
178
原创 【非辐射复合】半导体中非辐射载流子复合的双能级机制
2016 年 2 月 16 日，美国国家可再生能源实验室的 Ji-Hui Yang 等人（通讯作者为 Su-Huai Wei）发表文章研究了半导体 CdTe 中非辐射载流子复合的增强机制。文章提出了一个新的双能级复合机制：缺陷先通过一个能级捕获一种载流子形成亚稳态，随后缺陷结构快速变化至稳定态，再通过另一个能级捕获另一种载流子完成复合。以 CdTe 中的 TeCd 2+ 缺陷为例，研究表明这种双能级过程可使复合速率显著提升三个数量级，与实验结果吻合。
2025-07-18 19:44:48
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原创 【氮化镓|PRL】氮空位（VN）解决 LED中载流子注入不对称问题
本文研究了通过缺陷工程优化III族氮化物LED中载流子注入不对称性的问题。研究发现，在GaN/AlN量子阱界面引入氮空位(VN)可显著改善电子弛豫特性，使电子弛豫时间从8.61皮秒缩短至0.15皮秒，接近空穴弛豫时间(0.12皮秒)。通过第一性原理计算和非绝热分子动力学模拟，揭示了VN缺陷态在导带内形成"阶梯"，增强电子-声子耦合，从而加速热电子冷却过程。该研究为优化III族氮化物光电器件性能提供了新思路，通过精确控制缺陷工程解决载流子注入不对称问题。
2025-07-17 16:34:23
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原创 【氮化镓】非辐射复合载流子诱导的瞬态缺陷机制
本文通过第一性原理计算研究了InGaN发光器件中的新型非辐射复合机制。研究发现电子激发态下，弗兰克尔对(FP)缺陷形成能显著降低(从4.42eV降至0.56eV)，形成瞬态缺陷并促进非辐射复合。该过程与传统SRH和AR模型不同，是宽禁带半导体的特有现象。计算表明FP形成时间(160ns)与辐射复合时间(88ns)相当，解释了器件效率下降的机制。研究结果为理解非辐射复合提供了新视角，对提高InGaN器件效率具有重要指导意义。
2025-07-14 17:51:51
35
原创 【氮化镓】势垒厚度对GaN短期可靠性的影响
法国IEMN-CNRS研究所Kabouche等人研究了AlN势垒厚度对GaN HEMT器件可靠性的影响。通过对比3nm与4nm AlN势垒器件在40GHz下的24小时射频应力测试，发现3nm器件在30V、室温下性能稳定，140℃高温下仍保持良好可靠性；而4nm器件在12V即出现显著性能衰减，更高电压下快速失效。研究指出3nm势垒接近临界厚度，缺陷密度低，具有更优的应变特性。该成果为5G/卫星通信等毫米波应用的GaN器件优化提供了重要依据。
2025-07-12 15:21:15
29
原创 【氮化镓】100 V GaN晶体管在关态应力下的双退化
摘要：意大利帕多瓦大学Riccardo Fraccaroli团队在《Microelectronics Reliability》发表关于100V GaN晶体管关态应力退化机制的研究。通过Weibull分析和电致发光测量发现，器件存在双退化模式：强夹断条件下（VGS=-3V）因介质击穿快速失效（β=2.93）；弱夹断条件下（VGS=0V）因热电子陷阱导致电场降低而延长寿命（β=0.92），并伴随正电荷陷阱相关的亚阈值电流增加。电致发光信号显示局部漏电路径与表面缺陷相关。
2025-07-11 20:07:41
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原创 【氮化镓】不同偏压应力下电荷俘获效应导致的P-GaN HEMT阈值电压不稳定性
摘要：意大利研究人员在《Applied Physics Letters》发表关于p-GaN HEMTs阈值电压不稳定性的研究。通过监测不同偏置应力下的栅极电流密度，发现金属/p-GaN/AlGaN/GaN系统中界面电荷俘获是导致阈值电压漂移的主因：低偏置时电子俘获导致正向漂移（VG<6V），高偏置时空穴俘获引起负向漂移（VG>6V）。实验测得电子陷阱能级（67meV和83meV）与氮空位相关，空穴陷阱能级（410meV）与镓空位相关。STEM分析还发现高应力下会产生贯穿界面的错位类缺陷。
2025-07-11 17:06:29
124
原创 【Nature Electronics】【高κ栅介质】（Hf₀.₅Zr₀.₅O₂, HZO）铁电膜集成的二硫化钼（MoS₂）晶体管
2025年6月26日，台湾中兴大学、成功大学等机构的Che-Yi Lin等人在《Nature Electronics》期刊发表文章。基于脉冲激光沉积（PLD）和范德华集成方法，该研究开发了独立式铪锆氧化物（Hf₀.₅Zr₀.₅O₂, HZO）铁电膜并将其集成至二硫化钼（MoS₂）晶体管中作为高κ栅介质。
2025-07-07 18:23:11
988
原创 【氮化镓】GaN帽层对HEMTs栅极漏电机制的影响
浙江大学研究团队通过实验揭示了GaN帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极漏电流的影响机制。研究表明，去除GaN帽层的凹栅器件在高反向偏压下表现出更高的0.86eV陷阱能级，导致漏电流增加。高温反向偏压应力测试显示，凹栅器件在低反向偏压区的漏电机制由温度无关转变为温度相关，但通过高温退火可修复应力引入的陷阱态。该成果为优化高频应用器件可靠性提供了重要依据，建议未来研究可聚焦刻蚀工艺优化和新型介质层引入。论文发表于《AppliedPhysics Letters》2025年7月期。
2025-07-07 13:22:55
402
原创 【氮化镓】氮化镓中应变诱导的深电子态
摘要：德国研究团队通过高分辨率透射电镜与多尺度模拟，发现氮化镓（GaN）中存在新型四核位错结构。研究表明，即使在完全配位的重构核心中，GaN晶格常数小和巨大应变场仍会诱导深电子态，这一发现颠覆了传统认为位错电活性源于核心悬挂键的观点。该成果对理解GaN电子特性及优化光电器件性能具有重要意义，指出应变诱导的深电子态与核心重构无关，为器件设计提供了新思路。相关研究发表于《物理评论快报》（2004）。
2025-06-26 15:22:39
32
原创 【Nature Communications】超高介电常数材料 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）
复旦大学AnQuanJiang团队在《NatureCommunications》发表研究，通过原子层沉积技术制备Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜电容器，结合等离子体处理获得突破性性能：介电常数达921，储能密度584J/cm³，效率近100%。研究揭示了铁电性消失后氧空位有序排列产生超高介电常数的机制，并通过同步辐射衍射和STEM分析证实了微观结构转变。该材料在85-300K温度范围内保持稳定，经1万亿次循环后仍能维持100μC/cm²电荷密度，为高密度DRAM和CMOS器件集成提供了新方案。
2025-06-22 21:11:55
1015
原创 【nature review】原子尺度上光与物质的相互作用
2021年发表在《Nature Reviews Physics》上的原子尺度光-物质相互作用研究综述。通过将扫描隧道显微镜(STM)与光子学技术结合，实现了皮米级空间分辨率和亚飞秒时间分辨率，揭示了光与原子、分子及纳米结构相互作用的四种主要机制：光诱导隧穿、非弹性隧穿、光激发态产生及辐射衰减。研究展示了太赫兹脉冲对电子隧穿的相干控制能力，实现了单分子荧光与等离子体耦合观测，发展了尖端增强拉曼光谱(TERS)和单原子电子自旋共振(ESR)等先进技术。
2025-06-21 14:30:21
1400
原创 【电声耦合】TaOsSi和NbOsSi超导中的电子-声子耦合
摘要：雷兵华和David J. Singh团队通过电子-声子耦合方法研究了TaOsSi和NbOsSi的超导特性，发现它们具有高度各向异性的连续变化能隙，且存在近费米能级的狄拉克点。研究表明其超导性可用常规电子-声子耦合解释，而非传统两能隙模型。该成果对理解拓扑超导体的机制及探索强自旋轨道耦合的超导体具有重要意义。相关成果发表于2025年6月的《Physical Review B》期刊。
2025-06-14 12:48:41
574
原创 【氮化镓】GaN HEMT器件中Ec-0.9eV缺陷位置识别
2022 年 12 月 9 日，哈尔滨工业大学的万鹏飞等人在《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》期刊发表了题为《Location identify of EC - 0.9 eV trap in AlGaN/GaN high electron mobility transistors》的文章，实验结果表明，该研究的结果对深入理解 AlGaN/GaN HEMTs 的辐照效应、明确缺陷位置以及提升其抗辐射性能具有重要意义。
2025-06-12 09:32:17
203
原创 【氧化镓】HTFB应力对β - Ga2O3 SBD的影响
西安电子科技大学Sunyan Gong等人研究了高温正向偏置（HTFB）应力对垂直Pt/Au β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）电学性能的影响。实验显示，在200℃、13V应力下持续10ks后，器件正向电流密度下降60%，反向漏电流增加四个数量级，且性能退化不可逆。通过电导-频率分析和STEM表征发现，Pt扩散导致界面态密度显著增加，进而影响势垒高度与载流子传输。研究揭示了界面退化是性能劣化的主因，为提升β-Ga₂O₃器件可靠性提供了关键依据。
2025-06-07 19:56:17
110
原创 【缺陷】温度对半导体缺陷电荷态跃迁能级的影响
2022年3月8日，北京计算科学研究中心的黄兵等人在《Physical Review B》期刊发表研究，探讨了半导体中缺陷的电荷态转变能级（εα(q/q’)）随温度的变化规律。研究基于密度泛函理论结合准谐近似方法，推导了温度依赖的基本公式，并建立了分析施主和受主缺陷能级变化的两条基本规则。研究发现，εα(q/q’)随温度变化呈现多样化行为，包括变浅、变深或保持不变，这主要由自由能修正和带边变化的协同或拮抗效应决定。
2025-06-05 20:49:01
118
原创 【氮化镓】钝化层对p-GaN HEMT阈值电压的影响
该研究基于二次离子质谱（SIMS）、光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）等方法，研究了在Au-free gate-first工艺中，SiN和SiO₂两种钝化层对p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）阈值电压（VTH）特性的影响。
2025-06-03 17:03:57
319
原创 【氮化镓】GaN HMETs器件物理失效分析进展
文中先介绍失效分析流程，包括使用 EMMI 定位失败区、FIB 解剖、SEM 等观察截面与元素分析、TCAD 模拟找原因等步骤；再详细阐述静电放电（ESD）、高电应力、高热应力、高磁场以及辐照效应等不同条件下的失效机制，像 ESD 下金属迁移、寄生 SBD 击穿等，高电应力下电化学反应致结构变形等现象；最后讨论了表面钝化、栅极凹槽深度、接触结构以及几何结构优化等优化方法。
2025-06-03 16:17:01
385
原创 【NATURE氮化镓】GaN超晶格多沟道场效应晶体管的“闩锁效应”
2025年X月X日，布里斯托大学的Akhil S. Kumar等人在《Nature Electronics》期刊发表了r-文章，基于AlGaN/GaN超晶格多通道场效应晶体管的研究，通过实验测量、模拟和电致发光成像，首次在GaN基多通道晶体管中观察到类似硅基器件的“闩锁效应”，即在高于14V的漏极偏压下，漏极电流会从“关断态”急剧变化到“高电流通态”，并在低于60 mV/decade的阈值电压范围内出现极陡峭的亚阈值斜率。
2025-05-29 14:38:08
376
原创 【SiC】重离子辐照SiC功率器件缺陷的形成
本文研究了重离子辐照对SiC功率MOSFETs可靠性的影响。通过宽束和微束重离子辐照实验，结合成像光致发光（PL）光谱学分析，发现辐照后器件出现局部亮斑异常，微分PL方法揭示了零声子线（ZPL）与声子边带（PSB）耦合特征，证实堆垛层错（SF）的形成。研究表明，不同离子种类和辐照模式均会导致相似的缺陷结构，这些扩展缺陷可能是导致单事件泄漏电流（SELCII）退化的关键因素。该发现对提升空间应用SiC功率器件的抗辐射性能具有重要意义。
2025-05-25 02:00:00
1583
原创 【电池】极端环境对锂离子电池的影响-【2.5万字解析】
本文系统综述了极端物理场（辐射场、超声场、重力场、磁场和温度场）对锂离子电池工作行为的影响机制。研究表明，这些外部物理场通过改变液相传质、界面形成与电化学沉积过程，对电池性能产生双重影响：辐射场会引发电解液分解和电极结构损伤；超声场能优化传质动力学但可能破坏沉积结构；超重力场可增强传质和界面稳定性；磁场通过磁流体动力学效应改善离子分布；极端温度则显著影响电解液稳定性和界面动力学。文章还探讨了多物理场耦合效应及应对策略，为开发适用于深空和深海探测的高性能特种锂离子电池提供了理论指导。
2025-05-24 20:02:16
956
原创 【缺陷】GaN和AlN中的掺杂特性
1997年5月9日，北卡罗来纳州立大学的P.Bogusławski和J.Bernholc等人在《Physical Review B》期刊发表了一篇关于碳（C）、硅（Si）和锗（Ge）在氮化镓（GaN）和氮化铝（AlN）中掺杂特性的研究。该研究采用量子分子动力学方法，详细分析了这些杂质在不同晶体位置上的取代构型、电子结构及掺杂效率。研究发现，Si和Ge在GaN中作为浅施主，而在AlN中Ge则变为深施主；C在GaN中为浅施主，在AlN中则为深施主。
2025-05-20 18:10:24
273
原创 【氮化镓】低剂量率对GaN HEMT栅极漏电的影响
探讨了低剂量率辐照下基于GaN的p型栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅漏退化机制。研究通过60Co γ射线源对p-GaN HEMTs进行辐照，结合实验分析和TCAD仿真，发现负向阈值电压变化及栅漏电流增加主要由于p-GaN/AlGaN界面附近供体类陷阱的形成，这些陷阱由辐照过程中的去氢化作用引发。TCAD仿真进一步指出，陷阱辅助隧穿（TAT）过程是栅漏电流增加的主要机制。该研究为理解低剂量率辐照环境下p-GaN栅HEMTs的辐射诱导陷阱对电学参数退化的作用提供了重要理论支持。
2025-05-20 16:32:03
391
原创 【氮化镓】偏置对GaN HEMT 单粒子效应的影响
2025年5月19日，西安电子科技大学的Ling Lv等人在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊发表了题为《Single-Event Effects of AlGaN/GaN HEMTs Under Different Biases》的文章，基于实验和TCAD仿真模拟方法，研究了单粒子效应对关断状态、半开启状态和开启状态下AlGaN/GaN HEMT器件的影响。
2025-05-19 18:52:52
411
原创 【氮化镓】关态下负栅压对 p-GaN HEMTs 单粒子效应的影响
2025年5月，电子科技大学的Xintong Xie和成都信息工程大学的Xiaorong Luo等人在《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》期刊发表了一篇关于p-GaN HEMTs在关断状态下负栅极电压（VGS）对单粒子效应（SEE）抗性影响的研究。该研究通过实验和Sentaurus TCAD仿真方法，探讨了100-V E模式p-GaN HEMTs在重离子辐照下的表现。实验使用回旋加速器产生的Ta离子进行辐照，仿真则构建了包含p-GaN层、AlGaN障碍层等结构的模型。
2025-05-19 16:59:56
225
原创 【PRB】1.5w字深度解析GaN中最浅的受主缺陷
2025年1月16日，Virginia Commonwealth University的M.A. Reshchikov和SUNY–Albany的B. McEwen等人在《Physical Review B》期刊发表了题为《Identity of the shallowest acceptor in GaN》的文章，研究了氮化镓（GaN）中最浅的受主缺陷。通过光致发光实验和第一性原理计算，研究团队发现Be掺杂GaN中的3.38 eV紫外发光带（UVLBe）是由BeGaONBeGa复合体引起的，其离化能仅为0.
2025-05-18 20:55:39
204
原创 【动态导通电阻】GaN HEMT动态导通电阻的精确测量
2023年7月，瑞士洛桑联邦理工学院的Hongkeng Zhu和Elison Matioli在《IEEE Transactions on Power Electronics》期刊发表文章，提出了一种稳态测量方法，用于研究氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的动态导通电阻（Ron）。实验结果显示，商业GaN器件在稳态下的动态Ron变化显著，稳定时间可达数分钟且与电压相关。传统的脉冲测量方法由于测试时间不足，可能导致结果不准确。该
2025-05-16 14:57:54
828
原创 【氮化镓】HfO2钝化优化GaN 器件性能
2025年，南洋理工大学的Pradip Dalapati等人在《Applied Surface Science》期刊发表研究，探讨了外延HfO₂钝化层对原位Si₃N₄/AlN/GaN基MIS-HEMTs性能的提升及其在高能X射线辐照下的退化抑制效果。研究通过X射线光电子能谱（XPS）和电学特性测试，发现HfO₂钝化层能有效钝化表面陷阱，显著提高器件的最大漏极电流和峰值跨导，同时降低电流崩溃现象。在X射线辐照后，具有HfO₂钝化层的器件性能退化率明显低于未钝化器件，展现出较好的辐射硬化特性。
2025-05-15 18:41:48
213
原创 【氮化镓】AlGaN合金中成分相关的辐射响应
2025年，宾夕法尼亚州立大学Miaomiao Jin团队通过分子动力学模拟，研究了AlGaN合金中铝含量对辐射响应的影响。研究发现，随着铝含量增加，单次碰撞产生的缺陷减少，但富铝系统在高剂量下更易形成扩展间隙缺陷簇，导致损伤加剧。25%铝含量的合金表现出最小的整体辐射损伤。该研究为优化AlGaN材料的抗辐射性能提供了原子尺度的理论支持，有助于开发适用于高辐射环境的电子器件。研究还揭示了缺陷形成与铝含量之间的复杂关系，为未来材料设计提供了重要参考。
2025-05-14 23:39:06
178
原创 【nature communications】负微分电阻（NDR）诱导的CNT-TFTs电流超饱和现象
2025年，北京大学的Guanhua Long等人研究了基于碳纳米管薄膜晶体管（CNT-TFTs）的超饱和特性，发现其具有由负微分电阻（NDR）效应诱导的电流超饱和现象。实验表明，CNT-TFTs在不同工作点可实现从10²到10⁶的内在增益变化，且在器件尺寸缩小至深亚微米区域时仍能维持高增益特性，展现出对缩放过程的免疫性。与传统的硅基晶体管相比，CNT-TFTs在柔性电子器件中表现出优异的性能，如高增益、宽NDR窗口和出色的静电控制能力。
2025-05-14 16:25:55
176
原创 【氮化镓】电子辐照下温度对GaN位移阈能的影响
2024年，华东师范大学彭胜国团队利用从头算分子动力学（AIMD）方法，探究了低能电子束辐照下温度对氮化镓（GaN）位移阈能（TDE）的影响。研究发现，在40至80eV的初始动能范围内，镓（Ga）和氮（N）原子作为初级击出原子（PKAs）时，其位移行为对温度的响应不同：Ga的TDE随温度升高而增加，且位移不确定性增强；而N的TDE受温度影响较小，位移更易发生。该研究为理解GaN在辐照环境下的缺陷形成机制提供了理论依据，对提升电子器件的辐射抗性具有重要意义。
2025-05-13 17:47:00
234
原创 【氮化镓】GaN在不同电子能量损失的SHI辐射下的损伤
氮化镓（GaN）作为一种高效能半导体材料，在高频应用和极端辐射环境中展现出显著优势。本文通过原子级模拟（TTM-MD）和透射电子显微镜（TEM）实验，深入研究了快速重离子（SHI）辐射对GaN的影响。研究结果表明，SHI辐射在GaN中形成熔融轨迹，随后通过再结晶过程恢复晶体结构。模拟与实验结果高度一致，验证了TTM-MD模型在预测GaN损伤行为中的有效性。此外，研究还揭示了电子能量损失与材料损伤阈值之间的关系，为未来在辐射环境下的GaN应用提供了重要参考。
2025-05-12 15:55:51
1102
原创 【氮化镓】横向GaN 器件注入隔离区的电场相关载流子传输特性
2025年，宾夕法尼亚州立大学的Mansura Sadek团队研究了GaN横向功率器件中注入隔离区的电场依赖载流子传输特性。通过制备不同条件的隔离测试结构并进行电学特性测试，发现泄漏电流和击穿特性主要由注入的GaN区域决定，与缓冲层和未故意掺杂GaN无关。研究揭示了载流子传输在低、中、高电场下的不同特性，并指出击穿主要发生在注入区。该研究为优化GaN功率器件性能、提高击穿电压提供了理论依据，对推动GaN功率器件的发展和应用具有重要意义。
2025-05-12 15:39:32
191
原创 【动态导通电阻】软硬开关下GaN器件的动态RDSON
2019年，浙江大学的Rui Li、Xinke Wu等人基于双脉冲和多脉冲测试方法，研究了在硬开关和软开关条件下商用氮化镓（GaN）功率器件的动态导通电阻（R DSON ）特性。实验结果表明，不同GaN器件在硬开关和软开关条件下的动态R DSON 表现出不同的行为，这些行为受关断电压和频率的影响，且与器件技术相关。该研究还通过数值模拟验证了导致动态R DSON 增加的主要陷阱机制。研究结果对GaN基转换器的设计和损耗估算具有重要意义，为深入理解GaN功率器件的动态特性提供了实验和理论基础。
2025-05-10 17:25:26
296
原创 【动态导通电阻】p-GaN HEMTs正向和反向导通下的动态导通电阻
2024年，浙江大学的研究团队通过多组双脉冲测试方法，深入研究了两种商用p-GaN栅极HEMTs在正向和反向导通模式下的动态导通电阻（RON）特性。研究发现，肖特基型p-GaN栅极HEMTs在反向导通时动态RON比正向导通高3%-5%，而混合漏极嵌入栅注入晶体管在反向导通时动态RON降级较轻，降低约10%。此外，随着漏极电流（IDS）的增加，两种器件在反向导通时动态RON先减小后增加，形成“谷底”现象。
2025-05-09 19:50:48
475
原创 【TACD模拟】质子辐照对GaN器件临界电压增加的影响机制
2013年，佛罗里达大学的Erin Patrick等人研究了质子辐照对AlGaN/GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管）的影响，旨在探索辐照后临界电压增加及器件可靠性提升的物理机制。AlGaN/GaN HEMTs因其宽禁带、高击穿场强和高电子迁移率等特性，在商业和军事领域具有广泛应用前景，但其长期可靠性问题，尤其是栅极边缘的坑状缺陷，限制了其性能。研究通过实验和仿真结合的方法，利用TRIM和FLOODS模型，分析了质子辐照对器件电学性能的影响。
2025-05-09 17:30:26
200
原创 【动态导通电阻】 GaN PiN二极管电导调制对动态 RON 的影响
文章通过对垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中电导调制的瞬态行为及其对动态 RON 性能的影响的研究发现，通过增加 tON 和 ION，可以进一步增强垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中的传导调制，从而实现负动态 RON 性能。直接带隙 GaN 垂直 PiN 二极管能够实现传导调制、负动态 RON 和超短本征少数载流子寿命，因此在高功率和高频应用中具有很大的潜力。
2025-04-29 20:08:43
317
原创 【动态导通电阻】GaN功率器件中动态导通电阻退化的机制、表征及建模方法
研究目的：鉴于动态RON退化对GaN功率器件性能的显著影响，本文旨在全面综述和讨论GaN功率器件中动态RON退化的机制、表征方法、建模技术以及解决方案，以期为GaN功率器件的设计、优化和应用提供理论指导和实践参考。内容概述：文章首先分析了缓冲层陷阱和栅极不稳定导致动态RON退化的物理机制，并通过物理基础的TCAD模拟与高压背栅测量结果进行对比，揭示缓冲层陷阱的充电/放电过程如何影响动态RON。接着，讨论了不同GaN器件技术中栅极不稳定引起的动态RON增加以及栅极过驱动的作用。
2025-04-29 15:32:57
560
【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用
2024-04-03
空空如也
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