【氮化镓】GaN HEMT SEEs效应影响因素和机制

研究背景：AlGaN/GaN HEMT因其在高电压、高温和高频率下的操作能力而受到关注，尤其在航空航天和汽车应用中，其辐射响应变得尤为重要。重离子辐射可能导致绝缘体失效，即单事件效应（SEEs）引起的栅介质击穿。

实验目的：研究AlGaN/GaN HEMT在不同偏压、离子LET（线性能量传递）、辐射通量和总粒子数下对重离子辐射的耐受性。

实验方法：

• 使用Texas Instruments制造的600 V GaN功率级的关键组件进行测试。
• 在Texas A&M University的辐射效应设施中进行重离子辐射实验。
• 使用不同能量的Ne、Ar和Cu离子，通过铝衰减器改变LET。
• 实验包括恒定粒子数实验和粒子数至失效实验。

实验结果：

• 观察到重离子诱导的栅介质退化，包括软击穿（SBD）和硬击穿（HBD&#