【氮化镓】在轨实验研究辐射对GaN器件的影响

【Pioneering evaluation of GaN transistors in geostationary satellites】

摘要：

这篇论文介绍了一项为期6年的空间实验结果，该实验研究了在地球静止轨道上辐射对氮化镓（GaN）电子元件的影响。实验使用了四个GaN晶体管，以Colpitts振荡器配置搭载在Alphasat通信卫星的组件技术测试床上。通过监测振荡器的功率输出随任务期间累积的总电离剂量的变化，进行了启发式分析。实验结果表明，GaN是一种强大的技术，可以用于地球静止轨道上的空间辐射环境中。 该研究首先简要介绍了主题、动机和主要目标，接着描述了实验设置，包括振荡器设计的详细信息和模拟，以及测试床和组件技术测试床的实施。最后，讨论了在空间中6年经验期间获得的结果。 2012年，由EFACEC、Instituto de Telecomunicações、EVOLEO Technologies、Laboratório de Instrumentação e Física Experimental de Partículas (LIP)和Ferdinand-Braun-Institut (FBH)组成的财团开始了一个由欧洲航天局资助的项目，旨在开发多个基于氮化镓（GaN）的射频晶体管，用于空间和军事应用。目标是验证和探索在地球静止卫星中使用欧洲生产的GaN技术的可能性。如果GaN能在空间条件下成功运行，欧洲卫星制造商将受益于拥有创新且