【氮化镓】陷阱对GaN器件PAE和线性度影响的建模

总结：

文章的标题是《Investigation of Traps Impact on PAE and Linearity of AlGaN/GaN HEMTs Relying on a Combined TCAD–Compact Model Approach》，由 Petros Beleniotis 等人撰写，发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上。

提出了一种结合 TCAD 物理模型和紧凑模型的新方法，用于分析和预测 GaN HEMTs 的射频性能，特别是考虑到陷阱效应对功率附加效率和线性度的影响。通过 TCAD 校准的紧凑模型能够准确地模拟射频大信号性能，并与实验数据吻合良好。此外，该方法还提供了一种将 TCAD 与射频大信号模拟直接联系起来的新途径，有助于理解陷阱密度对 HEMT 性能的具体影响，从而为 GaN HEMTs 的设计和优化提供了有力的工具。。

I. 引言

文章强调了对 GaN HEMTs 微波功率性能进行基于物理的分析的重要性，并指出了 TCAD 软件在预测和分析 GaN HEMTs 的射频性能方面存在的一个关键差距。尽管商业 TCAD 软件可以预测 GaN HEMTs 的直流、小信号射频和脉冲测