【氮化镓】TCAD模拟研究缓冲层对器件SEB的影响机制

这篇文章是西安电子科技大学郝跃院士团队关于p-GaN门高电子迁移率晶体管（HEMTs）在单粒子烧毁（SEB）性能方面的研究，特别关注了缓冲层参数对SEB的影响。文章通过技术计算机辅助设计（TCAD）模拟来分析不同缓冲层电子迁移率和重离子入射深度对SEB特性的影响。

引言（Introduction）

引言详细介绍了GaN基HEMTs的吸引力，特别是在航空航天和卫星电源应用中。这些设备因其宽带隙、高浓度的二维电子气（2DEG）、高临界电场强度、高电子迁移率和出色的抗辐射性能而受到青睐。然而，传统的AlGaN/GaN HEMT设备受到极化效应的影响，导致在零偏压下无法耗尽通道中的2DEG。因此，研究者们一直在寻找能够在零门极偏压下实现关闭状态的增强型（E-Mode）HEMT设备。p-GaN门HEMTs因其在零偏压下能够耗尽2DEG而受到工业界的认可。

模拟设置（Simulation Setups）

文章的这一部分描述了用于分析p-GaN HEMTs SEB特性的TCAD模拟器的设置。模拟过程中，重离子的入射位置被固定在靠近漏极的栅极边缘。文章详细描述了器件的结构定义和模型校准，包括外延生长在硅基底上的GaN缓冲层、GaN通道层、Al0.15Ga0.85N势