【氮化镓】电子辐照下温度对GaN位移阈能的影响

2024年，华东师范大学的彭胜国等人基于从头算分子动力学（AIMD）方法，研究了低能电子束辐照下温度对氮化镓（GaN）位移阈能（TDE）的影响。实验结果表明，在初始动能40至80 eV的范围内，镓（Ga）和氮（N）原子作为初级击出原子（PKAs）引发的位移对温度呈现不同的敏感性：Ga 的TDE随温度升高而增加且位移不确定性显著增强，而N 的TDE受温度影响较小且位移更容易发生。该研究为理解GaN在辐照环境下的缺陷形成机制提供了理论支持，对提升电子器件的辐射抗性具有重要意义。

一、引言

（一）研究背景

电子器件在辐射环境下，如太空、核电站等场景中应用时，不可避免地会遭受辐照。这种辐照会引入缺陷，最终导致器件性能退化。因此，提升电子器件的抗辐射能力对于保障器件可靠性具有极其重要的意义。阈位移能（TDE）作为衡量材料抗辐射性能的关键指标，它指的是原子发生永久位移损伤所需的最小动能。TDE值越大，表明原子越难以发生位移，材料的抗辐射性能就越强。像氮化镓（GaN）这类材料，由于其具有较宽的禁带宽度和强化学键，其TDE高于硅，因此被广泛应用于高温和抗辐射器件中。基于TDE，可以利用Norgett-Robison-Torrens（NRT）方程预测辐照产生的点缺陷数量。此外，在模拟质子和离子辐照过程（如在物质中离子的阻止和射程模拟，即SRIM模拟）时，准确的TDE值对于精确模拟辐照损伤至关重要。

（二）研究现状

直接测量TDE较为困难，通常通过相对论原子