【氮化镓|PRL】氮空位（VN）解决 LED中载流子注入不对称问题

2025 年 7 月 8 日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的 Yuxin Yang 等人，在《PHYSICAL REVIEW LETTERS》期刊发表了题为《Overcoming Asymmetric Carrier Injection in III-Nitride Light-Emitting Diodes through Defect Engineering》的文章。基于第一性原理计算结合非绝热分子动力学（NAMD）模拟方法，研究了在 GaN/AlN 量子阱（QW）界面引入氮空位（VN）对解决 III 族氮化物发光二极管（LED）中载流子注入不对称问题的影响。实验结果表明，VN 的引入使电子弛豫时间从 8.61 皮秒缩短至 0.15 皮秒，接近空穴弛豫时间（0.12 皮秒），极大改善了载流子注入不对称问题，为优化 III 族氮化物基光电子器件的性能提供了新思路。

一、引言部分：研究背景与问题提出

（一）引言的宏观语境铺垫

文章开篇立足于半导体产业整体发展脉络，精准锚定缺陷工程这一关键要素，阐述其在半导体技术革新中的双面性——既可能是性能瓶颈，亦能成为调控半导体特性的关键抓手。这一宏大背景的勾勒，使得读者迅速明晰本研究并非局限于微观的技术改良，而是处于半导体产业迭代升级的关键维度。作者提及 GaN 作为半导体家族的关键成员，在光电子领域如 LED、激光二极管以及功率电子器件中占据核心地位，这一表述不仅彰显了研究对象的重要性，更是为后续探讨其在实际器件应用中的瓶