Tcl与Design Compiler （四）——综合库（时序库）和DC的设计对象

        前面一直说到综合库/工艺库这些东西，现在就来讲讲讲综合库里面有什么东西，同时也讲讲synopsys的Design Ware库。主要内容分为三个部分：标准单元库、DC的设计对象、Design Ware库。

（1）标准单元库

　　绝大多数的数字设计流程都是基于标准单元的半定制设计流程。标准单元库包含了反相器、缓冲、与非、或非、与或非、锁存器、触发器等等逻辑单元综合模型的物理信息，标准单元是完成通用功能的逻辑，具有同等的高度（宽度可以不同），这样方便了数字后端的自动布局布线。

① 概述

        一个ASIC综合库包括如下信息：

• 一系列单元（包括单元的引脚）。
• 每个单元的面积（在深亚微米中，一般用平方微米表示，在亚微米工艺下，一般用门来称呼，至于具体的单位，可以咨询半导体制造商）。
• 每个输出引脚的逻辑功能。
•  每个输入到输出的传递延时，输出到输出的传递延时；inout到输出的传递延时。

② 内容与结构

        Synopsys的工艺库是一个.lib文件，经过LC编译后，产生.db文件。工艺库文件主要包括如下信息:

• 单元（cell）（信息）：主要有  功能、时间（包括时序器件的约束，如建立和保持）、面积（面积的单位不在里面定义，可按照规律理解，一般询问半导体厂商）、功耗、测试等。
• 连线负载模型（wire load models）：电阻、电容、面积。
• 工作环境/条件（Operating conditions）:制程（process）（电压和温度的比例因数k，表示不同的环境之间，各参数缩放的比例）
• 设计规则约束（Design ）:最大最小电容、最大最小转换时间、最大最小扇出。

        工艺库的结构如下所示：

        文本描述如下所示：　　　　　

        这里以TSMC90nm工艺库为例，用slow.lib这个库来给大家介绍：

        库总共三万多行，不可能每一行都解说，因此按照结构进行介绍。

        打开这个.lib文件，可以看到最前面：

        前面是注释，描述：名称、制程（是慢的模型）、电压、温度等数据信息。

        接下来才是真正的库的信息：

库组（大结构）：

        Library（library_name）{

        ......        ......

        }

1.首先是库属性描述：

        下面是解释：

·通用属性描述（general attribute）：

        主要是工艺类型、延迟模型、替代交换方式、库特征、总线命名方式等信息

        工艺类型：这个库没有给出，主要用来说明这个库是CMOS工艺还是FPGA工艺。默认是CMOS工艺。

        延迟模型：指明在计算延迟时用的那个模型，主要有generic_cmos(默认值)、table-lookup(非线性模型)、piecewise-cmos(optional)、dcm(Delay Calculation Module)、polynomial。这个库使用的非线性模型。

        替代交换方式：这里选的是匹配封装的方式。具体的信息可以查阅其他治疗或者询问半导体厂商。

        库特征：报告延迟计算，也就是这个库具有延迟计算的特征。

        总线命名方式：定义库中总线命名规则。例如：bus_naming_style:"Bus%spin%d";这个库没有进行总线规则的命名。

·库的文档资料属性（document attribute）：

        主要是库的版本、库的日期、还有注释。例如：

　　        用库报告命令report_lib可显示日期例如：Date:"Wed Jun 22 12:31:54 2005"。

　　        修正版属性定义库的版本号码，例如Revision:1.3;

　　        注释属性用于报告report_lib命令所显示的信息,如版权或其他产品信息。例如:Comment:"Copyright (c) 2005 Artisan Components, Inc.  All Rights Reserved.”

·定义单位属性（unit attribute）：

 　　 Design Compiler工具本身是没有单位的。然而在建立工艺库和产生报告时，必须要有单位。库中有6个库级属性定义单位:time_ unit(时间单位)、voltage_unit(电压单位)、current_  unit(电流单位)、pulling_resistance_unit(上/下拉电阻单位)、capacitive_load_unit(电容负载单位)、leakage_power_unit(漏电功耗单位)。

    单位属性确定测量的单位，例如可在库中用毫微秒(nanoseconds)或皮法拉(picofar-ads)作为时间和电容负载的单位。

　　注：关于面积的单位，前面已经说了，这里不再详述。

2.接下来是环境描述：

　　主要包括操作条件（operation conditions）、临界条件定义（threshold definitions）、默认的一些环境属性（default attributes）、一些（时序、功耗）模型（templates）、比例缩放因子（k-factors）、I/O pad属性（pad attributes）、线负载模型（wire-loads）。

　　·操作条件（operation conditions）：