电源设计-反激(FLYBACK)

1、反激的常见应用场合

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​​​​反激变换器:开关管截止时间向负载输出能量的变换器,现实中常指隔离型反激变换器。
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反激是最简单的,实现隔离,宽输入输出电压比的高性价比方案。

2、DCM模式反激原理

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DCM模式比CCM模式更常见。
有三种模式:
1、首先,原边导通的时候,电感电流或者说变压器的原边电流会增大;
2、然后MOS管关断之后,左边的电流是不能去了,下面感应成正的,上面感应成负的;这个时候原边的电流是会把MOS管的结电容充起来,充起来之后,正端电压会升起来,副边的正端电压也会升起来,超过输出电压时,二极管导通。
3、这个时候中间有一个换流过程,续流的过程中,副边的电流会下降,下降到0的时候,二极管自然过零。二极管此时也自然不导通,副边电流没了,原边电流也会没有。

3、反激电路漏感和寄生参数的影响

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一般原边放在里面,副边的放在外面。会有一些没有耦合的磁路,会有漏感
看到MOSFET的时候,也要看MOS的

<think>好的,用户的问题是关于变压器中漏感大于源极感量的原因及影响。首先,我需要明确几个关键概念:漏感、源极感量(可能指的是主电感或励磁电感),以及它们在变压器中的作用。根据之前的引用内容,漏感是由于磁通未能完全耦合到次级绕组而产生的,这部分电感无法传递能量,而会储存能量。而源极感量可能是指初级侧的主电感,也就是励磁电感,它负责储存能量并在开关管关闭时传递到次级侧。 接下来,用户问为什么漏感会大于源极感量。这可能涉及到变压器的设计因素,比如耦合度低、气隙过大、绕组结构不合理等。需要结合引用中的信息,比如气隙增大导致磁阻增加,影响耦合效率,从而增加漏感。此外,绕组的排列方式也会影响漏感的大小,如果初级和次级绕组没有紧密耦合,漏感就会增大。然后是关于影响部分,漏感过大会导致开关管承受电压尖峰,增加损耗,甚至损坏元件。同时,漏感储存的能量无法传递到次级,导致效率下降,EMI问题加剧。这些都需要详细说明,并结合实际应用中的情况,比如如何通过RCD钳位电路来吸收这些能量。 还需要检查是否有其他因素,比如材料特性、工作频率等,但根据用户提供的引用,主要关注点可能在结构和设计参数上。需要确保回答结构清晰,分点列出原因和影响,并引用提供的资料来支持论点。最后,生成相关问题时要围绕变压器的设计、优化、测量等方面,帮助用户进一步深入了解。例如,如何测量漏感,优化耦合度的方法,漏感对效率的影响等。</think>### 变压器漏感大于源极感量的原因及影响 #### 一、基本概念 1. **漏感**($L_{leak}$):指变压器初级绕组与次级绕组之间未完全耦合的磁通所等效的电感,这部分能量无法传递到次级侧[^1]。 2. **源极感量(励磁电感)**($L_m$):指变压器初级侧用于储存能量的主电感,在拓扑中负责在开关管关闭时将能量传递到次级侧[^2]。 --- #### 二、漏感大于励磁电感的**原因** 1. **磁路设计缺陷** - 气隙过大或磁芯材料导磁率低会导致磁阻增加,降低磁通耦合效率,漏感显著上升[^2]。 - 公式体现:$$L_{leak} \propto \frac{N_p^2 \cdot \mu_0 \cdot A}{l_{leak}}$$($l_{leak}$为漏磁路径长度) 2. **绕组结构不合理** - 初级与次级绕组未采用交错绕制或分层不当,导致磁通分布不均匀,漏感增大。 3. **高频效应** - 在高频工作下,趋肤效应和邻近效应加剧,进一步降低有效耦合面积,放大漏感比例。 --- #### 三、漏感过大的**影响** 1. **电压应力与损耗** - 漏感储能会在开关管关断时产生电压尖峰($V_{spike} = L_{leak} \cdot \frac{di}{dt}$),可能损坏MOSFET[^2]。 - 需额外增加RCD钳位电路吸收能量,导致系统效率下降。 2. **能量传递效率降低** - 漏感能量无法传递到次级侧,直接转化为热量($E_{loss} = \frac{1}{2}L_{leak}I_p^2$),降低整体效率。 3. **EMI问题加剧** - 漏感引起的振荡会通过寄生电容耦合到地线,导致电磁干扰超标。 --- #### 四、设计改进方向 1. 优化绕组结构(如三明治绕法) 2. 调整气隙长度平衡磁饱和与漏感 3. 使用低损耗磁芯材料(如铁氧体) ---
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