MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

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静电击穿一般分为两种类型:

一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;

二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。

二、MOS管被击穿的原因及解决方案?

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C),将管子损坏。

虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。

组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选择一个内部有保护电阻的MOS管应。

还有,由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件的输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

三、MOS栅源(G-S)极下拉电阻有什么作用?

MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小的电荷可以储存很长时间。

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在试验中G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了,一般可以10~20K。这个电阻称为栅极电阻。

  • 作用1:为场效应管提供偏置电压;

  • 作用2:起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。

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第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理。保护栅极G~源极S,场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压。

如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极。这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

<think>嗯,用户问的是,如果个电阻与MOS管并联,这个电阻的作用是什么。首先,我需要回忆MOS管的基本结构和常见应用。MOS管通常用作开关或放大器,并联电阻可能有不同的用途,具体得看电路的设计目的。 首先想到的是,当MOS管作为开关使用时,并联电阻可能有几种可能。比如,当MOS管关闭时,电阻可能提供个放电路径,防止极电荷积累导致意外导通。或者,在功率应用中,电阻可能用于均流,特别是在多个MOS管并联时,但用户这里说的是单个MOS管并联电阻,所以可能不是这种情况。 另外,考虑到MOS管的极特性,高输入阻抗容易受到噪声干扰,并联电阻可能用于下拉或上拉,确保在无驱动时保持确定状态。比如,下拉电阻可以确保MOS管在未激活时处于关闭状态,避免浮空引起的误动作。 还有种情况是,当MOS管用于模拟电路,比如放大器的负载电阻,这时候并联的电阻可能调整增益或线性度。但这种情况可能较少见,尤其是在开关电源或数字电路中。 另外,热管理也是个考虑因素。虽然电阻本身会产生热量,但并联小电阻可能帮助分流,减少MOS管的热损耗。不过这需要具体电路参数分析,可能不太常见。 用户提到电阻是与MOS管并联,而不是串联,所以重点应该在并联后的电流路径。当MOS管导通时,电流主要走MOS管,因为其导通电阻(RDS(on))很小,而并联的10kΩ电阻可能在此时分流极小电流,几乎可以忽略。但当MOS管关闭时,电阻可能提供个高阻抗路径,允许某些信号或电流通过,比如在开关电源中维持某种状态。 还有可能是在某些保护电路中,比如防止静电放电(ESD)或过压,电阻并联用来限制电压或电流尖峰。或者,在开关电路中,并联电阻用于加速关断过程,帮助释放寄生电容中的电荷,减少关断时间。 需要进步分析典型应用电路。例如,在MOS管的极和源极之间并联电阻,可能用于防止极电压过高,或者提供放电路径。或者在漏极和源极之间并联电阻,可能用于检测电流,比如作为电流检测电阻,但通常电流检测电阻是串联的,并联的可能有其他用途。 另个可能性是,在数字电路中,当MOS管作为反相器使用时,并联电阻可能用于调整逻辑电平或提供反馈,但这种情况比较少见。 总结可能的用途: 1. 提供关断时的放电路径,防止电荷积累。 2. 作为下拉或上拉电阻,确保确定状态。 3. 在模拟电路中调整特性,如增益或频率响应。 4. 保护作用,限制电压或电流。 5. 检测或均流作用,虽然并联电阻在单个MOS管中可能不常见。 需要验证这些可能性,结合实际电路例子。例如,在MOS管的极和地之间并联电阻,通常是下拉电阻,确保在没有驱动时极电压为低,防止误触发。而如果在漏极和源极之间并联电阻,可能在关闭时提供泄漏路径,或者用于某些检测功能。 另外,考虑到电阻值的大小,比如10kΩ相对于MOS管的导通电阻来说很大,可能在导通时分流很小,但在关断时提供高阻路径,允许某种信号通过。或者在高压应用中,电阻用于均压,防止电压集中在MOS管上。 可能还需要考虑电路中的其他元件,比如是否有电容、电感等,但用户没有提供更多信息,所以需要基于常见情况回答。 最后,总结关键点:并联电阻在MOS管电路中的作用可能包括下拉/上拉、电荷泄放、保护、调整电路特性等,具体需根据电路设计目的判断。</think>在电路中,当10kΩ电阻与MOS管并联时,其作用需结合具体电路位置分析。以下是常见应用场景的详细说明: --- ### **1. 极下拉/上拉电阻(G端并联)** - **作用**:若电阻连接在MOS极(G)与源极(S)或地(GND)之间,主要功能是**确保极电平稳定**。 - **下拉**:当驱动信号断开时,电阻将极拉至低电平(如GND),防止极悬空导致意外导通(抗噪声干扰)。 - **上拉**:若电阻接在极与电源(VCC)之间,则确保MOS管默认导通(需与驱动信号逻辑匹配)。 - **典型值**:10kΩ阻值可在低功耗($I = V_{CC}/R$)与快速充放电(通过驱动信号源阻抗)间平衡。 --- ### **2. 漏源极并联电阻(D-S端并联)** - **作用**:若电阻连接在MOS管漏极(D)与源极(S)之间,可能用于以下场景: 1. **静态泄放路径**: - 当MOS管关闭时,为漏极负载提供微小电流路径,避免浮空(如高压应用中防止电荷积累)。 - 例如:在继电器驱动电路中,并联电阻可释放线圈反向电动势的能量。 2. **均压保护**: - 在高压或多管串联电路中,电阻帮助平衡电压分布,避免单管承受过高电压。 3. **检测功能**: - 配合测量电路,电阻两端电压可间接反映漏极电流(但精度较低,需结合放大电路)。 --- ### **3. 加速关断或减少电压尖峰** - **作用**:在开关电源或高频电路中,MOS管关断时,寄生电容(如$C_{gd}$)可能引起电压振荡。 - 并联电阻可形成**阻尼路径**,吸收高频振荡能量,减少电压尖峰(需搭配电容或RC网络)。 - 公式简化:阻尼效果由时间常数$ \tau = RC$ 决定,10kΩ与寄生电容(pF)组合可抑制MHz噪声。 --- ### **4. 热插拔或缓启动控制** - **作用**:在热插拔电路中,MOS管用于控制电源通断,并联电阻可能实现: - **预充电**:上电时通过电阻限制浪涌电流,待电容充电完成后MOS管导通(避免直接短路)。 - **故障保护**:若MOS管因过流关闭,电阻提供限流路径维持部分功能。 --- ### **典型电路示例** #### **示例1:极下拉电阻** ``` 驱动信号 ──┬── 极(G) │ 10kΩ │ GND ``` - **功能**:驱动信号为高时MOS导通;信号断开时,下拉电阻确保极电平为0V,防止误触发。 #### **示例2:漏源极并联泄放电阻** ``` 电源(VDD)─┬─ MOS(D) ── 负载 │ 10kΩ │ GND ``` - **功能**:MOS关闭时,负载通过10kΩ电阻放电,避免高压残留或浮空。 --- ### **为何选择10kΩ?** - **功耗**:若电源电压为12V,电阻功耗为 $P = V^2/R = 14.4\text{mW}$,属于安全范围。 - **响应速度**:与MOS管输入电容(如1nF)组成RC时间常数 $\tau = 10\text{kΩ} \times 1\text{nF} = 10\mu s$,适合中低速开关场景。 - **抗干扰**:阻值足够小以抑制噪声,同时避免过大电流。 --- ### **总结** MOS管并联10kΩ电阻的具体作用需根据连接位置判断: - **极并联**:稳定电平,抗噪声。 - **漏源极并联**:泄放电荷、均压或检测。 - **其他场景**:阻尼振荡、预充电等。 其核心是**增强电路可靠性**,通过电阻的限流、分压或泄放特性,弥补MOS管在高频、高压或高阻抗环境中的潜在缺陷。
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