第六章：CMOS与非门大侦探——破解“逻辑密室杀人案”

6.1 案件背景：芯片工厂的“逻辑密室”

剧情设定：

• 受害者：一块本应输出“0”的CMOS与非门（代号NAND-007）。

• 案发现场：输入A=1、B=1时，输出Y竟为“1”（正常应为“0”），导致整颗芯片功能崩溃！

• 嫌疑人：PMOS管（代号P先生）、NMOS管（代号N小姐）、电源（代号V老五）、寄生电容（代号C小鬼）。

你的任务：
作为“芯片侦探”，需通过测试工具找出真凶，修复逻辑漏洞！

6.2 第一幕：逻辑功能审讯室

嫌疑人证词

• PMOS先生（上拉网络）：“我当时明明关着门（输入高电平关闭），电流不可能从我这里漏出去！”

• NMOS小姐（下拉网络）：“两个输入都是1，我应该全力导通，把输出Y拉到地！”

侦探工具

• 逻辑分析仪：调取案发时的输入/输出时序录像（波形图）。

• 真值表对照：

  A	B	预期 Y	实际 Y	结论
  1	1	0	1	凶手在此

知识点插入：

• 与非门真相：Y=~(A&B)，全1出0，其余出1。

• 数电冷知识：如果NMOS罢工，输出无法下拉到0，Y会被PMOS上拉到1——凶手可能是NMOS小姐！

6.3 第二幕：输出电平实验室

法医报告（PMU测量数据）：

嫌疑人反应：

• NMOS小姐（惊慌）：“这不可能！我的导通电阻应该只有50Ω，VOL=8mA×50Ω=0.4V才对！”

• C小鬼（寄生电容）：“嘿嘿，是不是我的充放电延迟搞的鬼？”

侦探推理：

1. VOL严重超标：输出低电平实际3.2V（远高于0.5V），说明NMOS未能有效导通。

2. 关键线索：

   • 可能1：NMOS阈值电压（Vth）异常升高（工艺缺陷）。

   • 可能2：金属连线断裂，NMOS实际未接入电路。

模电知识点：

• MOSFET导通条件：Vgs > Vth（NMOS小姐的“工作动力”）。

• 导通电阻公式：R_on ∝ 1/(Vgs - Vth)，Vth过高会导致R_on暴增！

6.4 第三幕：凶手指认与“改造方案”

真相大白：

• 真凶：NMOS小姐的阈值电压Vth从0.7V异常升到2V（因制造过程中的离子注入失误）。

• 作案手法：输入A=B=1时，Vgs=5V，但Vth=2V导致Vgs-Vth=3V不足，R_on=500Ω（远超设计值50Ω），VOL=8mA×500Ω=4V（实测3.2V因分压效应）。

改造方案：

1. 工艺优化：调整离子注入剂量，恢复Vth=0.7V。

2. 冗余设计：并联多个NMOS管，降低整体R_on。

趣味知识卡：

💡 MOS管冷知识：
NMOS和PMOS就像“推拉门团队”——

• NMOS负责“拉下”（输出低电平）：“给我高电平，我就拼命干活！”

• PMOS负责“推上”（输出高电平）：“低电平是我的开工令！”

6.5 名词解释（侦探词典）

6.6 结案挑战：侦探训练营

任务1：如果PMOS先生罢工（导通电阻→∞），输入（0,0）时输出Y会是多少？

• A. 0

• B. 1

• C. 高阻态

• 答案：C（PMOS不导通，NMOS也不导通，输出悬空！）

任务2：设计一个“完美犯罪测试用例”——让正常与非门看起来像凶手！

• 提示：注入电源噪声，使VDD瞬间跌落到3V，观察VOL是否超标！

章节彩蛋

“凶手就是你”小剧场：

• 侦探（举起放大镜）：“NMOS小姐，你的Vth异常升高了0.3V！”

• NMOS（流泪）：“是工艺工程师逼我的！他们少给了我掺杂离子！”

• 旁白：从此，芯片工厂加强了工艺监控，CMOS家族过上了稳定的生活。

下一章预告：
《第七章：DRAM测试惊魂夜——内存芯片的“数据幽灵”之谜》
一场由电荷泄漏引发的数据失踪案，等你来侦破！ 🕵️♂️🔍

讨论区：
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