电力电子问题合集-CSDN博客

原创【每日一问】示波器探头校准方法和校准原理是什么？

将探头的测试针连接到示波器面板上的“CAL”（校准）信号输出端，探头的接地夹连接到示波器的接地端。校准虽不直接调整电阻，但通过标准方波的幅值验证（如校准信号为1V，示波器显示应为1V），间接确认衰减比的准确性，若波形存在失真（如过冲、欠冲、上升沿缓慢），需用小螺丝刀调节探头尾部的“补偿电容”旋钮，直至屏幕显示的方波边缘清晰、无明显过冲/欠冲，波形符合标准方波形态。示波器触发后，屏幕会显示标准校准波形（通常是1kHz、峰峰值为0.5V或1V的方波）。（2）衰减比精准原理。（3）频率响应校准原理。

2025-09-13 22:47:39 289

原创【每日一问】数字地和模拟地有什么区别？如何处理数字地和模拟地之间的干扰？

信号线隔离：数字信号线（如时钟线、数据线）远离模拟信号线（如传感器输出线、运放输入线），若必须交叉，需采用“垂直交叉”（减少平行耦合长度），或在中间铺接地铜箔屏蔽。分区布局：将数字电路（如CPU、逻辑芯片）和模拟电路（如运放、传感器）在PCB上明确分区，中间预留“隔离带”（无铜箔区域），避免两类器件混放。1.数字地：专门为数字电路（如CPU、单片机、逻辑芯片）提供接地参考。地线独立：数字地（DGND）和模拟地（AGND）的铜箔网络完全分开，不交叉、不重叠，且模拟地铜箔尽量加宽（降低阻抗，减少噪声叠加）。

2025-09-12 22:43:56 97

原创【每日一问】0欧姆电阻在电路中有什么作用？

（2）场景示例：路由器的“基础版”无需5G模块，“高配版”需搭载5G模块，设计时可在5G模块与主板的连接线路上预留0欧姆电阻焊盘：生产基础版时，不焊接该电阻（5G模块线路断开，无需安装5G模块）；生产高配版时，焊接该电阻（5G模块线路导通，可正常安装模块），无需单独设计2套PCB。（2）场景示例：电源模块与芯片的供电线路需跨越信号线路，直接布导线会导致交叉干扰，此时焊接1颗0805封装的0欧姆电阻，既能完成供电连接，又避免信号干扰，且比“飞线”更稳定、更易批量生产。4. 隔离“地平面”，减少干扰。

2025-09-11 22:10:58 701

原创【每日一问】为什么磁环可以滤除高频信号？

（3）最终，导线中原本的高频干扰信号被大幅衰减，而低频有用信号（如电源、数据信号）因磁损耗小，能基本无衰减地通过，实现“滤除高频干扰、保留有用信号”的效果。对铁氧体等磁环材料，频率越高（通常＞10kHz），μ''和tanδ越大——即高频下磁损耗急剧增强，而低频下μ''极小（损耗可忽略）。（2）磁环的磁性材料（如铁氧体）对高频磁场有很高的“磁损耗”——交变磁场会使材料内部磁畴反复翻转，将高频干扰的“（磁畴翻转、涡流等产生的能量消耗），其与μ'的比值（tanδ = μ''/μ'）称为“损耗角正切”，

2025-09-10 20:53:22 354

原创【每日一问】什么是阻抗匹配？为什么要阻抗匹配？

若阻抗不匹配，大量能量会被反射回信号源，导致负载实际接收的功率大幅降低（例如射频天线若阻抗不匹配，发射信号会被反射，导致通信距离缩短）。在高频信号传输场景（如使用同轴电缆、PCB走线）中，若传输线特性阻抗与负载/信号源阻抗不匹配，信号会在阻抗突变处产生反射。在低频线性电路（如放大电路）中，更关注“共轭匹配”（信号源阻抗的共轭值 = 负载阻抗），以实现最大功率传输。如差分放大电路中，输入/负载电阻对称匹配，可使共模电压放大倍数趋近于0，大幅提升共模抑制比（CMRR），从而有效抑制零点漂移和共模干扰。

2025-09-09 22:32:29 497

原创【每日一问】示波器需要关注哪些参数？不同的参数对于波形有什么影响？

反之，足够的存储深度可在高采样率下，完整保留长时间波形的所有细节（如捕捉1秒的波形，采样率1GSa/s时，需1GSa的存储深度）。灵敏度不足（如最小仅2V/div）时，无法清晰显示小信号（如几十mV的传感器信号），波形会“缩成一条线”，无法观察细节；上升时间过慢的示波器，会将快速上升的方波边缘“拉长”，无法准确测量真实上升时间（如实际1ns上升的脉冲，用5ns上升时间的示波器测量，结果会显示为6ns左右，存在明显误差）。（1）定义：每秒采集的信号数据点数，单位为“Sa/s”（采样点/秒）。

2025-09-08 22:47:16 766

原创【每日一问】为什么MOS管关断时会产生尖峰电压？如何抑制产生的尖峰电压？

并联TVS瞬态抑制二极管：在MOS管D-S间反向并联TVS，当尖峰电压超过TVS的击穿电压时，TVS迅速导通，将尖峰电压钳位在安全值（需确保TVS的耐压值高于正常工作电压，且响应速度≤10ns）。选用低封装电感的MOS管（如DFN、TO-252封装，比传统TO-220封装寄生电感小50%以上），避免使用引脚过长的器件。1.关断时产生尖峰电压的原因：电路中的寄生电感（如MOS管封装电感、布线电感、变压器漏感）与MOS管结电容在关断瞬间发生。3.抑制尖峰电压的方法：从以上尖峰电压的推导公式发现，尖峰电压。

2025-09-07 20:24:25 683

原创【每日一问】MOS管为什么要快速关断？

（1）MOS管关断过程属于动态过渡过程，并非瞬间完成，需经历电流从导通电流。成正比——关断越慢，损耗越高；反之，快速关断可直接降低关断损耗。，同时避免因关断缓慢引发的电路故障或器件损坏。的重叠阶段，此阶段的功率损耗即为关断损耗。降至0，电压从0升至母线电压。单位时间内的关断损耗（功率）（开关频率）固定时，关断损耗。b.过渡阶段内，漏极电流。c.过渡阶段内，DS电压。，是瞬时功率在过渡时间。

2025-09-06 21:55:16 407

原创【每日一问】MOS管为什么要“缓开”？

结合公式分析，若开启过快，Vds（接近输入电压）和Id（迅速攀升至负载电流）会在瞬间重叠，导致瞬时功率激增（如Vds=200V、Id=20A时，瞬时功率可达4000W），产生大量热量。1. Id上升的“快特性”：开启过快时，驱动电路本质上是在给GS之间的结电容充电，电容两端的电流是可以突变的，上电瞬间，短时间内Id就能达到负载电流的最大值。如图1所示，时间常数。1.“缓开“”的核心目的：通过控制栅源电压（Vgs）的上升速率，避免开通瞬间漏源电压（Vds）与漏极电流（Id）同时处于高值，从而。

2025-09-05 23:53:06 248

原创【每日一问】磁珠和电容在滤波方面有什么区别？

而这一功能由“串联电感（L1）限流”和“串联电阻（R2）耗散噪声能量”共同实现：低频时Rs主导（低阻，不影响有用信号），高频时Rs随频率显著增大（高阻，高效耗散噪声）。在磁珠的有效噪声抑制频段（低于自谐振频率），其容抗极大，相当于开路，无法抵消串联电感（Ls）的感抗，因此对整体阻抗影响可忽略。并联电阻（R1）：其阻值通常为兆欧级，远大于串联电阻（R2，通常为几欧到几百欧），在电路中几乎不分流，对磁珠整体阻抗的贡献可忽略，仅。（1）核心原理：磁珠是利用串联电阻（Rs）的高频损耗特性，将。

2025-09-04 23:34:06 244

原创【每日一问】开关电源中，纹波和噪声有什么区别？

噪声需针对性的设计（如反激电源中的RCD吸收电路，目的是为了吸收MOS管关断后产生的尖峰脉冲），随机性强，抑制难度较大。（1）开关动作固有噪声：功率开关管（如MOS管）在导通/关断瞬间，电压和电流会急剧变化（di/dt、dv/dt极大），产生高频尖峰脉冲，这些脉冲会直接耦合到电路中形成噪声。（1）开关动作固有噪声：功率开关管（如MOS管）在导通/关断瞬间，电压和电流会急剧变化（di/dt、dv/dt极大），产生高频尖峰脉冲，这些脉冲会直接耦合到电路中形成噪。的规律波动（如正弦波，三角波），噪声是。

2025-09-03 23:16:56 315

qq_54412653的博客