【每日一问】MOS管为什么要“缓开”？-CSDN博客

1.“缓开“”的核心目的：通过控制栅源电压（Vgs）的上升速率，避免开通瞬间漏源电压（Vds）与漏极电流（Id）同时处于高值，从而显著降低开通损耗，并抑制电流冲击，防止器件过热损坏或负载受损。

2.“缓开”：

（1）核心矛盾是开通损耗，其本质是开通过程中漏源电压（Vds）与漏极电流（Id）的高值重叠时间过长，需通过“缓开”让两者错峰过渡。
（2）开通损耗的计算公式： $Pon=\int_{0}^{ton}Vds\times Id$ .结合公式分析，若开启过快，Vds（接近输入电压）和Id（迅速攀升至负载电流）会在瞬间重叠，导致瞬时功率激增（如Vds=200V、Id=20A时，瞬时功率可达4000W），产生大量热量。而缓开能让Vds缓慢下降的同时，Id缓慢上升，使两者“错峰”过渡，大幅减少高值重叠的时间，最终将开通损耗降低50%~90%。

这里有个小问题，为什么开通时间过快时，Vds和Id会在瞬间重叠？

1. Id上升的“快特性”：开启过快时，驱动电路本质上是在给GS之间的结电容充电，电容两端的电流是可以突变的，上电瞬间，短时间内Id就能达到负载电流的最大值。

2.Vgs下降的慢特性：Vds的初始值接近输入电源电压Vin（截止区），其下降速度由外部电路的“放电能力”决定——例如带感性负载时，电感会阻碍电流变化，导致Vds无法快速跌落；即使是电阻负载，Vds=Vin - Id×Rload，由于Id上升过快，Rload上的压降Id×Rload无法瞬间抵消Vin，Vds只能“缓慢跟随”Id的上升而下降。

（3）分析：缓开的核心控制目标：降低Vgs上升速率（ $\frac{dVgs}{dt}$ ）
“缓开”通过RC延时或专用驱动芯片，强制Vgs按缓慢的指数曲线上升，即降低Vgs的上升速率（ $\frac{dVgs}{dt}$ ）。例如：栅极串联电阻Rg与并联电容Cg构成RC电路时，Vgs的充电过程满足：
Vgs(t) = Vg·(1 - e^(-t/RC))（Vg为驱动电压，RC为时间常数）
通过增大RC值，可延长Vgs从0上升至Vgs(on)的时间（如从1μs延长至10μs），为Id上升与Vds下降提供“错峰时间”。如图1所示，时间常数 $\tau =R39//R49\times C7=\frac{4.7k\times 15k}{4.7k+15k}\times 10\mu =35.7ms$