【单相半波PWM逆变器】在电压源变流器中使用IGBT /二极管模块的作用及使用Powergui / FFT工具对PWM波形进行谐波分析研究（Simulink仿真实现）-CSDN博客

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📋📋📋本文目录如下：🎁🎁🎁

目录

⛳️赠与读者

💥1 概述

一、单相半波PWM逆变器结构与IGBT/二极管模块的作用

1. 基本拓扑结构

2. IGBT模块的核心作用

3. 二极管模块的关键功能

二、Powergui/FFT工具在PWM谐波分析中的应用

1. Powergui核心功能

2. 谐波分析操作流程（以MATLAB为例）

3. 关键技术挑战与解决方案

三、谐波优化设计研究进展

结论

📚2 运行结果

🎉3 参考文献

🌈4 Simulink仿真实现

⛳️赠与读者

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💥1 概述

单相半波PWM逆变器。本文仿真展示了在电压源变流器中使用IGBT /二极管模块的用途。还展示示了使用Powergui / FFT工具对PWM波形进行谐波分析。
这些变流器是使用IGBT /二极管模块构建的，这是所有VSC的基本构建模块。IGBT /二极管模块是IGBT（或GTO或MOSFET）/二极管对的简化模型，其中忽略了强迫换流器件和二极管的正向电压。您可以通过单独的IGBT和二极管模块替换这些模块，以获得更详细的表示。VSC在Extras /离散控制模块库中提供的离散PWM生成器模块中以开环控制。这两个电路使用相同的直流电压（Vdc = 400V）、载波频率（1080 Hz）和调制指数（m = 0.8）。
这个演示展示了在电压源变流器中使用IGBT /二极管模块的实际应用。同时，它还演示了如何使用Powergui / FFT工具对PWM波形进行谐波分析。
这些变流器是由IGBT /二极管模块构建的，这是所有VSC的基本组件。IGBT /二极管模块是IGBT（或GTO或MOSFET）/二极管对的简化模型，其中忽略了强迫换流器件和二极管的正向电压。如果需要更详细的模拟，您可以将这些模块替换为单独的IGBT和二极管模块。VSC采用开环控制，使用Extras /离散控制模块库中提供的离散PWM生成器模块。这两个电路使用相同的直流电压（Vdc = 400V）、载波频率（1080 Hz）和调制指数（m = 0.8）。

一、单相半波PWM逆变器结构与IGBT/二极管模块的作用

1. 基本拓扑结构

单相半桥电压型PWM逆变器由两个IGBT（VT1/VT2）、反并联二极管（VD1/VD2）和分压电容（C1/C2）构成。直流电源通过电容分压形成中性点，负载连接在桥臂中点与中性点之间（图2）。开关状态组合共16种（表1），通过控制IGBT通断实现PWM调压。

2. IGBT模块的核心作用

高效开关控制：IGBT结合MOSFET栅极控制与双极型晶体管的高电流能力，支持高频开关（可达kHz级），降低开关损耗。
能量双向调节：通过栅极电压精确控制导通/关断时序，实现直流到交流的转换及功率流向调节（如再生制动能量回馈）。
电气应力优化：高耐压（现代IGBT达2.5kV）和低通态压降特性，减少散热需求并提升系统功率密度（如140MVA HVDC应用）。

3. 二极管模块的关键功能

续流保护：在IGBT关断时为感性负载电流提供通路，防止反向电压击穿器件（如电机负载的反电动势）。
电压钳位：在多电平拓扑中（如三电平NPC变流器），二极管限制开关管电压应力，确保安全操作（图2.2）。
防止反向充电：阻断负载能量反向注入直流源，保护电源稳定性。

典型工作场景：当VT1导通时，电流经负载流向中性点；VT1关断后，感性电流通过VD2续流，维持电流连续性。

二、Powergui/FFT工具在PWM谐波分析中的应用

1. Powergui核心功能

混合仿真引擎：支持电力电子系统离散/连续混合建模，精确捕捉PWM开关瞬态。
FFT分析工具：内置傅里叶分析模块，可计算：
- 各次谐波幅值/相位
- 总谐波畸变率（THD）
- 频谱分布（基波至50次谐波）
参数化分析：支持扫描调制指数、载波比等参数，评估谐波敏感性。

2. 谐波分析操作流程（以MATLAB为例）

信号预处理：
- 将仿真波形保存为Structure with time格式。
- 选择稳态周期（避开暂态过程）。

FFT参数设置：

Base frequency = 50Hz     % 基波频率
Max frequency = 2.5kHz     % 分析带宽（覆盖开关频率边带）
Number of cycles = 10       % 分析周期数

结果解读：
- THD公式可选1/基波或1/Total模式，影响畸变率计算结果。
- 频谱图标注基波幅值（如284.5%）及各次谐波占比（图30）。

3. 关键技术挑战与解决方案

问题	原因	解决策略
仿真噪声干扰	开关瞬态高频振荡	增加采样点（FFT点数≥8192）
混叠失真	采样频率<2倍最高谐波	遵循奈奎斯特准则（fₛ ≥ 2fₘₐₓ）
低次谐波残留	调制策略缺陷	采用SHEPWM选择性消除5/7次谐波

案例：某PWM整流器经FFT分析显示THD=0.77%（图8），通过优化调制策略将功率因数提升至>0.985（图9）。

三、谐波优化设计研究进展

调制策略革新：
- SHEPWM技术：通过求解非线性方程精确控制开关角，消除指定低次谐波（如5/7/11次）。
- 三电平拓扑改进：T型三电平较NPC结构导通损耗降低26.71%，但开关损耗增加，需按频率权衡。
预测模型应用：
- IGBT开关特性神经网络模型：基于BP算法预测不同工况（温度/寄生参数）下的开关损耗及电压过冲，优化死区时间。
- 二重傅里叶积分法：解析PWM谐波分布，避免仿真步长误差（较FFT精度提升8.86%）。
滤波器设计：
- LC滤波器参数优化：通过谐波阻抗匹配抑制载波频率边带谐波（图1）。
- 有源滤波器：对THD>5%的系统，采用注入补偿电流方案。

结论

IGBT/二极管模块在PWM逆变器中分别承担主动开关控制与被动保护续流角色，其协同工作保障了能量高效转换。Powergui/FFT工具通过频谱量化分析为谐波抑制提供依据，结合SHEPWM、多电平拓扑及预测模型可显著提升电能质量（THD<1%）。未来研究需进一步探索宽带隙器件（SiC/GaN）与AI驱动实时谐波补偿技术的融合。