电缆半导电屏蔽层的表面光滑度与体积电阻率的相关要求

备注：

        1、IEC 62067-2011标准中的半导电屏蔽层老化条件为正常工作导体最高温度±2℃老化7天，其他标准中的老化条件为(100±2)℃老化7天。

        2、《天津大学李忠磊、赵宇彤 等：高压电缆半导电屏蔽材料研究进展与展望》的研究结果表明：基于炉法炭黑的传统半导电屏蔽料含有大量的矿物杂质（0.4%～0.8%)，而乙炔炭黑的使用将矿物杂质浓度显著降低了1～2个数量级，从而显著改善了表面光滑度。与传统半导电屏蔽料相比，超光滑半导电屏蔽料无40μm以上的突起，30μm突起的数量减少3～4个数量级，表明乙炔炭黑可显著降低半导电屏蔽材料的表面突起，是高压电缆半导电屏蔽层的常用填料。

        3、1毫米（mm）=1000微米（μm）。