模拟电子技术Ⅲ-场效应管的分析

场效应管的定义

场效应管是单极性管：参与导电的是多数载流子，要么是自由电子，要么是空穴，
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d）， 对应于晶体管的e(发射极), b(基极),c（集电极）有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。

场效应管的分类

书中主要研究了绝缘栅型的场效应管，它使用的更加广泛。

绝缘栅型场效应管

N沟道绝缘栅型场效应管

构成：杂质较低的的P型硅片作衬底，利用扩散的方法在P型硅中形成两个高掺杂的N型半导体。
两个N区引出两个电极，分别为源极（source)和漏极（drain)。P型半导体的表面有一层SiO2绝缘层，在绝缘层上引出一个金属电极作为栅极（gate)。栅极和其他电极是绝缘的，因此称为绝缘栅型场效应管。
结构如下所示：

其中栅极(g)对应三极管的基极(base)，源极（s)对应三极管的发射极(emitter)，漏极（d,载流子的流出极）对应