差分电荷密度怎么画_VASP实用教程从入门到进阶第九弹：差分电荷密度

### 差分电荷密度的 VASP 计算方法 差分电荷密度（Deformation charge density）是一种用于分析材料成键过程中电荷分布变化的重要工具。在 VASP 中，差分电荷密度的计算涉及多个步骤，主要包括成键体系的自洽计算、孤立原子的自洽计算以及电荷密度文件的差分处理。 #### 1. **成键体系的自洽计算** 首先，对成键后的体系（如分子或固体）进行静态自洽计算，得到其电荷密度。这一步通常包括设置 `INCAR`、`KPOINTS`、`POSCAR` 和 `POTCAR` 文件，并运行 VASP 计算。计算完成后，电荷密度信息会存储在 `CHGCAR` 文件中。 #### 2. **孤立原子的自洽计算** 为了得到成键前的电荷密度分布，需要分别计算孤立的 A 和 B 原子。在 VASP 中，这一步可以通过修改 `POSCAR` 文件，删除其中一个原子，保留另一个原子，同时保持晶格参数和原子坐标不变。随后，运行两次自洽计算，分别得到 A 和 B 原子的电荷密度文件（`CHGCAR_A` 和 `CHGCAR_B`）[^2]。 #### 3. **电荷密度差分处理** 差分电荷密度的计算公式为： $$ \Delta \rho = \rho_{AB} - (\rho_A + \rho_B) $$ 其中： - $\rho_{AB}$ 是成键后的电荷密度； - $\rho_A$ 和 $\rho_B$ 是孤立 A 和 B 原子的电荷密度； - $\Delta \rho$ 是差分电荷密度。 在 VASP 中，可以使用 `chgsum.pl` 脚本对 `CHGCAR` 文件进行加减操作。具体命令如下： ```bash chgsum.pl CHGCAR_AB CHGCAR_A CHGCAR_B ``` 该命令会生成一个新的 `CHGCAR_diff` 文件，表示差分电荷密度。随后，可以使用 `bader` 或 `VESTA` 等工具对 `CHGCAR_diff` 文件进行可视化分析，观察电荷的转移和极化方向。 #### 4. **可视化与分析** 使用可视化工具（如 VESTA），可以加载 `CHGCAR_diff` 文件，并设置等值面（isosurface）来显示电荷密度的变化区域。通常，正等值面表示电荷积累（电子富集），负等值面表示电荷耗尽（电子缺失），从而揭示化学键的形成机制。 --- ### 示例：氧气分子的差分电荷密度计算 以氧气分子（O₂）为例，假设成键体系为 O₂ 分子，孤立原子为两个 O 原子。计算步骤如下： 1. **成键体系计算**：构建 O₂ 分子的 `POSCAR` 文件，运行 VASP 自洽计算，得到 `CHGCAR_O2`。 2. **孤立原子计算**：分别构建两个 O 原子的 `POSCAR` 文件，运行 VASP 自洽计算，得到 `CHGCAR_O1` 和 `CHGCAR_O2`。 3. **差分处理**：使用 `chgsum.pl` 脚本计算差分电荷密度： ```bash chgsum.pl CHGCAR_O2 CHGCAR_O1 CHGCAR_O2 ``` 4. **可视化分析**：使用 VESTA 加载 `CHGCAR_diff` 文件，设置等值面，观察 O₂ 分子的电荷分布变化。 --- ### 注意事项 - **晶格参数一致性**：在孤立原子计算中，保持晶格参数与成键体系一致，以确保电荷密度的可比性。 - **K 点设置**：KPOINTS 的设置应保持一致，避免因采样差异导致电荷密度误差。 - **自旋极化**：对于自旋极化体系（如 O₂ 分子），需要启用 `ISPIN=2`，并在 `INCAR` 中设置初始磁矩。 - **Bader 分析**：如果需要定量分析电荷转移量，可以结合 Bader 电荷分析工具。 --- ###