如何用分立器件设计一个过流保护电路

        过流保护电路是指当后级负载电流过大或者发生短路时,自动切断电源与后级负载,从而防止大电流损害电源电路,过流保护又叫OCP。

        常见的过流保护电路有保险丝过流保护,集成的过流保护芯片,还有这种分立器件搭建的过流保护电路。

        这个分立器件搭建的过流保护电路主要包含一个三极管,一个MOS管和一个电流采样电阻。电流从电源正极流出,经过负载,然后经过MOS管,最后经过采样电阻流入电源负极。

        当后级负载电流比较小时,MOS管正常打开,由于电流比较小,采样电阻上的压降也比较小,小于三极管的开启电压,这时NPN三极管是截止状态,MOS管的栅极是高电平,(MOS管正常打开)。

        这时MOS管DS间的压降我们记作Vds,采样电阻上的压降计为Vr,则电容右端的电压为Vr+Vds,电容左端的电压就为Vr,假设后级负载为纯阻性负载。

        当后级负载电流增大时,流过采样电阻的电流增大,采样电阻上的压降也会增大,当采样电阻的压降大于等于三极管BE间的开启电压时,三极管会饱和导通,这时MOS管的栅极电压接近0V。MOS管关闭。

        由于电容两端电压不能突变,MOS管关闭后电容C1右边电压为VCC,则电容左边电压变成了VCC-Vds,这个VDS是MOS管导通时漏源间的电压差。这时电容C通过三极管基极的电阻放电,以维持三极管饱和导通所需要的电流。

当电容左端的电压放电到小于三极管的开启电压时,三极管截止,这时MOS管的栅极电压又变成了高电平,MOS管又导通(,MOS管导通的瞬间,流过采样电阻的电流还是比较小的,采样电阻的压降接近0,(也就是电容A端电压接近0V))。

        当MOS完全导通后,由于负载电流还是比较大,采样电阻上的压降又会大于三极管的开启电压,并且通过二极管给电容充电,这时电容充电非常快。当采样电阻上的电压大于三极管的开启电压时,三极管又会饱和导通,然后MOS管又会关闭。

        由于三极管基极电阻的存在,可以使电容的充电时间远小于放电时间,所以在过流保护时,MOS管并不是一直关闭的,而是一直在关闭与开启之间切换。

        电路设计时我们希望,过流保护时,MOS管开启时间尽可能小于关断时间,这时我们可以适当增大三极管基极电阻和电容C1

        这个过流保护电路过流点电流I≈0.7/R1,但是一般三极管BE间电压达到0.6V左右基本就开始导通了。

### 分立器件中的过保护电路设计 分立器件实现过保护的核心在于通过检测电的变化并触发相应的动作来切断电源或限制电。以下是关于分立器件中实现过保护的具体方法和电路设计思路。 #### 1. 利用电阻检测法 最简单的过保护方案是使用一个小阻值的采样电阻串联在电路中,通过测量其两端的电压降判断是否存在过情况。一旦检测到超过设定阈值的电压降,则可以通过驱动晶体管或其他开关元件断开电路[^4]。 ```circuitikz \begin{circuitikz} \draw (0,0) to[battery,l=$V_{in}$] (0,2); \draw (0,2) -- (2,2); \draw (2,2) to[R,l_=$R_s$,v>=$V_s$] (2,0); % Rs is the sense resistor. \draw (2,0) -- (0,0); \draw (2,2) -- (4,2); \draw (4,2) node[op amp,scale=0.7](opamp){}; \draw (opamp.-) |- ++(-0.5,-0.5)node[ground]{}; \draw (opamp.+) --++(0,-0.5)-| ($(opamp.+)+(-0.5,-0.5)$) ; \draw (opamp.out) -- ++(1,0) coordinate(opout); \draw (opout) to[nigbt] ++(0,-2)coordinate(loadend); \draw (loadend)--(2,0); \end{circuitikz} ``` 上述图展示了一个基本的过保护电路,其中 $ R_s $ 是用于检测电的取样电阻,运算放大器用来比较实际电与预设门限之间的差异,并控制后续的功率开关(如MOSFET或IGBT)以中断供电路径。 #### 2. 使用双极型晶体管(BJT) 另一种常见的方式是采用BJT作为核心组件构建过保护机制。当负载电增大至一定水平时,基极-发射极间的偏置条件改变,使得三极管进入饱和状态进而关闭主回路。 #### 3. 结合晶闸管与电压比较器的设计 对于更复杂的场景下,可以考虑引入晶闸管以及精密的电压比较逻辑单元共同完成更为精确可靠的截止行为管理。这种方法能够提供快速响应时间的同时保持较低的成本支出比例[^1]。 #### 注意事项 - **精度考量**: 取样电阻的选择需兼顾功耗效率同信号分辨率两方面因素; - **动态特性优化**: 对于高频应用场合特别要注意补偿网络参数调整以免引起不必要的振荡现象发生; - **散热处理**: 大功率条件下务必重视各关键节点处温度监控措施落实到位以防意外事故发生[^2]。
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