芯片标称具备8kVESD能力却在8kV测试中失效？

在电子产品开发中，工程师经常遇到这样令人困惑的场景：数据手册明明写着某颗芯片的 ESD 抗扰度可以达到 ±8 kV，但当整机产品进行 IEC 61000-4-2 系统级静电测试时，却依然会在 8 kV 甚至更低的等级上失效。为什么芯片“能抗”的电压，与产品实际“能抗”的电压相差如此之大？
这并非芯片厂商夸大参数，也并非测试方法错误，而是因为：

芯片级 ESD 能力 ≠ 产品级 ESD 能力
HBM与 IEC（系统级 ESD）之间的差异巨大

系统级 ESD 的能量、上升沿、电流以及耦合路径，都完全不同于芯片级测试，导致产品中芯片保护结构可能遭遇远超其设计范围的应力。

一、芯片级 ESD 与系统级 ESD 的根本区别

1. 测试模型完全不同：100 pF vs 150 pF，1.5 kΩ vs 330 Ω

（1）芯片级：HBM 模型（Human Body Model）

• 电容：100 pF
• 放电电阻：1.5 kΩ