
专业扫盲
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senator参议员
这个作者很懒,什么都没留下…
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【专业扫盲】MOS管寄生电容及其非线性
拉扎维2.4.1。原创 2025-08-08 10:33:37 · 203 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】电压/电流反馈和串联/并联反馈
读上述论文的时候遇到一个看起来很简单但是功能千差万别的结构:反相器并联电阻形成跨阻放大器。原创 2025-07-26 14:02:03 · 226 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】MOS管工作区域的一些细节
由于Vds = Vgs,并且Vgs虽然小于Vth但通常不为零(比如几百mV),这个条件通常也是满足的。所以,它在亚阈值区,并且其Id-Vds特性类似于饱和(电流不随Vds增加而显著增加),但根本的物理机制和电流大小与强反型饱和区截然不同。由于Vgs < Vth,它必定处于亚阈值区。同时满足Vds = Vgs < Vth。A:饱和区或线性区都是基于强反型论的。只要Vgs<Vth,就是亚阈值或截止区。原创 2025-07-21 13:13:21 · 182 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】源极退化电阻
所以,在绝大多数实际应用场景(Rout >> Rload)下,源极退化电阻 Rs 会显著降低共源放大器的电压增益,这是通过降低有效跨导 Gm 实现的。总而言之,源极退化电阻是一个简单而强大的电路技术,通过引入负反馈,在模拟电路设计中发挥着改善线性度、稳定增益和工作点、提高输出阻抗等重要作用,尤其是在对线性度和增益精度要求较高的场合。更本质的是,加入Rs后,在相同Vgs下,由于负反馈作用,实际漏极电流Id会减小,导致工作点gm降低。ro,这个推导本身没错,但这里的gm是指加Rs后的实际工作点gm值。原创 2025-07-19 11:31:00 · 714 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】Pipeline ADC中放大器放大器倍数
因此,尽管冗余位对于流水线ADC的性能至关重要(使其达到高精度成为可能),但它与要求级间放大器增益为精确的2的幂次(通常是2)这一基本设计约束是。Q:为什么pipeline ADC中的放大器无论有没有级间冗余位,放大倍数都要设计成2的幂次?两者共同构成了高精度流水线ADC设计的基础。冗余位(如1.5比特/级中的0.5比特冗余)是为了。在流水线型(Pipeline)ADC中,即使。级间冗余位,放大器的增益通常也被设计为。原创 2025-07-01 14:44:15 · 538 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】开关电容采样交流和直流信号
开关电容电路采样直流信号和交流信号时,噪声特性确实有显著差异,。关键在于噪声如何表现在最终测量的信号上。原创 2025-07-01 10:55:22 · 706 阅读 · 0 评论 -
【基础知识】chopper、chopping、斩波技术
之前一直没关注过chopper的电路,最近在工作中遇到了相关的概念,借机简单了解一下。斩波电路通过时钟信号,将输入信号Vin调制为方波,如上图左所示。斩波电路的基本结构如上图中间所示。当时钟信号为高电平,左边的两个开关闭合,斩波电路会将Vin同相输出;反之,当时钟信号为低电平,斩波电路会将Vin反相之后再输出。,即改变输出极性。【实现方式】mos管结构的开关容易有时钟馈通和电荷注入的问题,一般有什么解决措施呢?转载 2025-05-12 13:01:48 · 845 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】查漏补缺
最近发现自己的基础十分薄弱,有些从零开始的简单问题由于忽视和忘记并没有加以重视。开此帖以记录每日问题,或简单或奇怪或复杂,权当查漏补缺。原创 2025-04-06 10:11:20 · 223 阅读 · 0 评论 -
【基础知识】Class A/B/AB等放大器的区别
Class A/B/AB等放大器的区别原创 2024-01-03 11:03:44 · 3747 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】文献检索阅读
无原创 2022-11-03 11:19:32 · 2408 阅读 · 0 评论 -
【专业扫盲】模拟集成电路的具体方向
模拟IC设计主要方向:分类一AD/DA:高精度,高速PLL:低功耗,全数字,Ultra-jitter电源管理:DC-DCmemory:GDDRx,LPDDRx,HBMxSerdes:56G,112G,PCIe Gen5/6,USB 4.0…发展前景:AD/DA > Serdes > PLL ≈ memory > 电源管理分类二1,射频无线领域, PLL,PA,LNA之类,应用在Wi-Fi等无线领域2,电源管理类,DC- DC,LDO等3,时钟类,Oscillato转载 2021-06-25 14:23:38 · 7101 阅读 · 1 评论 -
【专业扫盲】集成电路领域的核心会议与期刊
会议IEEE International Solid-State Circuits Conference,简称:ISSCC,国际固态电路会议List itemList item(每年仅有200篇左右)IEEE International Electron Devices Meeting,简称:IEDM,国际电子器件会议IEEE Symposia on VLSI Technology and Circuits,简称:VLSI,超大规模集成电路研讨会European Solid-State C转载 2021-06-22 22:29:00 · 34161 阅读 · 6 评论