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最新推荐文章于 2025-07-28 20:26:02 发布

白菜帮张同学

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引言

半导体器件与基础元件的基础知识（二极管、三极管、MOSFET、电阻电容电感等。）

1、比较晶体三极管构成的共射、共集、共基三种放大电路的主要性能特点，即电压放大倍数、输入电阻、输出电阻

答： 1、电压放大倍数

①共射放大电路：电压放大倍数较大，通常用于需要较高电压增益的场合。因其特有的电路结构，能够同时放大电压和电流，具有较高的电压放大系数。

②共集放大电路：电压放大倍数接近于 1，通常认为没有电压放大能力，只有电流放大能力。共集放大电路也称为射极跟随器，主要作用是电流放大和电压跟随，其输出电压与输入电压几乎相等，电压放大倍数很小。

③共基放大电路：电压放大倍数与共射电路近似，但具有不同的相位关系。共基放大电路虽然也能放大电压，但其放大倍数并不比共射电路显著，且由于输入和输出信号相位相同，与共射电路的反相输出不同。

2、输入电阻

①共射放大电路：输入电阻适中，不过大也不过小。输入电阻主要由基极偏置电阻和晶体管本身的输入电阻决定，适中的输入电阻有利于信号源匹配和信号有效传输。

②共集放大电路：输入电阻高，是三种放大电路中输入电阻最大的。由于共集放大电路的输入信号通过发射极输入，且发射极具有较大的输入电阻，因此整个电路的输入电阻也很高。高输入电阻特性使得共集放大电路能够很好地与信号源匹配，减少信号源的分流效应。

③共基放大电路：输入电阻低，与共射电路相似但稍低。共基放大电路的输入信号通过基极输入，基极电阻相对较小，且由于信号从发射极流出对基极的影响较小，因此输入电阻较低。

3、输出电阻

①共射放大电路：输出电阻较高，但适中。输出电阻主要由集电极负载电阻决定，较高的输出电阻有利于电路的增益稳定和负载匹配。但过高的输出电阻也可能导致信号在传输过程中衰减和失真。

②共集放大电路：输出电阻低，是三种放大电路中输出电阻最小的。共集放大电路的输出信号通过发射极输出，发射极具有较小的输出电阻。这种低输出电阻特性使得共集放大电路能够很好地驱动后续电路或负载，减少信号在传输过程中的衰减和失真。

③共基放大电路：输出电阻低，与共射电路相当但稍低。主要得益于其特殊的电路结构和晶体管的工作特性。低输出电阻有利于电路的高频特性和负载匹配。

三极管三种结构的总结：判断共什么级的方法是去掉输入和输出，哪个级接地就是共哪个级。三种结构的区别就是电压放大倍数和电流放大倍数、输入和输出电阻不一样，根据所需电路的特点来选择使用哪一种结构的三极管。

2、三极管甲类、乙类、甲乙类工作状态特点

答：答：根据三极管导通角度的不同，可以将其工作状态主要分为甲类、乙类和甲乙类三种。

1、甲类工作状态（Class A）

三极管放大电路中最为简单和线性度最好的一种工作状态。三极管在整个信号周期内都处于导通状态，始终有电流通过。

优点

线性度好，在整个信号周期内三极管都保持导通，所以信号放大过程很平滑，失真小。无交越失真，因为始终有电流通过，不存在电流从截止到导通的突变过程。

缺点

效率低，因为整个周期内都有电流通过，所以大量能量以热能形式散失。发热量大，大量的电能转化为热能，三极管和其他元件温度升高，需要良好的散热措施。

2、乙类工作状态（Class B）

与甲类相反，其特点是在信号的正半周期和负半周期分别由两个三极管（或同一三极管通过某种方式）交替导通。所以在信号的零点附近存在一段时间内三极管均不导通的“死区”，也称为交越区。

优点

效率高，仅在信号的有效部分导通，减少了不必要的能量损耗，所以效率比甲类高，适合大功率输出的应用场景。

缺点

交越失真，由于存在死区，信号在通过零点时会发生交越失真。驱动电路复杂，为实现交替导通，需要设计复杂的驱动电路来确保两个三极管（或同一三极管的不同部分）正确切换。

3、甲乙类工作状态（Class AB）

甲类和乙类状态的折中。保留了乙类工作效率高的优点，同时减小了乙类工作中的交越失真。通过引入一定的静态偏置电流来实现，使得在信号零点附近，三极管也保持微弱的导通状态，从而避免“死区”的出现。

优点

效率较高：相比于甲类，甲乙类工作效率有所提升。

失真较小：通过引入静态偏置电流，减少了交越失真的发生，提高了信号的保真度。

缺点

存在静态功耗，虽然静态偏置电流不大，但仍会消耗一定的电能，降低了整体效率。设计复杂度增加，需要精确控制静态偏置电流的大小，以保证既减少失真又不影响效率。

三极管的三种工作状态总结：甲类是整个周期导通（能耗高），乙类是交替导通（出现交越失真），甲乙类是他们的中和状态，加入了一个静态偏置电流（电路复杂），避免了出现“死区”。

3、在实际使用中怎么测试三极管工作在哪个工作状态

答：三极管可工作在饱和区、截止区和放大区。一般通过测试三极管的电流和电压来判断它的工作状态。

（1）若三极管工作在饱和区，其集电极与发射极之间的电压会很小，通常为几百毫伏，而其基极电压会较高，通常接近于其额定值。同时，三极管的电流会达到最大值，与其负载电阻有关。

（2）若三极管工作在截止区，其集电极与发射极之间的电压会很大，通常为几十伏，而其基极电压会很小，通常接近于零。同时，三极管的电流会非常小，接近于零。

（3）若三极管工作在放大区，其集电极与发射极之间的电压会处于饱和区与截止区之间，而基极电压会略高于饱和区时的电压。同时，三极管的电流会随着负载电阻的变化而变化。

三极管怎么测他们的工作状态方法总结：饱和区的话集电极与发射极之间的电压很小，几百毫伏左右；截止区的话集电极与发射极之间的电压很大，几十伏左右；放大区的话就位于饱和区和截止区的电压之间。省流版：看电压关系。

4、简述流控/压控的概念，如何判断晶体管和场效应管分别是（流控/压控）元件？

答：流控是指电流控制电压的元件，压控是电压控制电流的元件。

（1）晶体管(三极管)是利用基极电流与集电极电流的分配关系，用基极电流的大小来控制集电极电流的大小，因此是电流控制元件。

（2）场效应管是利用输入回路的电场效应(等效于电压)来控制输出回路电流的一种半导体器件，是电压控制元件。

压控流控总结：三极管也就是晶体管是电流控制电压元件，场效应管是电压控制电流元件。

5、三极管的开关时间由那些参数决定？影响开关速度的主要参数是哪些？

答：三极管的开关时间是指三极管由导通状态切换到截止状态（或由截止状态切换到导通状态）所需的时间。影响开关时间有以下几种因素：

（1）晶体管内部结构

发射结和集电结势垒电容：三极管开关过程涉及电容充电和放电，因此直接影响开关时间。

基区宽度和少子寿命：这些参数会影响基区少子电荷积累和消失的速度，从而影响开关时间。

（2）材料特性：

使用的半导体材料本身的特性，例如载流子迁移率、扩散系数等，会影响开关速度。

（3）工作条件：

偏置电压和电流：不同的偏置条件下（正反偏），三极管的开关特性会有所不同。

温度：温度的变化会影响半导体材料的电导率等参数，从而影响开关时间。

影响晶体管开关时间因素总结：晶体管结构、材料特性与工作条件。

6、三极管直流放大的零点漂移如何抑制

答：三极管直流放大的零点漂移主要来源于两个方面：一是温度变化，简称温漂。二是元器件参数的漂移。

为了抑制漂移，可以采取以下措施：

①对于温度变化引起的漂移，可用恒流源或者恒压源来代替电阻，使输出电压不受温度影响。

②对于元器件参数漂移引起的漂移，可采用负反馈的方法来抵消。负反馈可以将输出信号与输入信号进行比较，然后产生一个差值，通过调整放大器的增益来减小这个差值，从而减弱漂移。

③可采用特殊的偏置电路来抑制零点漂移，例如温度补偿电路、零点稳定电路等。这些电路可以通过测量温度和漂移来自动调整偏置电压，以保持放大器的输出稳定。

抑制三极管直流放大零点漂移方法总结：温漂问题用恒流源或恒压源代替电阻；用特殊的偏振电路来抑制零点漂移；选择稳定性好的元件。

7、电解电容与瓷片电容的区别？

答：电解电容和瓷片电容是电子电路中常用的两种电容器件，区别如下：

（1）材料不同：电解电容的极板材料为铝箔或锡箔，电介质为电解质；瓷片电容的极板和电介质均为瓷体。

（2）极性不同：电解电容是极性电容，有正负极之分，极性须正确接线；瓷片电容则是非极性电容，可以反复交替使用。

（3）容量不同：相同体积下，瓷片电容的容量通常比电解电容小得多。

（4）工作电压范围不同：电解电容的工作电压范围比瓷片电容宽，通常可以达到数百伏至数千伏，而瓷片电容则在数十伏至数百伏之间。

（5）频率响应不同：电容的频率响应是指电容的容抗随信号频率变化的关系。瓷片电容对高频信号的响应比电解电容好，电解电容有一定的极限频率，频率过高时容量会降低。

总结：两者适用于不同的应用场合。电解电容适用于需要大容量、低成本、低频率的电路中，如电源滤波电路。瓷片电容适用于小容量、高频响应、高精度的电路中，如射频电路、数字电路等。

8、电容电阻参数怎么选择？

答：电容和电阻的参数需要考虑多个因素，如电路的工作频率、电压和功率等。

（1）电容参数选择：容值，根据电路的工作频率选择合适的电容容值，一般来说工作频率越高，所需要的电容值越小；电压，电容的电压需大于电路的最大工作电压。温度系数，根据电路的工作温度选择合适的电容温度系数，以保证电容的参数稳定性。

（2）电阻参数的选择：阻值，所需电阻值与电路的电流和电压有关。精度，根据电路的要求选择合适的电阻精度，精度越高电阻成本也越高。功率，根据电路的功率要求选择合适的电阻功率，以保证电阻在工作时不会受到过大的热损失。

9、电容电压和电感电流不能突变的主要原因？

答：（1）电容和电感具有积分特性。电容电压是其两端电荷量的函数，而电荷量的变化需要积分电流才能得到。电感电流是其两端电压的函数，而它的变化也需要积分电压才能得到。这就导致电容电压和电感电流不可能瞬间发生突变。

（2）电路中的能量存储和转换需要时间。电容存储电能，电感存储磁能。它们之间的能量交换需要经过充电和放电的过程，不是瞬时的。

（3）突变会违反基尔霍夫电路定律。定律要求电路中电压和电流的变化必须连续，不能出现无穷大的跳跃。电容电压或电感电流突变等价于出现无穷大的跳跃，是不被允许的。

10、常见的二极管的三种基本工作状态和主要特点是什么？

答：三种基本工作状态分别是正向导通状态、反向截止状态和反向击穿状态。

1）正向导通状态。当二极管的正极接电路中的高电位，负极接低电位时，称为正向偏置（正偏）。此时，二极管内部呈现较小的电阻，有较大的电流通过，处于导通状态。二极管导通后，其两端的电压降基本保持不变。对于硅二极管，电压降约为 0.7V；对于锗二极管，约为 0.3V。

2）反向截止状态。电流流向：当二极管的正极接电路中的低电位，负极接高电位时，称为反向偏置（反偏）。此时，二极管内部呈现很大的电阻，几乎没有电流通过，处于截止状态。虽然反向截止状态下几乎没有电流通过，但仍然会有微小的反向电流流过二极管，称为漏电流。漏电流大小基本不随反向电压的变化而变化。

3）反向击穿状态。电流急剧增大，当加到二极管两端的反向电压超过一定数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时二极管不再具有单向导电性。在反向击穿状态下，虽然电流急剧增大，但二极管两端电压却基本保持不变。这就是稳压二极管的工作原理基础。

热击穿与电击穿：反向击穿分为热击穿和电击穿两种。热击穿是由于反向电流过大导致PN结温度升高而损坏；电击穿则是由于强电场作用下，PN结内部产生大量的电子-空穴对，形成较大的反向电流而击穿。需要注意的是，电击穿在一定条件下是可逆的，而热击穿则是永久性的损坏。

11、什么是PN结的单向导电性?

答：PN结外加正向电压处于导通状态；PN结外加反向电压处于截至状态。

12、电子电路设计中引入反馈的原则是什么？

答： 1、为了增加稳定性。为了保持稳定静态工作点（例如晶体管的偏置电流或电压），应引入直流负反馈，有助于减少因温度变化、电源波动等因素引起的电路参数漂移。为了改善电路的动态性能（例如增益稳定性、减少失真等），应引入交流负反馈以提高电路的稳定性和线性度。

2、达到阻抗匹配。根据信号源和负载的阻抗特性，选择合适的反馈类型（串联或并联）以优化电路性能。例如当信号源为恒压源时，为增大放大电路的输入电阻，减小信号源的输出电流和内阻上的压降，应引入串联负反馈。

3、控制电压与电流。当需要稳定输出电压时，应引入电压负反馈；当需要稳定输出电流时，应引入电流负反馈，以助于满足不同负载对信号源的需求。

13、BJT与MOS有什么区别？

答：BJT（晶体管）和 MOS（场效应管）是两种常用的开关器件，区别如下：

①结构不同：BJT 有三个区域—发射区、基区和集电区，MOS有栅极、绝缘层和衬底。

②导通方式不同：BJT的导通是通过注入少量载流子控制大量载流子流动；MOS的导通是通过调节栅极电场来控制载流子在绝缘层和衬底之间的通道。

③电压控制特性不同：三极管是电流控制电流（基极电流控制集电极电流）；MOS管是压控元件（电压控制输出电流）。

④功耗不同：BJT的静态功耗高于MOS，MOS的动态功耗相对较高。

⑤噪声特性不同：BJT的噪声系数较小，MOS的噪声系数相对较大。

三极管BJT和场效应管MOS总结：两者都是开关。BJT是电流控电流型，要用1A电流才能控制100A电流，控制功耗大，导通电阻小所以导通功耗低；MOS是电压控制电流型，他的电压控制功耗低，但是导通电阻大所以导通功耗高。

14、三极管输入输出特性曲线一般分为哪几个区域？

答：放大区、饱和区、截止区。

15、场效应管工作的三个区域

答：可变电阻区、恒流区、夹断区。

16、稳压二极管怎么工作的？

答：主要基于其PN结的反向击穿特性。在正常工作状态下，当加在稳压二极管两端的反向电压不超过其稳定电压时，它呈现高阻状态，几乎没有电流流过。一旦反向电压达到或超过其击穿阈值，稳压二极管会立即击穿，进入低阻状态，此时电流可以在相当大的范围内变化，而两端的电压则保持基本不变。

17、简述电感和磁珠的区别

答：（1）电感是储能元件，多用于电源滤波电路。理想情况下电感是不消耗能量的，其标称单位是亨利（H）。

（2）磁珠专用来抑制电磁辐射的干扰，例如信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力，等效于电阻和电感的串联，其标准单位是欧姆（ohm）。

18、电阻的作用以及选型怎么考虑？

答：电阻主要参数：阻值、精度、额定功率、额定电压、封装、最高工作电压、温度系数。

作用有：限流、分压、取样、阻抗匹配(RS485)、上拉(IIC)、下拉（确保浮空，低电平)等。

电阻的选型：计算所需阻值、电阻消耗的功耗，要留有一定裕量。根据阻值和功耗选择合适的系列和封装。根据算出的阻值，选择最接近的标称值电阻；根据功耗需求，选择合适的封装。

尽量选择常用、低成本的或OM中公用的电阻。比如对于一些对阻值不敏感的应用场合，如上拉或下拉电阻，可选取BOM中已有的电阻，以降低BOM中的元件种类。

19、电容作用有什么？如何选型？

答：电容作用：

1、滤波（隔直流通交流）

从容抗公式理解，信号频率高的话容抗就小，容易通过；信号频率低的话容抗就大，难通过。

2.旁路（bypass）

加在芯片旁边的电容。滤除输入信号中的高频噪声成分，一般用小电容，容易滤高频。

3.去耦（Coupling）（输出端的滤波电容）

选择想要的信号通过，滤除前一级电路其他信号的干扰，防止耦合到下一级系统。

4.储能

当电容两端加上电压时，电容会迅速充满电，满电电压=电源电压。电容等效一个小电池的功能。当电源电压降低或消失时，电容会像电池一样，把电放给电路延续保持供电电压和时间。

5.延时

体现在电容充放电的时间。选取合适的RC值即可实现对应的延迟时间。

20、电容选型一般从哪些方面进行考虑？

答：电容选型主要看用途：高频小信号滤波或IC电源去耦用陶瓷电容，因为它体积小、响应快、稳定性好；需要大容量储能或低频滤波时选电解电容，比如开关电源输入输出端，虽然它高频性能差但容量大、成本低。简单说就是——滤高频噪声用陶瓷电容，存能量稳电压用电解电容。其次需要考虑其封装大小，容值及其频率特性。

21、电感作用有哪些？如何选型？

答：1）电感的作用之一：通直流、阻交流。直流信号通过线圈时的电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生感应电动势，感应电动势的方向与外加电压的方向相反，从而阻碍了交流通过。2）作用之二：滤波。和电容配合着用，有一个词叫谐振频率，根据信号的频率，频率 f 等于2派根号下LC分之一，选择LC的值，就可以实现一个滤波的功能。

选型也是看一些主要参数：例如电感量、品质因数、分布电容、额定电流、封装尺寸等。

22、mos管的工作原理

答：MOS管（场效应管）通过栅极电压（VGS）控制电流导通：以增强型NMOS为例，当栅极电压超过阈值（VGS>VTH）时，栅极电场会在P型衬底表面吸引电子形成N型导电沟道，连通源极（S）和漏极（D），从而产生漏极电流（ID）。简单说就是—栅极电压“召唤”电子开通道，电压够高就通电。PMOS原理类似，但用负电压控制空穴导通。