数字集成电路_2.MOS管的原理

一.基本MOS管构成 基本MOS管：漏极D+栅极G+源极S PMOS当栅极G与S的Vgs小于一定值工作，源极S接电源正级（高端驱动），漏极D接电源负极，G输入低导通 NMOS当栅极G与S的Vgs大于一定值工作，源极S接电源负极（低端驱动），漏极D接电源正级，G输入高导通 鉴别PMOS与NMOS：箭头指向N沟道，PMOS是P沟道，NMOS为N沟道 二.CMOS管及其构成简单逻辑电路 2.1非门（CMOS，由PMOS、NMOS管构成的非门） （自我理解）因为MOS管的导通主要看的是Vgs两端电压，所以固定S

本节以伯克利开源课程EE141的材料为基础，尽量用形象的语言和描述来描述一个底层MOS管的工作原理，而非简单的罗列公式，希望能够帮助大家温故知新。

MOSFET工作原理

介绍了另外两种MOS电路，PMOS和NMOS

本文是对MOS管的介绍，MOS管作为各种数字电路的基本元器件是作为一名电子工程师必须掌握的基本元器件

场效应管：NMOS,PMOS

2、若在源极S和栅极G之间加上电压，源极S负向电压，栅极G正向电压，这样电子从源极S流到两个N型半导体之间集聚，当电子集聚得够多时，就形成了一个N沟道，连接两边的N型半导体，两个N型半导体就导通了，此时，在漏极D加上电压，与源极S形成电压差，就会有电流流过，MOS管相当于导通。2、可变电阻区：|Ugs >= |Ugs(th)|，|Udsl < (Ugs - Ugs(th)，此时ld随Uds的增大而增大。D：drain 漏极。lUgsl > |Ugs(th)|时，Uds为一常量时，|Ugs|越大，ld越大。

模拟端MOS管符号用箭头，箭头标注在源极（一般源极与衬底相连，所以不需要画衬底），方向表示电流方向。PMOS的源极与最高电位连接，NMOS的源极与最低电位连接，so，PMOS一般用于驱动电流，NMOS用于吸收电流。 数字段MOS管符号用圈区别，带圈的是PMOS。 ...

【cadence virtuoso 实践记录_仿真管子参数，μCox，λ，Vth】

为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等保护措施，实测加上稳压管（D901）的效果要比加上RC电路的效果要好，推荐先用稳压管测试，但是此处绝对不能加tvs，加tvs会导致源极电压抬高，gs损坏。当电流过大或者发生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOS管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护MOS管。

增强型MOSFET需要正向电压（N沟道）或负向电压（P沟道）来创建导电通道，而耗尽型MOSFET在没有栅极电压的情况下自然导电，通过逆向电压来抑制或关闭通道。选择哪种类型的MOSFET取决于特定的应用需求。

PMOS的工作原理，PMOS选型注意事项，PMOS在开关电路中的应用

场效应管