三极管的性质

目录

一，三极管的基本介绍

1.基本介绍

二，三极管的基本性质

1.三极管处于放大区

2，三极管处于饱和/截止区

三.怎样确保三极管处于深度饱和。

1.饱和状态的现象。

2.进入饱和状态的方法

一，三极管的基本介绍

1.基本介绍

三极管是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱的电信号放大成幅度较大的电信号。三极管分为两类，PNP和NPN两种，其电路符号如下：

可以看到，中间的就是基极B，带箭头的就是发射极E，不带箭头的就是集电极C。箭头表示发射结正偏时，电流的实际流向。

二，三极管的基本性质

1.三极管处于放大区

三极管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。公式表达为

其中B为三极管的电流放大系数，一般为一二百倍。对NPN型：Ic定义为从集电极流向发射极的电流，是被控制的经过放大的电流，Ib定义为集电极流向发射极的电流，是输入的原始电流。

2，三极管处于饱和/截止区

一般来讲，三极管有两种基本类型：放大电路和开关电路。在嵌入式中，主要使用它的开关电路，即让三极管在截止区-放大区-饱和区来回切换时（切换是一个渐变的过程），尽量减少三极管处于放大区的时间（此时Vce较大，影响开关状态），只使用三极管截止区和饱和区的电路特性，所以三极管需要工作在可靠的饱和区中。

此时三极管表现为一个电子开关，即饱和时，BJT逐渐失去放大作用（失控），CE间相当于开关闭合（短路），Ib电流只作为控制用途，Ic与Ib无关，Ib只受电源影响；截止时，CE间相当与开关断开。

三.怎样确保三极管处于深度饱和。

1.饱和状态的现象。

三级管饱和时不满足放大区的公式Ic=B*Ib，此时三极管“失控”,Ib不受公式的约束，集电极电流随Uce增大而增大，近似为线性。

2.进入饱和状态的方法

在实际中，使用Ib*β=V/R作为临界饱和条件。V为电源电压，R为集电极电阻（负载），β为该三极管放大倍数，然后就能算出使三极管能够进入饱和区（临界饱和区）的基极最小电流Ib。

而在将三极管用作开关电路时，应使三级管进入深度饱和状态。此时，基极电流应至少大于此值的2倍，且使用该基极电流折算后的电流增益远小于放大增益。

对NPN管，Vce=V-Ib*hFE*R，hFE为直流电流增益。随着Ib的增大Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，此时就是深度饱和。由公式，负载电阻越小，进入饱和状态所需要的Ib值就越大，饱和状态下的C-E压降也越大。