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RSS订阅原创 三极管（1）
自由电子带负电，流经正极原子带正电，流经负极空穴不带电但会吸引自由电子与之复合一、三极管原理 1.1、晶体管有三个掺杂区，底部的是发射级，中间的是基极，顶部的是发射级，图中是一个NPN型集体管，P区在两个N区之间，N型材料中多子是自由电子，P型材料中的多子是空穴 1.2、掺杂浓度其中发射级的掺杂浓度最高，其次是发射极，最后是基极掺杂的最少，集电极外形上是三个区域中最大的。 1.3发射结和集电结
2024-05-09 00:59:59
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原创 三极管（5）
进一步增加Vce并不能增加集电极电流，因为集电极只能收集发射极注入基极的自由电子，这些注入电子的数目仅依赖于基极电路，而不是集电极电路，当基极电流不变时，集电极电流就不变。当结温升至150-200度时，晶体管就会烧毁，DataSheet里会标注出最大的限制功率，设计中不能超过晶体管的最大限制功率PD(MAX)，否则会导致晶体管烧毁。通过测量Ic和Vce，获得Ic与Vce特性曲线的数据。晶体管的功率等于Vce与集电极电流的乘积：Pd = Vce x Ic，这个功率导致集电结的结温升高，功率越大，结温越高。
2023-10-22 16:56:44
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原创 三极管（4）
1.1、三极管的特性曲线图看起来就像普通二极管的特性曲线图，如图1a所示，实际上对于正向偏置的发射结，它的特性就是二极管的伏安特性，我们可以采用之前讨论二极管伏安特性曲线的近似方法。大多数情况下在理想值和精密值，取一个中间值，所以我们采用二阶近似，则Vbe = 0.7V。采用二阶近似，则取Vbe = 0.7V。总结：基极电阻电压为1.3V，基极电阻电流为13uA,集电极电流为2.6mA。例1、采用二阶近似计算图1b中的基极电流的和基极电阻上的电压。对图1b中的基极电阻使用欧姆定律得到。
2023-10-21 18:06:23
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原创 三极管（3）
通过改变VBB电压或者改变Rb电阻，可以改变基极电流，而改变基极电流则可以改变集电极电流，因为基极电流控制集电极电流，晶体管的特性，可以用小电流控制大电流。在图1-1a的电路上，两个电源的公共端或者地端连接到发射极上，该电路称为共发射极电路，该电路有两个回路，三极管左边的回路为基极回路，三极管右边的回路为集电极回路。列如，电压Vb是基极和地之间的电压，电压Vc是集电极和地之间的电压，电压Ve是发射极和地之间的电压。我们有时将基极回路称为输入回路，集电极回路称为输出回路，在CE连接中，输入回路控制输出回路。
2023-10-21 16:35:01
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原创 三极管（2）
虽然集电极的掺杂浓度较轻，但是集体管偏置时发射极的大多数电子流向了集电极，所以集电极电流和发射极电流的大小几乎相同，相比而言，基极的电流非常小，通常只有集电极电流的1/100。βdc也成为电流增益，通过较小的电流控制比他本身大很多的电流，例如晶体管中IB可以控制IC，具有电流增益的集体管的主要特点，几乎都是由此而生，小功率晶体管（小于1W）的电流增益为100-300；即发射极IE的电流等于集电极IC电流和基极IB电流的之和，由于基极电流很小，集电极几乎等于发射极的电流。基极电流远小于集电极电流。
2023-08-29 00:08:32
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原创 三极管（1）
总结下：在图4中，当基极正偏大于0.7V后，发射极中的自由电子会通过基区流经集电极，因为基区轻掺杂且浓度低，几乎所有的自由电子有足够的时间扩散到集电极，这些电子流经RC进入VCC的正极。图3所示是晶体管常见的偏置方式，左边的电源VBB使基极正偏，右边的电源VCC使集电极反偏，尽管还有其他偏置方式，但基极正偏，发射极反偏是最常用的偏置方式。1.1、晶体管有三个掺杂区，底部的是发射级，中间的是基极，顶部的是发射级，图中是一个NPN型集体管，P区在两个N区之间，N型材料中多子是自由电子，P型材料中的多子是空穴。
2023-08-24 23:54:28
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原创 电容（4）安规电容、CBB电容
2.1.1.差模电容有效过滤的是差模干扰，差模干扰电流大小相同，方向相反，电流大小对高频率的干扰阻抗小，电源中有很多高频率干扰，可以看见差模电容是并联在电源的火线和零线之间，电容的容抗是根据频率来决定，频率越高，容抗越低，所以我们可以理解为，当高频率干扰进入电路时，差模电容的容抗很小，高频率干扰就会从火线经过差模电容流会零线，不会对后面的PCB造成干扰，前几章讲过，电容具有频率特性，频率越高的容抗越小，阻抗越小，频率越低时容抗就越大，阻抗就越大。X1:耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV。
2023-05-10 21:12:07
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原创 电容（3）电解电容储能篇
1.2.1.我们先来看电解电容，就是图（2）中最左边和最右边的电容，芯片要想工作，必须要有一个输入源，也就是VCC引脚，通过这个VCC引脚来给芯片供电，但是芯片有源了，为什么还要给芯片并联电容呢，因为芯片工作时存在芯片负载突变，并不是稳定，有时需要20mA，有时就需要100mA，这种情况就需要加电容，如果芯片负载稳定则不需要电容。电容内部中间两个极板，一片是阳极存正电荷，一片是阴极存负电荷，而且是成对出现，正负之间相互吸引，那么这两个极板之间的磁场就会很强，如果聚集的正电荷越多，电压就越高，储能就越强。
2023-05-08 20:20:57
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原创 电容（二）
五、假设某一时刻，电容内的电压升高了1V，用电源10V减去电容内升高的1V得出9V（图5），此时我们再用欧姆定律来算一下I = 9V/1K = 9mA，因此得出一个结论，电容内的电压上升则电流下降，所以电容和电阻不同，电容的电流和电压则为反向关系，随着时间推移以此类推，电容的电压必定会达到10V，此时电阻两端的电压为0V，根据欧姆定律 I = 0/1K = 0mA，此时回路是没有电流的，则为断路。二、但是现在我们把阻抗换成电容如图（2），那现在还是一个正常使用的电路的吗？，也就是图（1）所示，是一个能。
2023-04-25 23:49:59
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原创 STM32的I2C协议物理层
在STM32单片机中的GPIO模式有一个是开漏输出，开漏输出也叫漏极开路输出，开漏输出模式下，P_MOS时被关闭的，这时候只能输出高阻态，无法输出高电平，即是断路，所以开漏输出只能输出低电平，不能输出高电平，输出高电平实际就是输出高组态，由上拉电阻统一拉成高电平。上拉电阻阻值高，电容充电慢，OD门电平转换速度就慢，上拉电阻阻值低，电容充电快，OD门电平转换速度就快，但是上拉电阻阻值不能随意变小，太小了电流就大了容易烧毁器件。全部输出高电平时，输出高电平，其中一个输出低电平，输出低电平。
2022-11-24 16:51:58
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原创 电容介绍（一）
3.3.1.1插件电解电容：品质好的电解电容会在电容顶部有泄压阀，不同厂商规格不同，有十字形泄压阀，星型泄压阀，三角形泄压阀，这里讲一下泄压阀作用，当插件电解电容过压时或者极性接反时，就会产生压力，压力就会从顶部泄压阀薄脆的地方喷出去，而没有泄压阀的电容就会爆开，还有一些插件电容在底部会有一些去湿槽，当插件电解电容在高温或高湿环境中工作时有则会产生湿气从而产生电弧，有去湿槽湿气就会从槽内散走，如果没有则湿气会越来越多，造成电容损坏，设备工作异常。水流会有淡旺季，同样的电流也不会很稳定。
2022-11-23 00:20:20
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原创 电压源和电流源的区别
例外的情况是发生在高频电路中，这时必须把导线中的电感和电容产生的影响考虑进去，假设5厘米的导线有0.45uH电感，10pF电容，那么在10MHZ的情况下，感抗是28.26Ω，容抗是15.92KΩ，可见此时的设计已经不能再将导线理想化近似了，导线的感抗和容抗造成的影响不容忽略。5.1电压源二阶近似：理想电压源只是理论上存在，实际上不存在的，原因是当负载电阻趋近与0时，负载电流会变得无穷大，没有任何实际的电压源可以产生无穷大的电流，实际电压源总会存在一定的内阻。满足这个条件的电压源可以称为理想电压源。...
2022-08-23 22:43:24
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原创 电阻（6）限流、分压、采样、频率特性篇
前几章讲了电阻的大体框架，现在我们来学习电阻框架内的具体知识。 一、再讲电阻作用之前，我们先对交流转直流(AC--DC)有个感性的认知，至于里面的细节后续会慢慢讲到，一般在220V交流输入供电中都先进行AC--DC的转换，把交流电整流成直流220V*1.414=311V，此时直流电压为311V。为什么要将交流整流为直流再使用，因为交流电就像波涛汹涌的黄河水，很难对他加以利用。 所以我们先要在下游建一个水库，来进行蓄水，只有这样我们才会得到一个平静的水面，才能更好的加以利用，比如灌
2022-06-14 23:45:53
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原创 电阻（5）NTC电阻篇
一、NTC电阻软起1.NTC电阻被称为负温度系数电阻（电阻4的博文中写过负温度系数电阻特性）2.电路中的电容初始上电，电压为0，电容等效短路，从而会造成浪涌电流（瞬间接通所通过的电流），浪涌电流会对电源造成影响，还会对地造成谐波，影响我们整个电路，还会影响后面的负载。 3.为了抑制浪涌电流，我们会选择一个NTC电阻，初始上电时电源会冲一个电流，电阻此时很高，电阻遇到电流时开始做功，电阻做功就会使温度升高，阻值就会下降，最后电阻值近似于0，我们也把这个上电过程称之为软起，开漏电源里用的较多。
2022-06-12 17:46:34
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原创 电阻（4）温度特性
一、电阻的温度特性:1、电阻会有温漂：随着温度的变化，则阻值会也会相应的发生变化。 1.1、以下的图就是电阻的阻值和温度的关系。 直线内的就是标称值 -55--70度，一旦超过这个温度不同封装的电阻的阻值下降也是不一样2、大多数普通电阻：是负温度特性，电阻的阻值随着温度的升高，值在下降3、特殊电阻：正温度特性，电阻的阻值随着温度的升高，值在上升3.1、利用正温度特性做保护P X T1 = I1² X R1X T1P X T2 = I2² X R2 X T2电流，电压相同的情况下我
2022-06-07 21:34:45
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原创 电阻（3）电阻封装篇等
一、电阻的封装： 1.总结：2512封装的电阻通常用来检流（检测电路中的电流），通常阻值都是毫欧级的，阻值变大会改变电路中的电流所以不适用二、电路设计中用来做检测电流方法：检测电流方法 直接法 间接法 方案 检流电阻 互感器 原理 串联在原有电路中 (阻值要低） 通过电流产生的磁场耦合变成一个电流通过电流再采集电压 是否破坏原因电路 串联在原有电路中（破坏） 外部使用（无破坏） 采样精度 ....
2022-06-06 20:05:18
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原创 CPU 内存 硬盘
计算机设备分很多，但是最重要的也就三个设备CPU：是计算机的运算核心和控制核心，让电脑的各个部件顺利工作，起到协调和控制作用。硬盘：存储资料和软件等数据的设备，有容量大，断电数据不丢失的特点。也被人们称之为“数据仓库”。内存：1. 负责硬盘等硬件上的数据与CPU之间数据交换处理；2. 缓存系统中的临时数据。3. 断电后数据丢失。实现场景一：就是当你双击某程序时鼠标最为输入设备 向CPU发出一条命令，CPU收到这条命令后，他先把这个程序从硬盘里加载到内存中（这个时候是不经过处理器的，程序直接从
2022-05-14 15:58:39
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原创 电阻（1）电阻种类篇
一、电阻的分类1.按阻值特性：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）（1）固定电阻：固定阻值的电阻，通常会以色标法或直标法印在上面（2）可调电阻：就是跟初中物理那种电阻一样，通过线圈的长度来改变阻值。（3）特种电阻：分为以下四种压敏电阻：当电压超过压敏电阻值时，其阻值迅速减小，电流增大，因而可抑制瞬时过电压。 用途：用来防止瞬时过电压，防雷击等等......
2022-05-09 18:52:31
5557
原创 电阻（2）
一、电阻的阻值分为两种：1、标定值：标称在电阻器上的电阻值称为 标称值2、实际值：标定值和实际值一般都会有误差，分别是±5%，±1%如果你要高精度的对电流 或者电压采样必须要用±1%的电阻，如果你要是用来限流或者简单的分压就用±5%就够了二、电阻的功率：1、电阻功率的计算公式 P=I²xR2、电阻的功率值分为两种：（1）标定值：封装大小决定（2）额定值：电路中评价电流计算（3）瞬态值：电路中最大电流计算（4）假设：放余量 标定值...
2022-04-12 23:09:44
2019
原创 TCP/IP协议的三次握手，四次挥手
以上方框内容，一行代表一个字节。第一行端口号：是由原端口号（本机端口号你自己家的门牌号）和目的端口（目的端口号就是你要去别人家的门牌号）号组成的，至于里面的内容是什么，就发挥想象力16位的二进制组成。第二行32位序号：我们也叫seq，是客户端发送服务端的序号是多少这个是随机生成的，第三行32位确认序号：我们也叫ack（注意是小写），作用是我上一条发送的信息进行一个确认。第四行中间的6个标志位:分别是以下，此时我们有两个ack一个是确认序号位（ack）是32位，一个是确认标志位（ACK）...
2021-11-09 15:14:24
2104
空空如也
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