High side MOS 自举电路

        自举式电源是一种使用最为广泛的，给高压栅极驱动集成电路的高端栅极驱动电路供电的方法。

        这种自举式电源技术具有简单且低成本的优点。但是，它也有缺点：

        一是占空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制；二是当开关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。

        自举栅极驱动技术：

        当输入电平不允许高端N沟道功率型MOS或IGBT使用直接是栅极驱动电路时，我们就可以考虑自举式栅极驱动技术。

        这种方法被用作栅极驱动和伴发偏置电路，两者都以主开关器件的源极作为基准。

        驱动电路和偏置电路都在相对于器件源极的两个输入电压之间摆动。

        但是，驱动电路和它的浮动偏置可以通过低压电路实现，因为输入电压不会作用到这些电路上。

        驱动电路和接地控制信号通过一个电平转换电路相连。该电平转换电路必须允许浮动高端和接地地段电路之间存在高电压差和一定的电容性开关电流。

        高电压栅极驱动IC通过独特的电平转换设计差分开。为了保持高效率和可管理的功耗，电平转换电路在主开关导通器件，不能吸收任何电流。

        对于这种情况，我们经常使用脉冲式锁存电平转换器，如下图所示：

        自举式驱动电路工作原理

        自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的，其工作原理如下图所示：

        当Vs降低到IC电源电压Vdd或下拉到地时（低端开关导通，高端开关关断），电源Vdd通过自举电阻，Rboot和自举二极管Dboot，对自举电容Cboot进行充电。

        当Vs被高端开关上拉到一个比较高的电压时，由Vbs对该自举电容充电，此时Vbs电源浮动，自举二极管处于方向偏置，轨电压（低端开关关断，高端开关导通）和IC电源电压Vdd被隔离开。

        选择自举电容Cboot：

        自举电容（Cboot）在低端驱动器导通，输出电压低于栅极驱动器的电源电压（Vdd）时每次都被充电。

        自举电容仅当高端开关导通的时候放点。自举电容给高端电路提供电源（Vbs）。

        首先要考虑的参数是高端开关处于导通时，自举电容的最大电压降。允许的最大电压降（Vboot）取决于要保持的最小栅极驱动电压（对于高端开关）。

        如果Vgsmin是最小的栅-源极电压，电容的电压降必须是：ΔVboot=Vdd-Vf-Vgsmin

        其中：

        Vdd=栅极驱动器的电源电压；

        Vf=自举二极管正向电压降

        计算自举电容为： Cboot=Qtotal/ΔVboot

        其中Qtotal是电容器的电荷总量。

        Qtotal=Qgate+（Ilkcap+Ilkgs+Iqbs+Ilk+Ilkdiode）×ton+Qls

        其中：

        Qgate=栅极电荷总量

       lIkcap=自举电容漏电流

        Ilkgs=开关栅-源极漏电流

        Iqbs=自举电路静态电流

        Ilk=自举电路漏电流

        Ilkdiode=自举二极管漏电流

        ton=高端导通时间

        Qls=内部电平转换器所需要的电荷，大约为3nC

       注意：只有Cboot是采用E-cap时才要考虑Ilkcap，否则可忽略不计

       选择自举电阻Rboot

       当使用外部自举电阻时，电阻Rboot带来一个额外的电压降：

       Vrboot=Icharge×Rboot/tcharge

       其中：

       Icharge=自举电容的充电电流

       Rboot=自举电阻

       tcharge=自举电容的充电时间（低端导通时间）

       该电阻值（一般1～10欧）不能太大，否则会增加Vbs时间常数。

       当计算最大允许的电压降（Vboot）时，必须考虑自举二极管的电压降。

       如果该电压降太大或电路不能提供足够的充电时间，我们可以使用一个快恢复或超快恢复二极管。

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