罗姆EcoGaN深度剖析—驱动工控与车载大功率新时代

于 2025-07-16 08:00:00 发布
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分类专栏： 研讨会 文章标签： 大大通 研讨会 氮化镓 汽车 大功率 半导体
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罗姆EcoGaN深度剖析—驱动工控与车载大功率新时代

直播时间

2025/7/22 (二) 10:00 - 11:00

研讨会介绍与亮点

氮化镓（GaN）是一种采用镓和氮化合物的化合物半导体，被认为是下一代功率元件极具潜力的材料。因其高效率和对功率电子、光子学、LED技术、射频基础设施和电源IC等各种应用的变革性影响而闻名。由于氮化镓具有比硅更宽的能隙和更高的热导率，因此被称为宽能隙半导体，具有高介电击穿电场强度的特点，可以使用更薄的层实现与硅相同的耐压。

氮化镓相比传统硅功率电子产品具有诸多引人注目的优势，其主要的优势之一是能够实现更高的功率密度，有助开发体积更小、效率更高的电源转换器和马达驱动器。氮化镓功率电晶体以其更快的开关速度、更低的导通电阻和更高的热导率而闻名，使其成为高频和大功率应用的理想选择。

氮化镓比硅半导体具有更高速度和更低电阻等优势，使得氮化镓功率电晶体越来越常被应用于大功率和高频元件中，适用于电子设备电源等应用场景，在5G通讯、电动车解决方案等应用中十分重要。

罗姆于2023年将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于同年将闸极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。之后罗姆也与TSMC在车载氮化镓功率元件的开发和量产上，建立战略合作伙伴关系，以罗姆的氮化镓元件，结合TSMC的GaN-on-Silicon制程优势，满足市场上对高耐压和高频功率元件日益成长的需求。

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