突破传统！GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计

WPG大大通

于 2025-09-17 08:00:00 发布

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分类专栏：其他产线文章标签：大大通封装人工智能电源 mosfet

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针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升，AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片，显著提升功率密度和散热效率，相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。GTPAK封装不仅支持使用FR4等经济型PCB材料以降低成本，其独特的海鸥翼引脚设计还大幅提升了焊点可靠性，即使在金属基板（MCPCB）应用中也能确保稳固连接。此外，该封装结构有效增强了温度循环性能，完美解决了高可靠性工业应用中的散热、功率密度与耐用性痛点，为高功率应用提供了更高效、更可靠的解决方案。

原文：突破传统！GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计

产品亮点

GTPAK封装说明

顶部散热架构

与传统采用底部散热设计的功率MOSFET不同，AOS创新性的GTPAK封装通过革命性的顶部散热架构，实现了热管理性能的全面突破。该封装采用独特的倒置引线框架设计，将漏极焊盘（与芯片底部直接相连）直接暴露于封装顶部表面，从而构建了更高效的热传导路径。

Heat dissipation layout perspective diagram

其引脚的配置与传统的 TOLL 封装相同，具有 Kelvin Source 的引脚配置，将电流路径与驱动路径解耦，可在大电流以及高频率等应用中改善开关损耗；此外，通过海鸥翼引脚（Gull Wing）的设计，可在 PCB 受到热应力产生形变时吸收因形变产生的机械应力，从而提升元件与 PCB 焊点的可靠性，特别适合高温差与高功率的使用场景。

图封装结构示意图

GTPAK封装的优势

散热性能与系统成本的最佳平衡

AOSGTPAK封装方案实现了散热性能与系统成本的最佳平衡：相比TOLL FR4 PCB组件，在系统成本相近的情况下，MOSFET散热性能提升10%；相较TOLL MCPCB组件，在保持同等热性能的同时，基于3kW设计可降低17美元PCB成本。该方案通过优化PCB空间利用率提升电路稳健性和可靠性，其海鸥翼引脚设计能有效吸收机械应力，显著增强板级可靠性。同时，GTPAK封装完美适配传统风冷及新兴的集中式直接液冷系统，为高功率应用提供全方位的热管理解决方案。