atmel的9G45研发前期

1、了解芯片内部结构，貌似EBI0和EBI1只能采用32位的SDRAM或则16位的DDR系列内存，我感觉有些疑惑，在EBI1上面，DDR的电压是1.8V，CPU倒是可以支持的，但是norflash和nandflash 是3.3V电平的，这个会有影响吗？？我的神啊！为什么大家都是直接连在一起呢？貌似很多都没想过呢，我想，假设用CPLD或则FPGA去转换电平的话，那么需要很多管脚不说，门电路延时影响DDR速度，内心比较纠结！继续研究

纠结未果，还是全部用1.8V 的控制器电平，9G45 其实只是有16为的控制器，其他的高16位为IO口扩展的，无论是控制器，还是电平上，都不支持32位，atmel 在2010年前的奋力之作9G45  给我留下了很多遗憾，期待ARM11和A8在atmel 公司出现。