于3D-MOT的光束 delivery 系统（如文档中Rubidium PICMOT），通过6束正交准直光（三对 counter-propagating 光束）实现原子冷却与囚禁。结合文档中提到的Me-CSDN博客

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以下是基于文档内容及光子集成技术的单模保偏光纤与SiN波导集成及光栅准直方案，结合3D-MOT中的PICMOT技术路径，从设计原理、关键步骤及技术参数展开说明：

一、整体方案架构

单模保偏光纤与SiN波导的集成及光栅准直输出需遵循“光纤耦合→功率分配→波导扩束→光栅衍射”的技术路线，具体如下：

光纤-波导耦合：采用端面耦合或光栅耦合器，确保保偏光纤的偏振态高效导入SiN波导。
1×3功率分配：利用SiN平台上的多模干涉（MMI）或Y分支分配器，实现低损耗功率均分。
波导扩束：通过渐变型 slab 波导将光场横向扩展，匹配10mm×10mm光栅的输入尺寸。
光栅准直输出：设计亚微米级周期光栅，实现57°衍射角及≥30cm的准直长度。

二、关键技术细节

1. 保偏光纤与SiN波导的偏振保持耦合

耦合方式：
采用端面耦合时，需对光纤端面和SiN波导端面进行高精度抛光（粗糙度<1nm），并通过亚微米级 alignment（精度±50nm）实现模场匹配。若使用光栅耦合器，需设计偏振保持型光栅结构（如矩形槽光栅），周期和深度需满足TE模或TM模的相位匹配条件。
偏振保持设计：
SiN波导的双折射效应（约 (10^{-4})）需通过对称结构（如脊波导）抑制，或在波导中集成偏振旋转器（如基于应力诱导双折射的结构），确保从保偏光纤输入的偏振态在波导中传输时偏振消光比（PER）≥20dB。

2. SiN波导1×3功率分配器

结构选择：
采用MMI分配器（长度约200-500μm），基于多模干涉的自映像原理实现功率均分，插入损耗<1dB，分光不均性<0.5dB。MMI宽度需根据波导有效折射率计算，如对于1.5μm厚SiN波导（折射率≈2.0），MMI宽度约10-15μm。
损耗控制：
SiN波导的传输损耗需<0.1dB/cm（可见光至近红外波段），通过优化波导侧壁粗糙度（<5nm）和包层平整度实现。

3. 波导扩束器设计

扩束原理：
使用渐变宽度的 slab 波导（如从5μm宽渐变至10mm宽），通过模式扩展实现光场横向扩束。扩束波导的渐变斜率需满足绝热条件（斜率<1°），避免模式转换损耗。
结构参数：
扩束长度约1-2cm，波导高度保持1.5-2μm（SiN典型厚度），确保TE模主导。扩束后光场尺寸与10mm×10mm光栅匹配，边缘损耗<0.5dB。

4. 10mm×10mm光栅发射器设计

光栅周期计算：
根据光栅方程 (d(\sin\theta + \sin\phi) = m\lambda)，假设垂直入射（(\theta=0)），衍射角 (\phi=57^\circ)，波长 (\lambda=780)nm（以铷原子MOT为例），则光栅周期：
[
d = \frac{\lambda}{\sin\phi} = \frac{780,\text{nm}}{\sin57^\circ} \approx 930,\text{nm}
]
占空比与深度：
占空比取0.5（矩形光栅），深度约300-500nm（根据SiN厚度调整），通过电子束光刻（分辨率<10nm）制造，确保周期均匀性±5nm。
准直长度分析：
光束发散角 (\theta_{\text{diverge}} \approx \lambda/D)（(D)为光栅尺寸），对于10mm光栅：
[
\theta_{\text{diverge}} \approx \frac{780,\text{nm}}{10,\text{mm}} \approx 78,\mu\text{rad}
]
准直长度 (L = D / \theta_{\text{diverge}} \approx 10,\text{mm} / 78,\mu\text{rad} \approx 128,\text{m})，远优于30cm的需求，实际中需考虑衍射效率与发散角的平衡（如通过 apodization 优化光栅边缘）。

三、文档技术支撑与案例参考

SiN平台低损耗特性：
文档提到SiN波导在可见光至近红外波段传输损耗<0.1dB/cm（如参考文献[46,118]），支持长距离光场传输与扩束。
光栅发射器验证：
文档中PICMOT案例（参考文献[43]）使用2.5mm×3.5mm光栅，实现1mW/束的功率输出，准直光束直径约2.5mm，验证了大尺寸光栅的可行性。该案例中光栅采用硅基刻蚀工艺，周期约900nm，与57°衍射角设计兼容。
功率分配与扩束集成：
文档提到1×3功率分配器基于SiN波导MMI结构（参考文献[43]），插入损耗<1.5dB，配合 slab 波导扩束器（如参考文献[43]图3），实现光束尺寸从微米级到毫米级的转换。

四、工艺挑战与优化方向

大尺寸光栅制造：
10mm×10mm光栅需采用拼接式电子束光刻或纳米压印技术，确保全区域周期均匀性，避免边缘衍射引起的光束畸变。
偏振保持一致性：
从光纤到光栅的全链路需控制偏振串扰，可在波导中集成偏振控制器（如基于PZT的应力调谐结构，参考文献[76]），实时补偿偏振漂移。
衍射效率提升：
通过优化光栅占空比、深度及表面粗糙度（<2nm），可将衍射效率提升至70%以上（参考文献[43]中光栅效率约60%），确保准直光束功率满足MOT需求（单束≥1mW）。

五、应用场景延伸

该方案可直接应用于3D-MOT的光束 delivery 系统（如文档中Rubidium PICMOT），通过6束正交准直光（三对 counter-propagating 光束）实现原子冷却与囚禁。结合文档中提到的Metasurface反射结构（参考文献[64]），可进一步集成 retroreflector，构建全平面化的3D-MOT系统，适用于芯片级冷原子传感器或量子计算平台。