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HBM
HBM(High Bandwidth Memory,高带宽内存)是一种专为高效能运算设计的新兴高速内存接口技术。它通过3D堆叠封装技术将多个DRAM芯片垂直堆叠,并以硅穿孔电路(TSV)互连,大幅提高内存带宽,同时降低功耗和体积空间。HBM因其极高的数据传输速率、较低的访问延迟以及高度并行处理能力,成为AI服务器、超级计算机、自动驾驶汽车及高速网络设备等领域的关键技术。
尤其在高性能AI芯片中,HBM的作用尤为突出。HBM是通过多个DRAM芯粒3D堆叠而成,具备高带宽、高存储密度、低功耗和紧凑尺寸的优势,并且通常与GPU或AI ASIC直接集成封装在同一芯片内,显著提升了数据搬运效率。这种高效的内存解决方案对于大模型训练和推理任务至关重要,能够加速模型训练过程,支持更复杂的计算任务,提升AI应用的实时性和精确性。
随着国内生成式人工智能(AI)的持续火爆,市场对高性能AI芯片的需求暴涨,这也直接带动了此类AI芯片内部所集成的HBM需求的爆发。然而,根据最近的消息,